Оксидно-полупроводниковый конденсатор

Cтраница 1

Схематическое устройство оксидно-полупроводниковых конденсаторов. а - с проволочным анодом, б - с объемно-пористым анодом. [1]

Оксидно-полупроводниковые конденсаторы обычно изготовляются на рабочие напряжения от 3 до 35 б емкостью от 0 033 до 1 мкф для конденсаторов с проволочными анодами и от 1 до 300 мкф для конденсаторов с объемно-пористыми анодами. [2]

Оксидно-полупроводниковые конденсаторы могут нормально работать в интервале температур от - 80 до 85 С. [3]

Оксидно-полупроводниковые конденсаторы с объемно-пористыми анодами изготовляются в диапазоне емкостей от 1 до 300 мкф. Конденсаторы этого типа отличаются отсутствием прослойки электролита между анодом и стенками корпуса. Хотя отношение формовочного напряжения к рабочему у этих конденсаторов в 2 - 3 раза выше, чем у электролитических, по удельным габаритным характеристикам они в среднем несколько лучше танталовых объемно-пористых электролитических конденсаторов и являются в настоящее время конденсаторами с наименьшим удельным объемом. [4]

Оксидно-полупроводниковые конденсаторы выпускаются на рабочие напряжения от 6 до 30 - 35 в для работы в интервале температур от - 80 до 85 С. [5]

Оксидно-полупроводниковые конденсаторы лишь условно можно отнести к группе электролитических конденсаторов, поскольку они не содержат электролита. [6]

Оксидно-полупроводниковые конденсаторы ( обозначение К53), В оксидно-полупроводниковых конденсаторах вторым электродом служит слой полупроводниковой двуокиси марганца МпО2, получаемый пиролитическим разложением раствора нитрата марганца. Конденсаторы этого типа по сравнению с электролитическими обладают повышенной надежностью, большим сроком службы и более широким интервалом рабочих температур. Основным типом таких конденсаторов являются конденсаторы с объемно-пористым анодом, спеченным из тантала, ниобия или алюминия. Для интегральных схем промышленностью выпускаются чип-конденсаторы, представляющие собой оксидно-полупроводниковые конденсаторы малых габаритных размеров, обычно в бескорпусном исполнении. В микроэлектронных пленочных схемах используются пленочные оксидно-полупроводниковые конденсаторы, в которых на напыленный тантал после анодного окисления реактивным напылением наносится слой двуокиси марганца. [7]

Оксидно-полупроводниковые конденсаторы по своим свойствам и характеристикам качественно отличаются от жидкостных и сухих электролитических конденсаторов. При этом уменьшается не только сопротивление Rn, но изменяется характер его зависимости от температуры и частоты. В результате этого в области низких температур тангенс угла потерь мало изменяется с температурой, в меньшей степени зависит от температуры емкость, частотные зависимости емкости и тангенса угла потерь выражены менее резко, а униполярный эффект проявляется слабее, чем в обычных элетролитических конденсаторах. По своим характеристикам оксидно-полупроводниковые конденсаторы приближаются к бумажным и к конденсаторам из полярных пленок. Промышленностью выпускаются оксидно-полупроводниковые конденсаторы алюминиевые, танталовые и ниобиевые. [8]

Твердые оксидно-полупроводниковые конденсаторы наиболее перспективны. Эти конденсаторы выпускают на номиналы 0 033 - 300 мкФ и рабочие напряжения 6 - 30 В. [9]

Зависимость емкости ( 1 и угла потерь ( 2 от частоты для пиобпового оксидно-полупроводникового конденсатора. [10]

Отечественные ниобиевые оксидно-полупроводниковые конденсаторы ( тип К53 - 4) изготовляются с емкостью от 0 47 до 100 мкф при Е / ш м 6 ч - 20 в для диапазона температур - 60 Ч - 85 С. [11]

Зависимость емкости, тангенса угла потерь и тока утечки от времени эксплуатации при 4 - 100 С для жидкостных тантало - вых электролитических конденсаторов емкостью 10 мкф на рабочее напряжение 90 в, испытанных при напряжении 70 в. [12]

В оксидно-полупроводниковых конденсаторах отсутствует электролит; через эти конденсаторы при эксплуатации проходят только электронные токи и в них не имеет места газовыделение. [13]

Вторичная формовка оксидно-полупроводниковых конденсаторов производится в два этапа. [14]

Рассмотренный механизм старения оксидно-полупроводниковых конденсаторов позволяет подойти к выбору режимов первичных и промежуточных формовок, а также режима тренировки готовых конденсаторов, при которых может быть повышен предел рабочего напряжения и расширен интервал рабочих температур. [15]

Страницы: 1 2 3 4