Дальнейшее повышение

Cтраница 3

Влияние скорости охлаждения на степень переохлаждения и среднюю объемную скорость затвердевания при диффузионном 1 и бездиффузионном 2 процессах кристаллизации.| Схема распределения ликвирующей примеси ( серы от края слитка к центру при последовательной кристаллизации. [31]

Дальнейшее повышение ик способствует уменьшению исходной неоднородности. [32]

Термомеханическая кривая. [33]

Дальнейшее повышение Т приводит к освобождению цепей, которые приобретают способность к тангенциальному перемещению ( пластическому течению) при нагрузке, превышающей некоторый силовой барьер. Полимер переходит при этом в вязкотекучее состояние при температуре, называемой температурой текучести Tf. При охлаждении полимер проходит рассматриваемые состояния в обратном порядке. [34]

Дальнейшее повышение т) ф было достигнуто совмещением двух преобразователей в одной вакуумной оболочке. В этих приборах между входным фотокатодом и выходным экраном устанавливается прозрачная перегородка, на одной стороне к-рой ( со стороны входного фотокатода) создается люминесцентный экран, а на другой ( со стороны выходного экрана) - фотокатод, освещаемый через1 прозрачную перегородку светом, излучаемым внутр. [35]

Дальнейшее повышение рН не приводит к сдвигу теоретической границы очистки. Для сравнения приведем результаты, которые получаются из упрощенного представления о полной диссоциации гидроокиси железа в ее водном растворе. [36]

Характер потоков газ - твердые частицы в горизонтальных каналах. [37]

Дальнейшее повышение т может привести к поршневому режиму. Последний характеризуется пульсацией потоков газа и твердого материала, перемещающихся в виде последовательно движущихся порций. [38]

Дальнейшее повышение как температуры, так и давления влечет за собою укрупнение кристаллитов. [39]

Дальнейшее повышение - тгтг - До 10 снова ведет к появлению слабых растягивающих напряжений. Ослабление эластичности, вследствие уменьшенного содержания Al2O3h приводит к цеку. [40]

Номограмма зависимости удельного расхода РУАС от ха. [41]

Дальнейшее повышение СС02 невозможно из-за неизбежности выпадения твердых кристаллов и нарушения гомогенности раствора. [42]

Дальнейшее повышение рН приводит к разрушению фоторезиста. [43]

Дальнейшее повышение, плотности тока характеризуется более медленным увеличением числа площадок. [44]

Влияние концентрации хлористых солей марганца, никеля. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5