Схемотехника

Cтраница 2

Более простую схемотехнику имеют цифровые измерительные приборы. Обычно в основе таких приборов находится специализированная микросхема, преобразующая напряжение в коды символов индикаторов. [16]

Простейшие схемы ячеек хранения с записью на ТОЭ-клю-чах с диодами Шоттки с записью при В3ап1 ( а-в и при Взап 0 ( г, д. [17]

Схемотехнику ассоциативной памяти на 11Л - Оазнсс рассмотрим в рамках задачи о синтезе электрической схемы НС АЗУ с параллельным поиском. [18]

Конструкции микросборок УПЧ. [19]

Поскольку схемотехника ИС определена типовыми схемами их включения согласно руководящим техническим материалам, то возможности совершенствования схемотехнических решений МСБ ограничены и сводятся к пересчету номинальных значений емкостей конденсаторов на конкретную рабочую частоту и использованию гальванических связей между каскадами вместо связей через разделительные конденсаторы. При этом функциональные показатели как отдельных ИС, так и МСБ в целом практически не изменяются. Уменьшение емкости конденсаторов представляет более широкие возможности выбора предпочтительного видоразмера конденсатора с учетом группы стабильности по ТКЕ. В результате любую МСБ можно представить состоящей из трех конструктивных фрагментов: подложки с активными компонентами, подложки с конденсаторами и подложки с резисторами При создании МСБ на основе фрагментарного метода компоновки применяется гибридная технология, однако не исключается использование для изготовления пассивной части МСБ приемов и оборудования полупроводниковой технологии. В этом состоит одно из преимуществ фрагментарного метода компоновки МСБ. [20]

Рассматриваются схемотехника прецизионных аналоговых микросхем и их применение в радиоэлектронной аппаратуре. Основное внимание уделяется принципам построения и типовым каскадам аналоговых микросхем общего применения: операционным усилителям, компараторам и перемножителям напряжения, таймерам, интегральным стабилизаторам, цифро-аналоговым и аналого-цифровым преобразователям. Излагаются условия достижения предельных параметров аналоговых микросхем и схемотехнические способы улучшения их характеристик. По сравнению с первым изданием ( 1980 г.) материал значительно обновлен и дополнен новыми сведениями по применению. [21]

Рассмотрены типовая схемотехника изделий микроэлектроники, конструкции полупроводниковых приборов, интегральных микросхем, физико-химические свойства конструкционных материалов, реактивов и веществ. [22]

Развитие схемотехники управления биполярными накопителями возможно в направлении более широкого использования ЭСЛ-схем, а также замены ТТЛ-схем, в том числе ТТЛ-схем с диодами Шоттки, более эффективными инжекционными схемами с диодами Шоттки. [23]

Развитие тиристорной импульсной схемотехники обусловлено значительными преимуществами тиристоров перед транзисторами, работающими в импульсном режиме. [24]

Использование схемотехники передачи низковольтовых дифференциальных сигналов привело к созданию вариантов Ultra SCSI интерфейсов с повышенными пропускными способностями по сравнению с SCSI интерфейсами, использующими информационные линии с ТТЛ уровнями сигналов. [25]

Рассмотрим схемотехнику ИС ПЗУ и ППЗУ на двух конкретных примерах. Накопитель в схеме 155РЕ1 представляет собой матрицу из 32 восьмиразрядных слов. Запись информации производится сменой маски на одном из самых последних этапов изготовления схемы. Кристалл включает накопитель, 8 усилителей считывания, стабилизатор напряжения, дешифратор на 32 выхода, 32 формирователя сигналов выборки, адресные инверторы и схему формирования импульсов выборки кристалла. Принципиальная электрическая схема ИС 155РЕ1 приведена на рис. 8.6. Адресные инверторы выполнены на стандартных ТТЛ-ключах. Сигнал ВК через инвертор подается на дополнительные входы всех элементов дешифратора. [26]

Элемент ДТЛ. [27]

Рассмотрим схемотехнику двухвходового логического элемента И-НЕ, построенного по технологии ДТЛ. [28]

В схемотехнике с дискретными ( навесными) схемными элементами проблема реализации точных резисторов имеет удовлетворительное решение. [29]

В схемотехнике быстродействующих БИС большую роль играет длина тонкопленочных проводников. [30]

Страницы: 1 2 3 4