Cтраница 2
Схема вероятного расположения кривых потенциальной энергии, иллюстрирующая процесс захвата электронов молекулами SFg. [16] |
Возможно, что механизм правильно объясняет увеличение сечения прилипания электронов при более низких энергиях, как это видно на кривых. Такое объяснение требует, чтобы сродство к электрону SFs было равно энергии диссоциации SF6 на SFs и F. Кроме того, необходимо предположить, что вероятность прилипания электрона к молекуле в возбужденном состоянии много больше, чем в основном. Имеются данные, указывающие на то, что проведение опытов при низкой температуре с целью уменьшения числа возбужденных молекул приведет к очень малой вероятности процесса диссоциативного прилипания электронов. [17]
Ниже приведены данные об образовании отрицательных ионов при прилипании электронов к молекулам газа. [18]
Концентрация электронов определяется методом возмущений [98], при этом учитываются эффекты прилипания электронов, образования КОН, стабилизации ионов калия со стороны окружающих электронов. [19]
Важную роль, особенно в плазме электроотрицательных газов, играют процессы прилипания электрона к атому или молекуле, в результате чего образуется отрицат. Хотя процессы прилипания электрона не изменяют число заряж. Процесс 10 - трехчастичное прилипание электрона к атому, процесс И - диссоциативное прилипание электрона к молекуле, процесс 12 - фотоприлипание. [20]
Таким образом, надо думать, что оба отрицательных иона образуются путем прилипания электронов, выходящих прямо из катода масс-спектрометра, причем, однако, нельзя с дсстсверностью различить последовательность процессов: происходит ли сначала расщепление молекулы на осколки в результате электронного возбуждения, а затем прилипание электрона или фрагменты образуются после присоединения электрона. [21]
Зависимость термости - [ IMAGE ] Кривая термостиму-мулированного тока от темпера - лированного тока в Sb2Se3. [22] |
В самом начале процесса нагревания уровни заполнены электронами ( для определенности рассматриваем прилипание электронов) и, следовательно, квазиуровень Ферми расположен между ними и с-зоной. При повышении температуры по мере опустошения уровней квазиуровень Ферми смещается вниз, приближаясь к уровню прилипания. [23]
Подробное обсуждение этого вопроса дано Я. И. Френкелем позднее ( О поглощении света и прилипании электронов и положительных дырок в диэлектриках. [24]
Некоторые процессы, например ионизация, имеют резкий энергетический порог; другие ( прилипание электрона к молекуле) наиболее вероятны при низких энергиях. Обычно эти процессы очень чувствительны к энергии, однако упругие соударения электронов низких энергий зависят от энергии не так сильно. Тем не менее эта зависимость существенна при вычислении суммарной величины эффекта ( см. гл. В этом случае необходимо знание функции распределения электронов по скоростям. [25]
В этом случае вероятность образования в разрядном промежутке отрицательного объемного заряда за счет прилипания электронов к молекулам воды мала, так как электроны на пути движения к электроду непрерывно ускоряются в связи с нарастанием напряженности электрического поля в направлении к электроду. [27]
ОТл - приходящиеся на единицу концентрации обоих видов сталкивающихся частиц частоты диссоциативной рекомбинации и прилипания электронов, а также отлипания от отрицательных ионов при ионно-атомных соударениях; v ( e) - частота отлипания под действием фотонов. [28]
При учете образования отрицательных ионов, например ОН -, можно принять, что процесс прилипания электронов протекает квазистационарно. В результате уравнение для изменения концентраций различных заряженных компонент сводится к форме, допускающей аналитическое решение. [29]
Пока существование свободных электронов установлено лишь в жидком аргоне; в углеводородах сильно развиты процессы рекомбинации или прилипания электронов, поэтому импульсы проводимости в этих жидкостях не наблюдаются. По мере усиления поля составляющая тока, вызванного естественным облучением, затушевывается токами проводимости, обусловленными загрязнениями и диссоциацией, а также токами частиц, выделяющихся из электродов. [30]