Мелкий акцептор

Cтраница 1

Области термической устойчивости комплексов, включающих атомы водорода. [1]

Пассивация мелких акцепторов осуществляется эффективно при температуре 100 С ( дезактивируются 99 %) при выдержке образцов в водородной плазме, либо при бомбардировке нюкоэнергетическими ионами водорода 5 кэВ, либо при введении водорода из других источников. Мелкие доноры также пассивируются, однако не столь сильно, как акцепторы. [2]

Наряду с другими мелкими акцепторами и донорами бор относится к хорошо изученным примесям в кремнии. [3]

Мы видим, что энергии связи мелких акцепторов в Ge очень хорошо согласуются с теорией. [4]

Спектр фототермической ионизации сверхчистого Ge р-типа, измеренный при 8 К. Смысл букв А, В, С и т.п., приведенных в скобках, объясняется в Пики с метками LI, Ь % и являются артефактами ( духами в инфракрасном фурье-спектрометре. [5]

В табл. 6.8 приведены энергии связи для различных возбужденных состояний мелких акцепторов группы III в Ge, найденные методом ФТИС. Теоретико-групповые обозначения, данные в скобках, основаны на кубической точечной группе кристалла. [6]

Энергия ионизации примесей ( в миллиэлектрон-вольтах в наиболее изученных. [7]

Мелкие доноры в соединениях АШВУ обладают намного меньшими коэффициентами диффузии, чем мелкие акцепторы. В подавляющем большинстве случаев для диффузионного легирования используют цинк. Существенней особенностью процесса диффузии в полупроводниках АШВУ - является его зависимость от давления паров летучего компонента Bv, которое определяет концентрацию дефектов в решетке. [8]

Зависимость электролюминесценции GaAs р-типа ( легированного Zn от концентрации примеси. Концентрация приведена в см. Т 4, 2 К. [9]

Согласно уравнению (7.14), электроны в образце GaAs, содержащем 1018 см 3 мелких акцепторов, при рекомбинации с дырками, связанными на акцепторах, будут иметь излучательное время жизни около 2 не. Это время сравнимо с излучательным временем жизни при переходе зона-зона. Таким образом, мы ожидаем, что при низких температурах ( когда в С д) в спектре ФЛ p - GaAs будет доминировать электрон-акцепторная рекомбинация. При более высоких температурах, по мере того, как все больше дырок возбуждается в валентную зону, будут наблюдаться и пик излучения зона-акцептор, и пик зона-зона. [10]

Как было указано выше, для полного использования фотопроводимости, связанной с уровнем 0 16 эВ, необходимо компенсировать все остаточные мелкие акцепторы. Однако получаемое таким образом устройство отнюдь не превосходит приемников, работающих на собственной фотопроводимости в той же области длин волн ( до - 6 мкм), и потому не имеет практического значения. [11]

К - концентрация V2, множитель 2 связан с двухэлектронным переходом между V0 и V2; N -, N - концентрация ионизованных мелких акцепторов ( атомов бора) и ионизованных глубоких доноров соответственно. [12]

Зависимость - концентрации свободных носителей заряда в слоях A. lxGai xAs от содержания AI в случае четырех типов атомов легирующей примеси. Количество легирующей молярной примеси в расплаве во всех случаях одинаково и равно 0 5 %. Слои выращены на подложках GaAs с ориентацией ( 100 при температурах от 810 до 840 С. [13]

Примеси S, Se, Те, Sn, Sn, Si, С и Ge являются мелкими донорами, a Zn, Be, Mg, Cd, Si, Ge и С - мелкими акцепторами в GaAs. Элементы IV группы периодической таблицы С, Si, Ge и Sn - амфотерны в GaAs, их электрическая активность в кристалле зависит от условий выращивания. Например, при температуре около 900 С атомы Ge замещают атомы As в узлах кристаллической решетки и проявляют себя как акцепторная примесь. Вблизи температуры плавления атомы Ge замещают Ga и ведут себя как доноры. Атомы Zn летучи и быстро диффундируют в кристалле, поэтому с их помощью несложно создать диффузионный переход, однако среди наиболее распространенных акцепторных примесей наиболее высокие времена жизни неравновесных носителей получены при легировании атомами Ge и Be. Наилучшей донорной примесью, по-видимому, является Те. Из-за низких коэффициентов диффузии атомов Ge и Те их вводят не после, а в процессе выращивания слоев. [14]

Впоследствии были изготовлены резкие / 7-п-переходы путем диффузии фосфора, который дает мелкие акцепторы ( 0 06 эв) [42], в теллурид кадмия, легированный алюминием. [15]

Страницы: 1 2