Cтраница 1
Использование переходов от уравнения к совокупностям и системам позволяет разнообразить схемы равносильных переходов. [1]
Использование перехода р - n типа в легированных полупроводниках лежит в основе всех электронно-оптических устройств для волоконной оптики. Как лазеры, СИД, фотодиоды, так и другие полупроводниковые приборы, такие, как диоды и транзисторы, используют р - n переход. Остановимся вначале на основных принципах работы этого перехода, а затем рассмотрим работу СИД и лазеров. [2]
Использование переходов сложной конфигурации позволяет увеличить крутизну до 2 А / В ценой резкого снижения рабочей частоты. Для МОП-транзисторов усилительные свойства зависят также от толщины диэлектрика; этот же фактор влияет на энергетические и частотные свойства в противоположном направлении. Тем не менее в эксплуатации начинают использоваться мощные низкочастотные транзисторы на рабочие напряжения до сотен вольт и токи в несколько ампер. [3]
Однако использование ионных переходов связано с большими практическими трудностями и возможно только в том случае, когда ионы составляют заметную долю общего числа частиц в трубке. Следовательно, плазма разряда должна быть высокоионизированной. Это достигается применением дугового разряда, и, кроме того, для увеличения плотности тока разрядная трубка берется малого диаметра. Обычно это капилляр диаметром 1 - 5 мм. [4]
Примером использования перехода водорода между 1 5-атомами углерода с синтетическими целями служит реакция Гофманн-Лоффлера. [5]
МК-генератор с использованием перехода полупроводникового материала в проводящее состояние / / Прикл. [6]
Схема двухсекционного многополюсного МУ на коротких отрезках.| Частотная зависимость КСВН входа при различном числе выходов. [7] |
Двухсекционное МУ с использованием немонотонного перехода данного типа приведено на рис. 8.8. Эквивалентная схема МУ при синфазном режиме возбуждения аналогична схеме рис. 8.7, а и отличается числом секций и волновыми сопротивлениями отрезков линий. [8]
В плоской термоэлектрической батарее перспективно использование электроизоляционного теплокон-тактного перехода между металлической поверхностью и покрытием из алунда ( А1гО3), плазменно напыляемого на стальную подложку ( такое покрытие имеет высокую термостойкость и. [9]
Использование вспомогательной конечной памяти эквивалентно использованию переходов по значению маркеров с рекурсивной их передачей. Добавление маркеров может повысить функциональную мощность некоторых классов преобразователей. [10]
Приборы отопления, основанные на использовании перехода сопротивления проводников в тепло, называются реостатными приборами. [11]
Именно отсутствие структурности, связанное с использованием переходов и меток, вызывает возражения. В этой связи заслуживает внимания тот факт, что в больших программистских проектах, где много разных людей пишут программы, а также используют и хранят программы, написанные другими, обычно устанавливаются строгие правила на применение инструкций перехода, так что получающиеся программы достаточно структурны, хотя возможность использовать инструкции перехода все же остается. [12]
Удачная кинематическая схема двухступенчатого прессования получается при использовании двойного перехода в коленорычажном механизме через мертвую точку. [13]
Измерения затухания и рассеяния были проделаны в 3-сантиметровом диапазоне с использованием волноводно-полоскового перехода, показанного на фиг. [14]
Диалоговое окно Параметры с открытой вкладкой Система, открытой панелью Настройка цвета фона для моделей. [15] |