Прилипание - электрон - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Если ты споришь с идиотом, вероятно тоже самое делает и он. Законы Мерфи (еще...)

Прилипание - электрон

Cтраница 2


16 Схема вероятного расположения кривых потенциальной энергии, иллюстрирующая процесс захвата электронов молекулами SFg. [16]

Возможно, что механизм правильно объясняет увеличение сечения прилипания электронов при более низких энергиях, как это видно на кривых. Такое объяснение требует, чтобы сродство к электрону SFs было равно энергии диссоциации SF6 на SFs и F. Кроме того, необходимо предположить, что вероятность прилипания электрона к молекуле в возбужденном состоянии много больше, чем в основном. Имеются данные, указывающие на то, что проведение опытов при низкой температуре с целью уменьшения числа возбужденных молекул приведет к очень малой вероятности процесса диссоциативного прилипания электронов.  [17]

Ниже приведены данные об образовании отрицательных ионов при прилипании электронов к молекулам газа.  [18]

Концентрация электронов определяется методом возмущений [98], при этом учитываются эффекты прилипания электронов, образования КОН, стабилизации ионов калия со стороны окружающих электронов.  [19]

Важную роль, особенно в плазме электроотрицательных газов, играют процессы прилипания электрона к атому или молекуле, в результате чего образуется отрицат. Хотя процессы прилипания электрона не изменяют число заряж. Процесс 10 - трехчастичное прилипание электрона к атому, процесс И - диссоциативное прилипание электрона к молекуле, процесс 12 - фотоприлипание.  [20]

Таким образом, надо думать, что оба отрицательных иона образуются путем прилипания электронов, выходящих прямо из катода масс-спектрометра, причем, однако, нельзя с дсстсверностью различить последовательность процессов: происходит ли сначала расщепление молекулы на осколки в результате электронного возбуждения, а затем прилипание электрона или фрагменты образуются после присоединения электрона.  [21]

22 Зависимость термости - [ IMAGE ] Кривая термостиму-мулированного тока от темпера - лированного тока в Sb2Se3. [22]

В самом начале процесса нагревания уровни заполнены электронами ( для определенности рассматриваем прилипание электронов) и, следовательно, квазиуровень Ферми расположен между ними и с-зоной. При повышении температуры по мере опустошения уровней квазиуровень Ферми смещается вниз, приближаясь к уровню прилипания.  [23]

Подробное обсуждение этого вопроса дано Я. И. Френкелем позднее ( О поглощении света и прилипании электронов и положительных дырок в диэлектриках.  [24]

Некоторые процессы, например ионизация, имеют резкий энергетический порог; другие ( прилипание электрона к молекуле) наиболее вероятны при низких энергиях. Обычно эти процессы очень чувствительны к энергии, однако упругие соударения электронов низких энергий зависят от энергии не так сильно. Тем не менее эта зависимость существенна при вычислении суммарной величины эффекта ( см. гл. В этом случае необходимо знание функции распределения электронов по скоростям.  [25]

26 Зависимость наибольших значений перенесенных на электрод зарядов от потенциала поверхности положительно заряженного топлива для электродов различного диаметра.| Зависимость наибольших значений перенесенных на электрод зарядов от потенциала поверхности отрицательно заряженного топлива для электродов различного диаметра ( обозначения те же, что и на. [26]

В этом случае вероятность образования в разрядном промежутке отрицательного объемного заряда за счет прилипания электронов к молекулам воды мала, так как электроны на пути движения к электроду непрерывно ускоряются в связи с нарастанием напряженности электрического поля в направлении к электроду.  [27]

ОТл - приходящиеся на единицу концентрации обоих видов сталкивающихся частиц частоты диссоциативной рекомбинации и прилипания электронов, а также отлипания от отрицательных ионов при ионно-атомных соударениях; v ( e) - частота отлипания под действием фотонов.  [28]

При учете образования отрицательных ионов, например ОН -, можно принять, что процесс прилипания электронов протекает квазистационарно. В результате уравнение для изменения концентраций различных заряженных компонент сводится к форме, допускающей аналитическое решение.  [29]

Пока существование свободных электронов установлено лишь в жидком аргоне; в углеводородах сильно развиты процессы рекомбинации или прилипания электронов, поэтому импульсы проводимости в этих жидкостях не наблюдаются. По мере усиления поля составляющая тока, вызванного естественным облучением, затушевывается токами проводимости, обусловленными загрязнениями и диссоциацией, а также токами частиц, выделяющихся из электродов.  [30]



Страницы:      1    2    3    4