Сильная зависимость - величина
Cтраница 1
Сильная зависимость величины, а иногда и знака вращения от внешних условий существенно затрудняет установление закономерностей, количественно связывающих оптическую активность с химическим строением. В то же время именно эта чувствительность оптического вращения к влиянию внешних условий может быть использована для изучения влияния различных факторов на оптически активное вещество. [1]
Сильная зависимость величины диэлектрической проницаемости от температуры в областях, близких к точке Кюри, наблюдающаяся у некоторых сегнетоэлектриков, позволяет применять вариконды для измерения температур. [2]
Сильную зависимость величины катодной поляризации от рН некоторые исследователи [328-330] связывают с разрядом различных комплексных анионов. [3]
 |
Зависимость времени восстановления пробивной прочности тиратронов ТХЗБ и ТХ6Г ( при управлении по сетке считывания от потенциала управляющей сетки. [4] |
В тиратронах с сильной зависимостью величины tBa от сеточною напряжения ( в частности, в лампе ТХ6Г при управлении по сетке считывания) сопротивление Rc4 следует выбирать не более 0 5 Мом. При этом напряжение на сетке лампы в период проводимости возрастает сравнительно немного. [5]
Термоградиентное течение вызывается сильной зависимостью величины поверхностного натяжения жидкости от температуры, в результате чего во внутренних зонах материала, где температура ниже и поверхностное натяжение больше, величина капиллярного давления превышает таковое для приповерхностных зон влажного материала, что и приводит к перемещению жидкой фазы в капилляре. [6]
 |
Заряды, возникающие в окисной пленке на кремнии. [7] |
Рассмотрим физические причины такой сильной зависимости величин параметров от условий на поверхности кристаллов. [8]
Приборы, основанные на сильной зависимости величины сопротивления полупроводника от температуры, называются терма-сторами. [9]
Собственные индуктивность и емкость приводят к сильной зависимости величины сопротивления от частоты, что недопустимо для сопротивлений, включаемых в колебательные контуры. Непроволочные сопротивления имеют ничтожно малую индуктивность и достаточно малую ( до 0 5 пф) емкость, которые можно не принимать во внимание вплоть до самых высоких частот. Проволочные сопротивления могут иметь большие собственные индуктивность и емкость. При использовании этого типа сопротивлений в колебательных контурах применяют специальные способы намотки, позволяющие значительно снизить собственные их индуктивности и емкости. [10]
В первую очередь обращает на себя внимание сильная зависимость величины а о от концентрации примесей. [11]
Дайн и Денхартог [73] нашли в алифатических системах сильную зависимость величин gi ( D2) от природы растворителя; например, растворы циклогексана - 12 дают величину gi ( D2), равную 2 6 в пен-тане, ко только 0 28 в н-декане. Поэтому значения gi ( D2) или gi ( H2), даже когда сравниваются сходные растворители, нельзя рассматривать как важные, широко применимые константы. Анализ кинетики показывает, что сильно различающиеся реакции, например перенос возбуждения, ионно-молекулярные реакции, действие слабо возбужденных электронов, могут отвечать формальной кинетике, описывающей наблюдаемую зависимость от растворителя. Однако соответствующие трудности не были обнаружены для бензола-йв в различных ароматических растворителях. Это наводит на мысль, что найденная здесь величина g i ( D2) не зависит от природы смеси. Соответствующие измерения для толуола отсутствуют ( так как димерные продукты из толуола, например бензй. [12]
В опытах, проведенных Мучником [119], была показана сильная зависимость величины заряда от интенсивности разрушения капли. [13]
В последние годы, однако, развилась новая область полупроводниковой техники, основанная именно на сильной зависимости величины сопротивления полупроводника от температуры. Мы имеем в виду термочувствительные сопротивления, или, как их кратко называют, термосопротивления. [14]
Рассмотренные экспериментальные данные о факторах, лимитирующих Hi, важны потому, что они объясняют необычайно сильную зависимость величин ЯС2 карбидов и нитридов от состава ( рис. 115 и 116), а также причину их увеличения в тонких нитрид-ных пленках. Таким образом, фазы с высокими значениями Нс, нужно искать среди карбидов и нитридов не только с высокими Тс, но и с большими Y и ро. [15]
Страницы: 1 2 3