Cтраница 2
Особенно хорошие условия зрительного различения знаков, составленных из светоизлучающих диодов, при экономии потребляемой мощности обеспечиваются в случае мультиплексного управления индикатором: при равном среднем токе более ярким кажется изображение на индикаторе из светоизлучающих диодов при импульсном возбуждении, чем при непрерывном. Такая закономерность квантовой эффективности индикатора является свойством материала - арсенид-фосфида галлия. [16]
Выпускается несколько типов светодиодов: индикаторные, импульсные и инфракрасные излучатели. Основными материалами для источников света являются фосфид галлия и тройные соединения элементов групп III и V, в том числе арсенид-фосфид галлия и арсенид галлия-алюминия. Кроме того, светоизлучающие диоды изготовляются из GaAs, покрываемого тонким слоем люминофоров, преобразующих инфракрасное излучение в видимое. [17]
В настоящее время газовая эпитаксия в промышленных масштабах применяется главным образом в производстве структур арсенида галлия, используемых для изготовления полевых транзисторов и диодов Ганна, а также твердых растворов арсенид-фосфид галлия ( д: л 0 40), применяемых для изготовления дискретных светодиодов и знаковых индикаторов красного цвета свечения. Принципиальные схемы процессов получения эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений и их твердых растворов с использованием этих реакций показаны на рис. 6.17 на примерах арсенида галлия и твердого раствора арсенид-фосфид галлия. [18]
Наличие больших мощностей возбуждения приводит к перегреву кристалла. Для уменьшения перегрева импульсы тока подаются кратковременными посылками от миллисекунд до микросекунд, а кристалл охлаждается. В качестве активного вещества могут быть использованы также арсенид-фосфид галлия, фосфид галлия и арсенид индия. [19]
В настоящее время для создания полупроводниковых ОКГ ис пользуются только такие материалы, в которых вследствие специфической структуры границ энергетических зон возможны прямые переходы. Германий и кремний не удовлетворяют этому условию. Практическое применение находят различные соединения галлия, индия, свинца, кадмия ( например, арсенид галлия), а также бинарные соединения: арсенид-фосфиды индия и галлия, селенид-сульфид кадмия и др. У этих кристаллов экспериментально измеренные длины волн вынужденного излучения заключены в пределах от 0 33 до 8 6 мкм. [20]
Излучающие диоды ( светодиоды) предназначены для преобразования электрической энергии в энергию электромагнитного излучения инфракрасного ( И К) или видимого диапазона. Действие их основано на явлении электролюминесценции. Избыточные носители заряда, за счет рекомбинации которых возникает излучение, создаются инжек-цией прямым током через р-л-переход. Изготовляют излучающие диоды на основе фосфида галлия, арсенид-фосфид галлия и арсенид-галлии алюминия различного состава, карбида кремния. Значительная часть актов рекомбинации является безызлучательными, и поэтому коэффициент полезного действия ( отношение энергии излучения к расходуемой электрической энергии) невелик - доли и единицы процентов, лишь для арсенидно-галлиевых излучателей - до десятков процентов. [21]
В фотоаппаратах наиболее совершенных моделей управляющая ИС, обрабатывая поступающие сигналы и ориентируясь на определенные установки, вводимые фотографом и задающие чувствительность пленки и режим съемки, вычисляет значения расстояния до объекта, освещенность и диафрагму. Кроме того, схема генерирует коммутационные импульсы, которые, воздействуя на шаговые электродвигатели или электромагниты, обеспечивают установку правильных величин. Благодаря этому обеспечивается весьма высокая степень автоматизации работы фотоаппарата. Достаточно направить объектив на объект съемки, нажать на спуск-и можно не сомневаться, что будет получен снимок, качество которого с точки зрения резкости и правильной экспозиции удовлетворит самого взыскательного критика, чего вряд ли удалось бы добиться при ручной установке выдержки, диафрагмы и наводке на резкость. Автоматизация операций управления достигается путем использования не только микроэлектронной схемы. Электронная ИС является мозговым центром этого управляющего устройства. Эта схема состоит из двух частей - аналоговой и цифровой. Яркость объекта съемки ( освещенность) измеряется с помощью фотоэлемента из арсенид-фосфида галлия. Помимо чувствительности фотопленки в аппарат необходимо вручную ввести также значение диафрагмы. По этим данным ИС вычисляет экспозицию и выдает результат на шкалу индикатора, выполненного из 16 светоизлучающих диодов. Наводка на резкость производится вручную. [22]