Использование - соотношение - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Русский человек на голодный желудок думать не может, а на сытый – не хочет. Законы Мерфи (еще...)

Использование - соотношение

Cтраница 1


Использование соотношения ( II - 11) базируется на различных удовлетворительных по точности и относительно простых алгебраических формулах, выражающих зависимость между пу и х; наиболее широко известны уравнения Маргу-леса и ван Лаара; существует также много других.  [1]

Использование соотношения между скоростью роста трещины и размахом коэффициента интенсивности напряжений в виде ( 235) позволило накопить большой массив экспериментальных данных, перейти к инвариантной КДУР и определять инвариантные к внешним факторам характеристики циклической трещиностойкости.  [2]

Использование соотношения (8.6) весьма трудоемко, и для определения входящих в него постоянных требуется большое количество экспериментальных данных. Качественно, однако, применение этой теории можно проиллюстрировать, обращаясь опять к рис. 8.2, на котором изображена зависимость поврежденное D от отношения числа циклов n / N для трех различных уровней напряжения. Рассмотрим, например, две последовательности приложения напряжений G. Во второй последовательности сначала до n / N 0 5 действует напряжение а3, а затем до разрушения - напряжение аг.  [3]

4 Поправочные коэффициенты М к Л / 2 для полуэллялткческой поверхностной трещпны. [4]

Использование соотношения (32.7) при / / ( 2с) 0 33, 0 / о 2 0 8 и определяемом из рис. 15.13 значении Q 1 7 дает 1С 234 мм. Эта глубина значительно превышает толщину, и, следовательно, поверхностная полуэллиптическая трещина прорастает па всю толщину еще в докрптическом состоянии и критической будет сквозная трещина, рассмотренная в первом варианте.  [5]

Использование соотношений (9.90) для практических целей можно считать оправданным, если вспомнить предположения, на которых основана рассматриваемая теория тонких оболочек. Однако соотношения (9.88) используются для теоретических построений, поскольку этот выбор согласуется с результатами, полученными из принципа виртуальной работы или принципа минимума потенциальной энергии.  [6]

Использование соотношений (1.177), (1.178), а также других указанных выше пренебрежений значительно упрощает как вывод уравнений теории пологих оболочек, так и их окончательный вид.  [7]

Использование соотношений (4.102) позволяет при определении произвольных постоянных решать, no - существу, систему уравнений второго порядка, а не четвертого, как это приходилось делать, когда использовались формулы в том виде, как они представлены в первой части раздела.  [8]

Использование соотношений (4.112) значительно упрощает процедуру удовлетворения граничным условиям, особенно при расчете составных оболочек, что будет многократно демонстрироваться как в этой, так и в последующих главах книги.  [9]

Использование соотношения ( 7 - 3) при пустимо при медленных изменениях переменных Qflo и Мяо, отвечающих установившемуся режиму работы. Такие условия работы реализуются, например, при отработке гармонических входных сигналов СП с большим периодом или при слежении с постоянной скоростью.  [10]

Использование соотношений (3.3.61), (3.3.62) вместо (3.3.39) позволяет записать постановку задачи (3.3.31) - (3.3.39) в виде, не содержащем отрицательных степеней тензоров и функций, входящих в решение.  [11]

12 Поправочные коэффициенты М и Л / 2 для полуэллиптической поверхностной трещины. [12]

Использование соотношения (32.7) при 1 / ( 2с) 0 33, а / а0) 2 0 8 и определяемом из рис. 15.13 значении ( 21 7 дает 1е 234 мм. Эта глубина значительно превышает толщину, и, следовательно, поверхностная полу эллиптическая трещина прорастает на всю толщину еще в докритическом состоянии и критической будет сквозная трещина, рассмотренная в первом варианте.  [13]

Использование соотношения (3.60) и теории возмущений, зависящих от времени ( [32], § 40), позволяет найти значения индуцированных внешним полем величин рассматриваемых мульти-полей.  [14]

15 Осциллограммы импульсов АЭ. пегиг-рируемда при выходе упругого двойника на поверхность кристалла. а - датчик 1 ( масштаб шкалы по оси абсцисс 500 мкс / дел., б - датчик 2 ( масштаб шкалы по оси абсцисс 200 мкс / деЛ. Расположение датчиков показано на. [15]



Страницы:      1    2    3    4