Cтраница 3
Выход арсина при разложении арсенидов натрия и кальция водой сравнительно низкий. Металлический натрий растворяют в жидком аммиаке, добавляют мышьяк и после его растворения сухой бромид аммония. [31]
Таким образом, образование арсенидов ряда металлов, обнаруженное в работах с ртутным капающим электродом, нашло практическое применение для определения мышьяка методом инверсионной вольтамперометрии. [32]
Фосфид индия наряду с арсенидом галлия может считаться одним из самых перспективных полупроводниковых материалов для практического применения. Но InP, почти не уступая арсениду галлия по ширине запрещенной зоны и подвижности носителей тока, обладает некоторыми преимуществами. Так, температура плавления InP ниже температуры плавления арсенида галлия, что важно в технологии выращивания монокристаллов. Не следует забывать и экономические соображения. Если распространенность индия и галлия приблизительно одинакова, то земная кора содержит фосфора в 250 раз больше, чем мышьяка. [33]
В кн.: Кристаллические структуры арсенидов, сульфидов, арсеносульфидов и их аналогов. [34]
Серную кислоту используют для растворения арсенидов, сульфидов мышьяка и сурьмяных руд. Оксиды Sbv ( V) восстанавливаются под действием серной кислоты. При выпаривании чистого Sb2O5 с серной кислотой сурьма ( V) не восстанавливается. [35]
Никелевые шпейзы, т.е. смеси арсенидов; в настоящее время не представляют большого коммерческого значения. [36]
Окислительный обжнг с целью перевода арсенидов в арсенаты и антимо-нидов в антимонаты. [37]
Описано получение арсина при гидролизе арсенидов: натрия [118, 119], магния [107, 120, 121], кальция [120, 121], цинка [21, 122, 123], алюминия [27] и других металлов. Разложение арсенидов водой приводит, наряду с образованием арсина, также и к образованию высших арсинов и значительных количеств водорода. Наиболее удобно применять арсениды цинка и алюминия. [38]
Помимо первичных процессов окисления сульфидов и арсенидов, выгорания флотореагентов и испарения влаги, при обжиге протекают и другие вторичные процессы с участием твердых, жидких, газообразных продуктов обжига и исходных соединений. На возможность таких процессов оказывают большое влияние условия обжига - температура, время, перемешивание, высота слоя концентрата. Условия обжига в значительной мере определяются принципом работы и конструкцией печи. Большую, роль при этом, в частности, играют условия, которые изменяют поверхность соприкосновения компонентов между собой и с воздухом, вызывают переход одного или нескольких компонентов в новое агрегатное состояние, образовывают новую фазу на межфазных поверхностях раздела. В зависимости от этого изменяются скорости реакций. Например, образование новой твердой фазы на поверхности раздела твердый MoS2 - воздух может приостановить дальнейшее окисление сульфида. [39]
Что-касается тройных нитридов, фосфидов, арсенидов и анти-монидов, то в литературе также почти полностью отсутствуют сведения о получении их при помощи газотранспортных реакций. [40]
Кобальт в природе встречается в виде арсенидов - смальтита или шпейсового кобальта CoAs2, скуттерудита CoAss, саффлорита ( Со, Fe) As2, сульфидов-линнеита Со354, кобальтпирита CoS2: карбоната - сферокобальтита СоСО3, сульфата - биберита CoSCUX Х7Н20 и других соединений. [41]
Контакт материала истока и стока с полупроводниковым арсенидом галлия и-типа омический невыпрямляющий, а между затвором и GaAs возникает потенциальный барьер, приводящий к образованию обедненной области под затвором. [42]
Здесь достаточно упомянуть книги Г. Б. Бокия Кристаллические структуры арсенидов, сульфидов, арсеносульфидов и их аналогов [ Новосибирск, СО АН СССР ( 1964) ], К. [43]
При выращивании монокристаллов разлагающихся полупроводниковых соединений типа арсенидов и фосфидов элементов III группы, когда процесс проводится в герметичной и термостатированной при высокой температуре аппаратуре, для легирования из газовой фазы могут успешно использоваться легирующие примеси в элементарном состоянии. В этом случае высокая температура стенок рабочей ампулы обеспечивает достаточно высокую упругость паров легирующей примеси в рабочем пространстве, а следовательно, и в кристалле. [44]
В качестве тигельного материала при выращивании кристаллов арсенидов и фосфидов индия и галлия могут быть использованы плавленый кварц, стекло-углерод, а также нитриды алюминия или бора. Однако свойства нитридов в контакте с расплавами полупроводников изучены еще недостаточно полно, а технология изготовления высокочистых изделий из этих материалов до сих пор не разработана. [45]