Сильная зависимость - величина
Cтраница 2
Учитывая качественный характер ранее полученных данных и отсутствие термостатирования в опытах Гринберга и Никольской, мы можем прийти к бесспорному выводу о сильной зависимости величины периода полуобмена в K2 [ PtBr4 ] от общей концентрации обменивающихся атомов. Эта зависимость, по-видимому, близка к требующейся для бимолекулярной реакции. [16]
Для того чтобы свести к минимуму неэлектростатические эффекты и сделать конформацию молекул тРНК менее жесткой, хроматографию осуществляют на обменнике с декстрановой основой в присутствии высокой концентрации мочевины. Найденная сильная зависимость величины Rf от концентрации соли весьма характерна для длинных полиапионов, имеющих сходные по длине цепи. [17]
 |
Зависимости величины полной бикогерентности Ь ( х от координаты, построенные при различных частотах гармонического сигнала. Кривая 1 соответствует частоте / о. 2 - Д. 3 - / 2. [18] |
В основу диагностики пространственно-временных структур была положена сильная зависимость величины полной вейвлетной бикогерентности колебаний в системе и гармонического сигнала с частотой, соответствующей тому или иному характерному временному масштабу динамики системы, от координаты пространства взаимодействия. [19]
 |
Зависимости входной емкости и входного сопротивления от тока эмиттера ( на частоте 100 Мгц. [20] |
В области малых токов АЛЭ слабо зависит от напряжения на коллекторе. Для работы в режиме обратной АРУ более подходящей является высоковольтная область ( 10 - 15 в), так как в этой области транзистор имеет больший коэффициент усиления и сильную зависимость величины Й21э от тока. [21]
Ряд данных по е из работ [43, 117, 118] ( данные для относительно жестких нитроксильных радикалов) приведен на рис. IV.4. Примеры спектров приведены на рис. IV.5. Как видно из рис. IV.4, для всех радикалов, кроме наименьшего по размеру, величины е не меняются с температурой и при смене растворителя. Это свидетельствует о том, что их степени несферичности также постоянны, что соответствует модели гидродинамического вращения. Довольно сильная зависимость величин е для радикала AIII свидетельствует о зависимости степени несферичности этого радикала от температуры, что уже не согласуется с гидродинамической моделью вращения. [22]
 |
Зависимость заряда помехи у различных линейных 1 ГГ-ключей от напряжения управляющею сш нала. / ПТ с р / ( - переходом. 2 - КМОП-ключ ич семейства DG400. J-КМОП-ключ из семейства DG200. [23] |
На рис. 3.49 приведены для сравнения кривые переноса заряда для трех типов аналоговых ключей, в том числе и ключа на ПТ с р - - переходом. Для последних существует сильная зависимость величины динамической помехи от сигнала, поскольку диапазон изменения напряжения затвора пропорционален разности между уровнем сигнала и уровнем - 15 В. [24]
Диэлектриком у этих конденсаторов служит тонкий слой окиси металла, отложенный электрохимическим способом на одной или обеих обкладках конденсатора. Существенными недостатками их являются большой ток утечки, сильная зависимость величины емкости от температуры и сравнительная недолговечность. В настоящее время выпускаются алюминиевые и танталовые электролитические конденсаторы с жидким электролитом, а также сухие и окисно-полупроводниковые танталовые конденсаторы. [25]
На рис. 6.47 приведены для сравнения кривые переноса заряда для трех типов ключей. Для ключа на ПТ с р - ; переходом существует сильная зависимость величины динамической помехи от сигнала, поскольку изменение напряжения затвора пропорционально разности между уровнем сигнала и уровнем - 15 В. [26]
Известно, что сильные электролиты подчиняются закону разбавления Оствальда только при высоких степенях разбавления ( до концентрации 2 - 10 - 4 моль / л) и имеют постоянную константу диссоциации. В более концентрированных растворах закон разбавления не действует. Исследование свойств водных растворов S02 методами электропроводности, растворимости и криоскопии позволило обнаружить существенное отклонение от данного закона [20], при этом установлено, что величина константы К в области концентраций 2 - 30 % SO. Сильная зависимость величины константы от концентрации объясняется диссоциацией образующихся молекулярных комплексов. [27]
Большие вариации в величинах ДЛ в случае молекулярного распада связаны с тем, что в активированном комплексе здесь участвуют, по крайней мере, две связи в исходных молекулах, а не одна, как это имеет место в реакциях радикалов. При этом энергия образования активированного комплекса чрезвычайно сильно зависит от взаимного геометрического расположения реагирующих групп, и уже одно различие расстояний между ними вызывает большую разницу в величине А для молекул разного строения. Более того, высота активацион-ного барьера зависит не только от свойств разрывающихся связей, но и от свойств образующихся связей в продуктах реакции. Все это приводит к сильной зависимости величины Е0 от химического строения исходных и конечных молекул. Квантово-механические расчеты величины Е0 крайне ненадежны, и для того, чтобы разобраться в вопросе о зависимости энергий активации молекулярных реакций, необходим большой экспериментальный материал. Для строгого анализа этого материала нужно быть уверенным, что определенные экспериментально энергии активации соответствуют первичному молекулярному распаду, а не являются энергиями активации брут-то-реакции, которые могут включить в себя реакции, протекающие по цепному механизму. [28]
Выше при обсуждении особенностей переноса энергии экси-тонами наличие границы кристалла было учтено лишь однажды, а именно в гл. В диффузионном приближении влияние границы характеризуется скоростью поверхностной аннигиляции экситона v ( см. ( 6.1 а)), являющейся некоторой феноменологической величиной, для расчета которой требуется выход за рамки диффузионного приближения. Однако независимо от этого обстоятельства, которое подчеркивалось и ранее, наиболее интересным моментом, возникающим в связи с влиянием поверхности кристалла ( или же границы раздела сред)) на диффузию и время жизни экситонов, является сильная зависимость величины v от электронной структуры приповерхностного слоя молекулярного кристалла, а также от электронной структуры среды, с которой молекулярный кристалл граничит. Особенно интересным в этой связи является изучение различных физических явлений, возникающих на границе молекулярный кристалл-металл или узкозонный полупроводник. В этом случае экситоны в области границы двух сред могут гибнуть, взаимодействуя с континуумом состояний электронов проводимости. Анализ возникающих при этом эффектов важен не только для физики экситонов, но представляет и более широкий интерес в связи с некоторыми тенденциями развития современного материаловедения. [29]
Этот процесс последовательных рассеяний частицы ядрами, мимо которых она движется, называется процессом многократного кулоновского рассеяния. Разумеется, проследить за всеми деталями этого процесса экспериментально невозможно. Из предыдущего ясно, что угол многократного рассеяния тем больше, чем меньше ( при прочих равных условиях) масса частицы. Так, например, след медленного электрона в фотоэмульсии из-за многократного рассеяния имеет существенно извилистый характер, в то время как след протона такой же скорости практически прямолинеен я для обнаружения эффекта многократного рассеяния нужны специальные очень точные измерения. Сильная зависимость величины угла многократного рассеяния от массы частицы может быть использована для ее определения. Для получения соответствующей формулы рассмотрим процесс многократного рассеяния более детально. [30]
Страницы: 1 2 3