Расчет - электронограмма
Cтраница 2
 |
Дефекты в пленках ( З - SiC на Si. [16] |
С увеличением концентрации силана увеличивается и неоднородность роста пленок по толщине и плотность дефектов, представляющих собой включения Si, Si02, С. Включения Si02 обнаруживаются в инфракрасных спектрах пленок по максимуму поглощения при 1090 см-1, характерному для Si-О связи, и на микрофотографиях пленок ( см. рис. 3, в) по окнам, вытравленным во время приготовления просвечиваемого образца. Присутствие Si выявляется при расчете электронограмм и по микрофотографиям, видны вытравленные поры в пленке. Включениями углерода считались химически очень стойкие включения с аморфной структурой, по контрасту резко выделяющиеся на фоне аморфной пленки SiC. [17]
В табл. 47 не помещены линии алюминия, которые также находились на электронограмме Штейнхейля, в том числе наиболее интенсивная линия 111с периодом d 2 335 А. Поэтому в последнем столбце таблицы не значится совпадающая с ней интенсивная линия 031 бемита с периодом d 2 332 А. Вторая часть таблицы составлена по данным расчета электронограммы, полученной при нормальном падении электронного луча на целлулоидную пленку с гидроокисью, причем все отражения имели вид сплошных колец. При электроносъемке той же пленки под углом диффракционная картина состояла не из сплошных колец, а из сравнительно коротких дуг, середины которых располагались по концам диаметра, параллельного оги поворота пленки, что лишний раз указывает на правильность инди-цирования. Однако при такой косой съемке возникли под азимутом 90 новые отражения, одно из которых, наиболее сильное, соответствовало периоду d 2 35 А. [18]
Страницы: 1 2