Использование - подложка
Cтраница 2
Миниатюризация достигается за счет функционального объединения элементов и использования подложки в работе микросхемы. [16]
Лучшее приставание к основе гидрофильной пленки достигается при использовании подложки, состоящей из пластицированного на вальцах эластомера и алкоголята титана. [17]
Заслуживает внимания вопрос о постоянстве плотности зародышей при использовании однотипных подложек. В связи с этим полезно вспомнить влияние поверхностных дефектов на механизм образования зародышей. Гаррис и Болл [36] и Лоллес [38] обратили внимание на то, что при окислении металлов число зародышей окислов имеет такой же порядок, что и число линейных дислокаций, оканчивающихся на поверхности. Это число изменяется, если в кристалл металла ввести добавочные дислокации. Авторы также установили значительное влияние остаточных газов да количество и скорость роста зародышей окислов. [18]
Наиболее эффективные приборы [43] получают методом химического осаждения из паровой фазы при использовании графитовых подложек с покрытием из GaAs. Подложка из графита эффективно отводит ток от слоя GaAs, а на границе раздела GaAs и InP образуется омический контакт с низким переходным сопротивлением. [19]
ПТФЭ ( или воздухом) равна практически нулю, тогда как при использовании высокоэнергетических подложек ( ртуть, CaF2, золото) она достигает 90 % и более. [21]
С точки зрения допустимой мощности рассеяния толстопленочная технология лучше тонко пленочной, особенно при использовании подложек из окиси алюминия и бериллия. [22]
Другие механические свойства, такие как твердость, ползучесть, усталость и упругие константы - при использовании подложек не имеют первостепенного значения. [23]
Дифракционная картина, соответствующая монокристаллу, получена только для железных пленок, осажденных на NaCl; при использовании других подложек, как правило, наблюдались рефлексы в виде дуг от кристаллов с несколькими ориентациями одновременно. Аналогичные результаты получены Шираи при изучении структуры хромовых [103] и молиб деновых [104, 105] пленок. [25]
Специально проведенные эксперименты по контролируемому выращиванию с последующим определением положения р - тг-перехода показали, что при использовании механически полированных подложек величина переходных слоев значительно превосходит расчетную по процессу диффузии и имеет значительный разброс. При использовании газового травления на первой стадии процесса толщина переходного слоя хорошо описывается на основе термодиффузии примеси из подложки. Эти результаты иллюстрируются рис. 2, на котором сопоставлены рассчитанные и экспериментально определенные переходные слои для подложек, обработанных различным способом. [26]
 |
Перенос примеси As76 через газовую фазу. [27] |
Гроув и др. [151] также подтвердили, что обычная твердофазная диффузия обеспечивает наблюдаемый экспериментально уровень автолегирования, в частности при использовании подложек с примесями бора и сурьмы. [28]
Выше ( § 10) было показано, что при работе полупроводникового тензодатчика на детали из материала с низкой теплопроводностью или при использовании подложек необходимо снижать протекающий через датчик ток или переходить на импульсное питание. Последний способ является предпочтительным, так как позволяет существенно повысить чувствительность измерительной схемы. [29]
Чтобы получить необходимые светорассеивающие свойства или декоративный рисунок, такие пленки дополнительно обрабатывают на специальном оборудовании, например, способом термовакуумного формования с использованием различных подложек. Необходимые светорассеивающие свойства и цвет обеспечиваются введением наполнителей и пигментов, образующих на поверхности материала при каландровании свальцованной смеси при пониженной температуре бугорки-линзочки. Вальцованную смесь каландруют в пленку при температуре 80 - 85 С, что обеспечивает необходимую структуру материала. Последний обладает повышенной жесткостью, что позволяет применять его для изготовления безкаркасных рас-сеивателей. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5