Cтраница 3
В случае питания транзисторов от двух источников необходимо предусмотреть следующую последовательность задачи напряжений на выводы транзистора: сначала подается напряжение на вывод затвора, затем - на вывод стока. [31]
Температура нагрева контактного слоя транзистора не должна быть выше 75 С, поэтому для отвода тепла при пайке выводы транзистора нужно держать у корпуса пинцетом. Паяльник должен быть возможно дальше от транзистора, пайку нужно заканчивать быстрей. [32]
Для исключения образования паразитных контуров высокочастотных колебаний при параллельном соединении транзисторов ограничивающие резисторы в цепи затвора должны подключаться отдельно для каждого прибора Кроме того в эмиттерные выводы транзисторов включают небольшие резисторы ( до 0 5 Ом) с целью выравнивания разброса омических сопротивлений вдоль общей шины управления Аналогично распределяют сигнал с коллекторных цепей транзисторов ( подключением резисторов 50 Ом) для последующего подключения к выводу драйвера снимающего сигнал о перегрузке по току ( если в драйвер встроена система защиты) На 4.49 показано подключение драйвера SKHI10 фир мы Semikron к параллельной сборке из трех транзисторов Подключение драйвер. [33]
Здесь буквы бь э, к и б2, э2, к2, стоящие в скобках у номеров строк и столбцов определителя схемы, указывают, с какими узлами схемы соединены выводы транзисторов. [34]
Активные элементы устанавливают в отверстия, сделанные в подложке. Выводы транзисторов и диодов припаивают непосредственно к выводным площадкам на подложке. Обычно применяют корпусные активные элементы, однако можно применять и бескорпусные. В этом случае модули должны быть обязательно загерметизированы. [35]
Первый каскад усилителя, смонтированный на экспериментальной панели. [36] |
Выводы транзистора осторожно разведи и припаяй к контактным лепесткам второго или третьего вертикального ряда. [37]
Затем на плате устанавливают регулятор громкости, трансформаторы НЧ, конденсаторы постоянной емкости, резисторы, диоды и транзисторы. Выводы транзисторов следует изогнуть под прямым углом не ближе 5 мм от корпуса. Производя пайку полупроводниковых приборов и малогабаритных деталей, необходимо беречь их от перегрева. [38]