Столь высокая активность

Cтраница 1

Столь высокая активность этого катализатора позволяет проводить процесс селективного гидрокрекинга непосредственно в последнем реакторе установки каталитического риформинга путем замены в нем небольшой части катализатора риформинга на металлоцеолитный катализатор. При использовании этого катализатора в качестве катализатора селективного гидрокрекинга происходит не только расщепление нормальных парафиновых углеводородов, но и образование ароматических углеводородов, что позволяет получить больший выигрыш в повышении октанового числа в сравнении с обычным селективным гидрокрекингом, а также уменьшить газообразование. [1]

Причина столь высокой активности не ясна. [2]

Влияние алюмосиликатной матрицы на активность катализаторов при крекинге газойля и на их стабильность в условиях обработки водяным паром. [3]

Учитывая столь высокую активность цеолитов, можно предположить, что их использование позволит значительно сократить размеры реактора. Однако по технологическому оформлению каталитический крекинг представляет собой сбалансированный циклический процесс, при котором в ходе крекинга на катализаторе отлагается кокс. Поэтому скорость реакций крекинга не может быть выше скорости выжигания кокса. Твердый катализатор переносит тепло из экзотермического регенератора в эндотермический реактор благодаря диспергированию кристаллического цеолита в алюмосиликатной матрице. [4]

Однокомпонентные катализаторы второго поколения обладают столь высокой активностью, что их остаточное содержание в продукте практически не влияет на диэлектрические и физико-химические свойства продукта. Это позволило в технологических процессах нового поколения ( середина 70 - х годов) исключить стадии удаления катализатора. Следующим шагом в развитии технологии явился газофазный процесс в псевдоожиженном слое катализатора, нанесенного на частицы силикагеля, разработанный фирмой Union Carbide. Этот процесс позволяет отказаться от стадии отделения, регенерации и подготовки растворителя, от сушки полимера. [5]

Кроме того, поверхность твердых тел никогда не бывает чистой. Свежесколотая поверхность кристалла обладает столь высокой активностью, что практически мгновенно покрывается молекулами окружающей среды, образующими на ней адсорбированные пленки. На металлах и полупроводниках прежде всего образуются окисные пленки, толщина которых может меняться от мономолекулярного слоя, как это имеет место для благородных металлов ( Ag, Au, Pt), до десятков-сотен нанометров. Помимо окисных пленок, поверхность может захватывать достаточно толстые слои воды, жира и других веществ из окружающей среды. Прочность закрепления адсорбированных слоев, особенно окисных пленок, весьма высокая, и удаление их с поверхности представляет большие трудности. [6]

Этот процесс, безусловно, затрудняет последующее взаимодействие с нук-леофилом. Однако тетрагидроалюминат-ион А1Н обладает столь высокой активностью, что восстанавливает даже карбоксилат-ион. [7]

В окислах по магнитной восприимчивости определялось наличие следов металлов, которые хорошо катализируют процессы гидрирования и могут легко образовываться во время реакции. Авторы считают, что столь высокая активность этих окислов обусловлена нестабильной электронной конфигурацией ионов Сг3 ( 3d3) и Со3 - Со2 в Со3О4 ( 3dK и 3d7 соответственно), связанной с отсутствием сильных электронных взаимодействий с соседними ионами металлов в этих окислах. [8]

Страницы: 1