Акт - переход
Cтраница 1
Акт перехода от выполнения одной команды к выполнению другой называется передачей управления. В существующих ЭЦВМ принят так называемый естественный порядок исполнения команд, по которому передача управления осуществляется в том порядке, в каком команды записаны в ОЗУ. [1]
Итоговый акт перехода иона в кристалл определяется разностью вероятностей перехода ионов в кристалл и обратного процесса ионизации атомов. [2]
Такой акт перехода атома в образовавшуюся около него дырку похож на обычное испарение. Разница заключается в том, что при обычном испарении для испаряющегося атома имеется больше простора - все пространство, а в данном случае при переходе атома в его распоряжении имеется только объем одной дырки. Атом, в сущности говоря, меняет одну дырку на другую. [3]
 |
Форма линии ЯМР. [4] |
При каждом акте перехода т - - т - 1 поглощается квант hco. [5]
Лейбниц, обозначив им акт перехода бессознательных психич. [6]
Показано также, что акт перехода лиганда требует одновременного вступления другого лиганда или сольватиру-ющей молекулы растворителя в координационную сферу иона металла, которые должны занять образующееся свободное место. [7]
Отметим, что количество актов перехода носителей через переходы в любом направлении определяется количеством носителей дырок в эмиттере и коллекторе и электронов в базе, которые могут покинуть потенциальные ямы, и зависит от температуры р-п - р структуры. Диффузионные токи эмиттера / пзднф и 1РзлдФ резко возрастают. В связи с тем что эмиттер выполняется гораздо сильнее легированным, чем база, электронной составляющей диффузионного тока можно пренебречь. Инжектированные дырки, пройдя базу, доходят до коллекторного перехода и перебрасываются его полем в коллектор. При этом из-за малой протяженности базы небольшая часть дырок, как уже отмечалось ранее, рекомбинирует в базе. В выходной цепи, таким образом, протекает ток, близкий к току эмиттера. Если в цепь коллектора включено нагрузочное сопротивление RK, то на нем можно получить значительную выходную мощность и, главное, усиление по мощности, так как токи 1К и 1Э практически равны. [8]
Хардвиком было найдено, что для одного акта перехода Ce4 - Ces при действии р-излучения Рза и S35 расходуется 32 4 эв. [9]
 |
Энергетические схемы полупроводника с экситонными ( а и поляронными ( б уровнями. [10] |
Впрочем, если переходит электрон, связанный с дефектом кристаллической решетки, то требование равенства волновых чисел отпадает, так как в акте перехода принимает участие сама решетка кристалла. [11]
 |
Кинетика десульфура-ции стали в дуговых печах разной емкости. [12] |
В связи с изложенным, естественно, возникает вопрос, определяется ли кинетика обессеривания металла шлаком во всех случаях только диффузией или сам акт перехода серы из одной фазы в другую также может при известных условиях протекать достаточно медленно. [13]
Развивая идеи А. Ф. Иоффе, объяснявшего электропроводность ионных кристаллов движением ионов, испарившихся в пространство междоузлий, Яков Ильич обратил внимание на то, что, помимо атома в междоузлии, нужно рассматривать еще и дырку, оставшуюся после акта перехода иопа в это междоузлие. Вот такое образование, состоящее из атома в междоузлии и дырки, вошло в физику под названием френкелевская пара. Оба компонента пары Френкеля ( междоузельный ион и вакансия) под влиянием внешнего электрического поля могут направленно перемещаться по решетке и переносить заряд. [14]
Согласно [3 ], механизм обменных реакций этого типа принадлежит к ионизационным, независимо от того, как происходит обменная реакция - с промежуточным образованием свободных ионов, присоединяющих в дальнейшем дейтерон из воды, или без образования свободных ионов, в одном непрерывном акте перехода протона от соединения к катализатору и присоединения к нему дейтерона из воды. [15]
Страницы: 1 2