Cтраница 1
Квазиимпульсы электронов расположены вблизи ферми-поверхности и в этом смысле от температуры практически не зависят. Но при низких температурах становятся малыми квазиимпульсы фононов, в связи с чем процессы переброса могут оказаться затрудненными. В этом отношении ситуация существенно различна в случаях закрытых и открытых ферми-поверхностей. [1]
Квазиимпульс электрона не изменяется при движении в поле идеальной решетки, его изменение может произойти только под влиянием непериодической части потенциального поля. Это означает, что рассеяние электронов происходит на любых нарушениях идеальной структуры решетки, возникающих из-за тепловых колебаний ( газа фононов), дефектов решетки ( дислокации, вакансии, примесные атомы), отклонения от периодичности самосогласованного потенциала электронов. [2]
Что такое квазиимпульс электрона в кристалле и чем он отличается от импульса свободной частицы. [3]
Изменение же квазиимпульса электрона совпадает с квазиимпульсом фонона. [4]
Следовательно, изменение квазиимпульса электрона при столкновении с фононом происходит на малую часть всего квазиимпульса. Происходит как бы двумерная диффузия вектора квазиимпульса электрона по поверхности Ферми. Для оценки коэффициента диффузии надо воспользоваться формулой (41.13), которая относится к случайным блуждениям любого рода. Если k изменяется W раз в секунду, то скорость его изменения есть h f W. Это следует из задачи 3 § 4, так как при 6; бд интеграл дающий число фононов, распространяется до бесконечности. [5]
Точнее, изменение квазиимпульса электрона в единицу времени равно силе, действующей на электрон со стороны приложенного поля. Стационарный процесс был бы невозможен, если бы электроны не отдавали приобретенный от поля квазиимпульс. [6]
Это - время, за которое квазиимпульс электрона меняется на величину порядка его самого. [7]
Обозначим по-прежнему через Р1 и Р2 квазиимпульсы электрона соответственно до и после перехода. На основании дисперсионного соотношения между энергией фонона и его волновым числом, которое следует из вида спектра коле-баний решетки ( см. гл. [8]
Это - время, за которое квазиимпульс электрона меняется на величину порядка его самого. Другими словами, за время т электрон должен продиффундировать вдоль ферми-поверхности на расстояние - рр. [9]
При поглощении фотона в результате прямого перехода квазиимпульсы электрона и дырки равны, и их кинетические энергии при этом обратно пропорциональны эффективным массам. Когда кинетическая энергия одной из частиц достигает величины, равной ширине запрещенной зоны, то горячий носитель заряда может отдать свою энергию на образование дополнительной пары свободных электрона и дырки. Если т тр, то граница роста квантового выхода должна лежать в области йсо я ЗД. [10]
Правая часть обратится в нуль в силу сохранения суммарного квазиимпульса электронов и фононов в отсутствие процессов переброса. [11]
Так как изменение энергии взаимодействия, связанное с изменением квазиимпульса электронов dNi ( i, k), учтено в Aei ( ( j, k), Ae: ( fx, k) включает изменение энергии взаимодействия, связанное только с переменой направления спина этих электронов на обратное и увеличением общего числа электронов со спином вверх. [12]
В отличие от истинного импульса, величина ftk носит название квазиимпульса электрона в кристалле. [13]
Отсюда, в частности, видно, что в периодическом поле квазиимпульс электрона p - hk играет в уравнении движения (4.23) роль импульса свободного электрона. [14]
Поскольку энергия Ez электрона согласно (78.14) может быть любой, то и квазиимпульс электрона не ограничивается никакими правилами отбора. [15]