Появление - тонкая структура
Cтраница 2
В газовой фазе могут оказаться заселенными различные вращательные уровни основного колебательного состояния и могут происходить переходы на различные вращательные уровни возбужденного состояния, что приведет к появлению тонкой структуры в спектре. [16]
Хотя движение электрона в атоме водорода отвечает нерелятивистским скоростям, нахождение релятивистских поправок к уровням энергии водорода представляло большой интерес, поскольку теория Шредингера не могла объяснить появление тонкой структуры в спектре водорода. [17]
 |
УФ-спектр поглощения 2 7-диметилтиаиндана. [18] |
Исчезновение тонкой структуры и увеличение интенсивности ( lge - 4) полосы - 260 нм в УФ-спектре ароматического сульфида может служить указанием на непосредственное присоединении атома серы к бензольному кольцу, а появление тонкой структуры и уменьшение интенсивности этой полосы более чем на порядок - на наличие между кольцом и серой углеводородного мостика. [19]
Кроме определения состава поверхности твердого тела, ЭОС можно применять для изучения химических связей, т.е. если атомы данного элемента находятся на поверхности более чем в одном химическом состоянии, то возможно появление тонкой структуры оже-линии. [20]
Тем самым мы выразили матричный элемент спин-орбитального взаимодействия между синглетными и триплетными состояниями в терминах величины ( которая может быть вычислена только численно), отличной от нуля и имеющей тот же порядок величины, что и чЛен, ответственный за появление тонкой структуры. [21]
 |
Сверх - Однако при более точном изучении выясни. [22] |
В первой главе указывалось, что спектральные линии излучения элементов состоят из ряда близко расположенных компонент - имеют тонкую структуру. Появление тонкой структуры было объяснено взаимодействием собственного ( спинового) магнитного момента электрона с орбитальным моментом. [23]
Учет электромагнитных сил усложняет вопрос. Дробление масштабов приводит к появлению тонкой структуры в магнитном поле. Видно, что эффективность нагрева пропорциональна квадрату напряженности крупномасштабного поля. [24]
В-третьих, известно также, что частота деформационных колебаний, как правило, ниже частот валентных колебаний. Наконец, полезным может быть появление вращательной тонкой структуры или, если - тонкая структура не разрешается, рассмотрение контура полосы. При колебании va переменный диполь-ный момент всегда параллелен главной оси вращения молекулы, которой в данном случае является линия, соединяющая ядра. [25]
Получение количественных результатов требует задания оператора Я; вид оператора Н можно установить исходя из правдоподобных аргументов при сравнении с классической ситуацией. Слагаемое оператора энергии, отвечающее за появление тонкой структуры, содержит два вклада: 1) вклад, отвечающий за взаимодействие между магнитным моментом электрона и магнитным полем в системе покоя электрона, обусловленное движением заряда протона в этой системе, и 2) вклад, отражающий изменение массы электрона с изменением его скорости. Кроме слагаемых, ответственных за тонкую структуру, существуют и другие вклады в оператор энергии, которые приводят к появлению лэм-бовского сдвига и сверхтонкой структуры, но мы их здесь обсуждать не будем. [26]
Образование тонкой структуры при делении по Гленденину [56] и Паппасу [247] связано с преимущественным выходом осколков с замкнутой нейтронной оболочкой ( 7V 82) и протонной оболочкой ( Z50) и испусканием этими осколками надоболо-чечных нейтронов. Испускание запаздывающих нейтронов вызывает существенное перераспределение выходов и обусловливает появление тонкой структуры. Однако все случаи отклонения от плавного хода кривой выходов все же не могут найти объяснения на основании предложенного механизма этого процесса. [27]
С точки зрения одних исследователей, поглощение рентгеновских лучей металлами следует рассматривать как процесс, детали которого обусловлены дальним порядком, имеющим место в кристаллической структуре, и поэтому поглощение наилучшим образом должно описываться в рамках бриллюэновского варианта зональной теории металлов. Другие исследователи склонны рассматривать поглощение рентгеновских лучей в металлах как процесс атомный, связывать появление тонкой структуры краев поглощения атомов в металлических кристаллах преимущественно с влиянием ближнего порядка и приписывать, таким образом, главную роль в процессе поглощения ближайшему окружению поглощающего атома. С обсуждения обеих этих точек зрения и сопоставления вытекающих теоретических следствий будет и начато изложение теории поглощения рентгеновских лучей металлами. [28]
Помимо влияния на фактор спектроскопического расщепления, орбитальное движение может оказывать сильное влияние на спектр ЭПР, вызывая расщепление основного электронного состояния иона в твердом теле ( 0 01 - 10 см-1) в том случае, если основное электронное состояние более чем дважды вырождено по спину. Этот эффект известен как расщепление в нулевом поле, так как он осуществляется в отсутствие внешнего магнитного поля и вызывает появление тонкой структуры в спектре ЭПР. [29]
Помимо влияния, на фактор спектроскопического расщепления, орбитальное движение может оказывать сильное влияние на спектр ЭПР, вызывая расщепление основного электронного состояния иона в твердом теле ( 0 01 - 10 слг1) в том случае, если основное электронное состояние более чем дважды вырождено по спину. Этот эффект известен как расщепление в нулевом поле, так как он осуществляется в отсутствие внешнего магнитного поля и вызывает появление тонкой структуры в спектре ЭПР. [30]
Страницы: 1 2 3