Оксидно-полупроводниковый конденсатор
Cтраница 3
В своей работе Фрайоли, исследуя зависимость емкости оксидно-полупроводниковых конденсаторов от времени старения в различных режимах по температуре и напряжению, установил, что в наиболее суровых режимах емкость, измеряемая при температуре, при которой производилось старение, сначала убывает, а затем стабилизируется. Измерение емкости при комнатной температуре на конденсаторах, проходивших старение в различных режимах, не обнаруживает существенных изменений. [31]
 |
Зависимость интенсивности отказов жидкостных танталовых конденсаторов от величины напряжения.| Зависимость интенсивности отказов жидкостных танталовых конденсаторов от температуры. [32] |
Эти авторы также указывают, что интенсивность отказов оксидно-полупроводниковых конденсаторов, в отличие от других конденсаторов, сильно зависит от сопротивления цепи, в которую они включены. [33]
Эта задача была успешно решена при помощи анодов оксидно-полупроводниковых конденсаторов специальной конструкции, приспособленных для монтажа на стандартную керамическую плату. [34]
Оксидно-полупроводниковые конденсаторы ( обозначение К53), В оксидно-полупроводниковых конденсаторах вторым электродом служит слой полупроводниковой двуокиси марганца МпО2, получаемый пиролитическим разложением раствора нитрата марганца. Конденсаторы этого типа по сравнению с электролитическими обладают повышенной надежностью, большим сроком службы и более широким интервалом рабочих температур. Основным типом таких конденсаторов являются конденсаторы с объемно-пористым анодом, спеченным из тантала, ниобия или алюминия. Для интегральных схем промышленностью выпускаются чип-конденсаторы, представляющие собой оксидно-полупроводниковые конденсаторы малых габаритных размеров, обычно в бескорпусном исполнении. В микроэлектронных пленочных схемах используются пленочные оксидно-полупроводниковые конденсаторы, в которых на напыленный тантал после анодного окисления реактивным напылением наносится слой двуокиси марганца. [35]
Именно вследствие этого отношение напряжения формовки к рабочему напряжению в оксидно-полупроводниковых конденсаторах значительно выше, чем в электролитических. [36]
Весьма малые габариты и хорошие характеристики в широком интервале температур делают оксидно-полупроводниковые конденсаторы наиболее перспективными для применения в схемах с полупроводниковыми приборами и в микромодульной аппаратуре. [37]
Благодаря малой толщине и низкому удельному сопротивлению двуокиси марганца, последовательное сопротивление оксидно-полупроводниковых конденсаторов мало, что определяет необычайно малую температурную и частотную зависимость емкости и тангенса угла потерь этих конденсаторов, по сравнению с другими электролитическими конденсаторами. [38]
Качественным скачком в развитии оксидных конденсаторов явилось создание в конце 50 - х годов оксидно-полупроводниковых конденсаторов ( другое название: твердые электролитические конденсаторы), в которых жидкий или пастообразный электролит заменен полу проводником-обычно двуокисью марганца. На поверхность оксидированного вентильного металла последовательно наносятся три слоя: полупроводник слой углерода, слой легкоплавкого металла или серебряной пасты. Второй и третий слои нужны для подведения тока к полупроводнику, выполняющему роль второй обкладки в конденсаторе. [39]
Возможности увеличения емкости С также ограничены: при больших расчетных значениях С используют электролитические или оксидно-полупроводниковые конденсаторы, стабильность которых невысока, а сопротивление утечки невелико. Выход из создавшегося положения заключается в использовании электронных интеграторов. [40]
В табл. 12 - 2 приведены средние значения емкости, тангенса угла потерь и тока утечки оксидно-полупроводниковых конденсаторов, изготовленных из анодов, спеченных при разных температурах. [41]
 |
Зависимость удельного сопротивления МпО2 ( кривая / и тангенса угла потерь конденсаторов ( кривая 2 от температуры разложения азотнокислого марганца. [42] |
Опыты Бочаровой показали также, что наименьшему значению удельного сопротивления двуокиси марганца соответствует и наименьшее значение тангенса угла потерь оксидно-полупроводникового конденсатора. На рис. 14 - 2 сопоставлены зависимости удельного сопротивления двуокиси марганца и тангенса угла потерь оксидно-полупроводникового конденсатора от температуры разложения азотнокислого марганца. [43]
На рис. 15 - 5, 15 - 6 и 15 - 7 приведены такие зависимости для сухих танталовых электролитических конденсаторов, для жидкостных танталовых конденсаторов с объемно-пористыми анодами и для танталовых оксидно-полупроводниковых конденсаторов. На всех трех рисунках заштрихована область разброса значений постоянной времени. На рис. 15 - 6 для сравнения пунктиром показана зависимость постоянной времени металлобумажного конденсатора от температуры. [45]
Страницы: 1 2 3 4