Электрохимическое анодирование

Cтраница 1

Электрохимическое анодирование на толщину 8 - 20 мкм применяют для защиты от коррозии в среднеагрессивных средах элементов клепаных конструкций из алюминия, а также для декоративной отделки конструкций, предназначенных для слабоагрессивных и неагрессивных сред. При эксплуатации конструкций в сильноагрессивных средах они должны быть дополнительно окрашены материалами группы IV по табл. 40.4 при толщине слоя лакокрасочного покрытия не менее 70 мкм. В табл. 40.5 приведены составы наиболее широко применяемых электролитов и режимы окисления для получения защитных анодных пленок. [1]

В пленках, полученных при электрохимическом анодировании, возможно присутствие адсорбированных посторонних ионов, а также газов, выделяющихся на аноде. [2]

Принципиальная схема очистки циансодержащих сточных вод электрохимическим методом. [3]

Соединения Crri ( H2CrO4 и ее соли) широко используются в различных технологических процессах гальванического производства, при химическом травлении и пассивировании поверхности деталей из обычной, оцинкованной и кадмированной стали, медных сплавов при гальванопокрытиях и электрополировании стальных деталей, а также электрохимическом анодировании деталей из алюминия. Соединения Сгв относятся к классу токсичных, чрезвычайно опасных веществ. [4]

Соединения Сг ч ( Н2СгО4 и се соли) широко используются в различных технологических процессах гальванического производства, при химическом травлении и пассивировании поверхности деталей из обычной, оцинкованной и кадмироваииой стали, медных сплавов при гальванопокрытиях и электрополироваиии стальных деталей, а также электрохимическом анодировании деталей из алюминия. Соединения Сг6 относятся к классу токсичных, чрезвычайно опасных веществ. [5]

Поперечный разрез танталовой тонкопленочной схемы. [6]

Для формирования резисторов на основе нитрида тантала повторяют процесс фотолитографии. Номиналы сопротивления могут быть подогнаны дополнительным электрохимическим анодированием нитрида. [7]

Поперечный разрез танталовой СВЧ микросхемы, содержащей элементы с сосредоточенным1. параметрами. [8]

Конфигурация резистнвных и емкостных элементов задается методом фотолитографии. Величину сопротивления резисторов можно доводить до заданного номинала с высокой точностью, изменяя толщину слоя нитрида тантала 3 в результате формирования на его поверхности пятиокиси тантала 2 способом электрохимического анодирования. [9]

Выбор метода создания тонкопленочной структуры определяется ее функциональным назначением н характеристиками, а также технологичностью изготовления. Значительно реже применяют осаждение из газовой фазы и электрохимическое анодирование. [10]

Технологические методики получения тонкопленочных структур базируются на использовании физических и химических процессов. Физические процессы составляют основу термического испарения в вакууме и катодного или ионно-плазменного распыления. На основе химических процессов разработаны следующие технологические методики: электрохимическое анодирование, гальваническое наращивание и осаждение из газовой фазы. [11]

Для создания резистивных и резистивно-емкостных микросхем применяют танталовую технологию и термическое испарение в вакууме в сочетании с процессами фотолитографии. У нас в стране чаще используют методы термического испарения в вакууме. Ограниченное применение танталовой технологии обусловлено рядом существенных недостатков, связанных со сложностью технологического процесса и низким значением удельного сопротивления резистивных пленок на основе тантала и нитрида тантала. Процесс изготовления резистивно-емкостных микросхем по танталовой технологии предполагает использование разнородных методик: катодное распыление, термическое испарение, электрохимическое анодирование и многократные процессы фотолитографии. Кроме того, процесс характеризуется низкой технологичностью и высокой трудоемкостью. Простейшие микросхемы изготавливают термическим испарением в вакууме с применением метода свободных масок. При повышении плотности элементов и усложнении их конфигурации используют метод двойной фотолитографии. Микросхемы с конденсаторами создают с применением метода свободных масок, а в случае повышенной сложности - комбинирован ного метода. [12]

Сплав АВ содержит 0 2 - 0 6 % меди и в состоянии после искусственного старения приобретает склонность к межкристаллитной коррозии. Искусственное старение сплава АД31 незначительно снижает его коррозионную стойкость по сравнению с состоянием после естественного старения. С повышением прочности сплавов алюминия и увеличением расчетных нагрузок или внутренних напряжений, связанных с нагартовкой или сваркой, возрастает опасность потери несущей способности конструкций в результате язвенной или расслаивающей коррозии, а также коррозионного растрескивания. Поэтому к защите от пор-розии несущих конструкций из алюминиевых сплавов при эксплуатации их в средах, содержащих хлор, хлористый водород или фтористый водород по группе газов Б, предъявляются более жесткие требования. Эти конструкции должны быть защищены электрохимическим анодированием уже ири слабоагрессивной степени воздействия среды. [13]

Страницы: 1