Молекула - остаточный газ
Cтраница 2
 |
Относительное измерение состава остаточных газов вблизи от поверхности карбида циркония.| Изменения скоростей испарения молибдена в зависимости от давления остаточных газов в приборе. [16] |
В качестве примеров, подтверждающих химическое взаимодействие молекул остаточных газов с поверхностью вещества, могут служить графики ( рис. 8, 9, 10), где показано изменение состава остаточных газов у поверхности образцов карбида и циркония при испарении и влияние давления остаточных газов на скорости испарения и теплоту сублимации молибдена. [17]
Частицы пара рассеиваются в результате столкновений с молекулами остаточного газа в вакуумной системе. Вероятность рассеяния1) пропорциональна ехр ( - d / K), где d - расстояние между источником и подложкой, К - средняя длина свободного пробега молекул остаточного газа. [18]
 |
Изменение определяемой из эксперимента энтальпии молибдена от суммарного давления остаточных газов IB. [19] |
Энергетическое состояние поверхности изменяется при наличии адсорбированного слоя молекул остаточных газов. Влияние поверхностных загрязнений и дефектов в методе Лэнгмюра может оказать также более заметное влияние, чем в эффузионном методе. [20]
При использовании ионизационных датчиков трудной проблемой является вклад ионизации молекул остаточного газа в общий ионный ток. Одним из решений этой проблемы является модуляция входящего в датчик потока пара с помощью дискового или вибрирующего прерывателей. При этом возникающий переменный ток может быть выделен из постоянного тока, связанного с остаточными газами. Другим решением является использование второго, идентичного датчика, который экранирован от потока пара, но экспонирован для остаточного газа. Выходной сигнал этого датчика может быть использован для компенсации тока от остаточных газов. В датчике Дюфуа и Зега [282] для целей компенсации используется двойная структура сетки и коллектора вместе с методом модуляции потока. [21]
N - число молекул SiO, деленное на число молекул остаточного газа, падающих на единицу площади подложки в единицу времени. [22]
Отношение % 0 / % м характеризует степень загрязнения конденсата молекулами остаточных газов. [23]
В них положительные ионы, возникающие при столкновении электронов с молекулами остаточного газа, притягиваются к отрицательному электроду. [24]
Таким образом, при р10 - 5 мм рт. ст. концентрация молекул остаточного газа в 50 раз превышает концентрацию атомов испаряемого вещества, при р1 ( Ге мм рт. ст. - в 5 раз. [25]
 |
Магнитный электроразрядный величина разрядного тока, манометр. [26] |
Благодаря такому удлинению пути электронов значительно возрастает вероятность их встречи с молекулами остаточных газов и ионизация последних. Число ионизации, производимых колеблющимися электронами, оказывается достаточным. [27]
Благодаря этому удлинению пути электронов сильно возрастает вероятность встречи их с молекулами остаточного газа и, следовательно, разряд не будет гаснуть даже при очень низких давлениях. [28]
 |
Простейшая модель магнитного электроразрядного манометра. [29] |
Благодаря такому удлинению путей электронов значительно возрастает вероятность их встречи с молекулами остаточных газов и ионизация последних. Число ионизации, производимых электронами, оказывается достаточным для возникновения электрического разряда, ток которого в достаточно широких пределах зависит от давления. Сравнительно большой разрядный ток позволяет непосредственно измерять его стрелочным микроамперметром без всякого предварительного усиления. [30]
Страницы: 1 2 3 4