А-параметр

Cтраница 3

Такая форма записи уравнений четырехполюсника называется системой уравнений четырехполюсника с А-параметрами. [31]

Электронная лампа как четырехполюсник чаще всего характеризуется V - или А-параметрами. [32]

При изменении направления передачи энергии через четырехполюсник во всех выражениях, включающих А-параметры, коэффициенты А1Х и А2г меняются местами. [33]

При изменении направления передачи энергии через четырехполюсник во всех выражениях, включающих А-параметры, коэффициенты АЦ и А 22 меняются местами. [34]

Определение малосигнальных параметров по статическим характеристикам транзистора осуществляется наиболее просто для системы А-параметров. Для этого необходимо прежде всего выполнить графически условия, при которых определяются параметры: провести через заданную рабочую точку линии, параллельные осям координат и соответствующие, таким образом, условию постоянства тех или иных токов и напряжений. Второму условию постоянства тока или напряжения отвечает сама характеристика. [35]

Зв) Применяя к решению фо О преобразование Бэклунда дважды ( с различными комплексными а-параметрами), найти действительные зависящие от времени решения уравнения синус - Гордона. Проверить, что это действительно решения, прямой подстановкой в уравнение синус - Гордона. [36]

Но эти величины можно также определить из физических соображений, сопоставляя их с А-параметрами. [37]

Схема измерения обратного тока коллектор - эмиттер ( полярности указаны для р-п - р транзистора.| Схема измерения / i-параметров транзисторов. [38]

В этом разделе приводятся краткие сведения об измерении обратного тока коллектор - эмиттер, А-параметров, емкостей коллекторного и эмиттерного переходов, временных параметров. [39]

Так как транзисторы обоих каскадов однотипны и имеют оди - паковые эмиттерные токи, их А-параметры равны. [40]

В главе 2 было показано, что для измерений в кристаллических триодах наиболее удобными являются А-параметры. Поэтому большой интерес представляют соотношения для параметров трех основных усилительных схем, выраженные через А-параметры. Поэтому / z - параметры для этой схемы приняты в таблице 3.2 за основные, через которые выражены соотношения для других схем включения. В таблице 3.2 также приведены выражения для А-параметров, г-параметров и у-параметров через / г-параметры схемы с. [41]

Следует отметить, что найденные общие выражения (5.8), (5.10) и (5.12) соответственно для Z -, Y - и А-параметров содержат 12 параметров. Поскольку используют три схемы включения транзистора ( ОБ, ОЭ, ОК), то возможно существование 36 параметров. [42]

Следует отметить, что наиденные общие выражения (5.8), (5.10) и (5.12) соответственно для Z -, У - и А-параметров содержат 12 параметров. Поскольку используются три схемы включения транзистора ( ОБ, ОЭ, ОК), то возможно существование 36 параметров. Чтобы отличать системы параметров по схеме включения транзистора, делают индексную приписку к данному параметру. Например, Ацб - означает входное сопротивление транзистора, включенного по схеме с ОБ. [43]

Все задачи в этой главе и их решения предусматривают выбор положительных направлений токов и напряжений в соответствии с рис. 6.1, а для А-параметров, с рис. 6.1, б для Y -, Z -, Н -, G-параметров и с рис. 6.1, в для В-па-раметров. [44]

В справочной литературе обычно даются также пересчетные формулы, с помощью которых по известным / i-параметрам для схемы транзистора с общим эмиттером можно получить А-параметры для схемы транзистора с общей базой или с общим коллектором. [45]

Страницы: 1 2 3 4