Cтраница 4
С позиций схемотехники основное различие между полевыми и биполярными транзисторами заключается в существенном различии их входных сопротивлений. Благодаря большому входному сопротивлению, транзисторы последующих каскадов практически не оказывают шунтирующего действия на выходное сопротивление предыдущих элементов схемы. [46]
Анализ развития схемотехники логических ИМС показывает, что в настоящее время не существует схемотехнического базиса, в полной мере отвечающего всем основным требованиям системотехники по быстродействию, мощности рассеивания, плотности упаковки и технологичности. Любая из известных схем, превосходя остальные по одному или нескольким параметрам, проигрывает им по другим параметрам. Очевидно, этим обстоятельством объясняется наличие большого числа схем, используемых для построения ИМС, а следовательно, и большого числа структурно-топологических решений базовых элементов. [47]
Изложены основы схемотехники и принципы построения логических и других схем на базе S-диодов и связанных по объему S-диодпых структур. Описаны нейроноподобные активные линии - нейристоры, триггеры, основные логические схемы и некоторые узлы устройств вычислительной техники. Описаны основные достоинства этого нового направления полупроводниковой электроники, к числу которых относится простота резервирования, обеспечивающая существенно большую надежность, большая технологичность в создании больших интегральных схем и некоторые другие. [48]
Автоматический перенос схемотехники мощных ИВЭП с бестрансформаторным входом на малые мощности ( единицы, десятки ватт) приводит к значительному ухудшению таких показателей ИВЭП, как КПД, удельная масса и габариты прибора. Это происходит за счет увеличения относительной доли потребления УУ ( 1 - 5 Вт) и значительных размеров платы управления со своим источником питания, выполненной на дискретных элементах. Кроме того, резко ухудшается такой показатель ИВЭП, как стоимость 1 Вт преобразованной энергии. [49]
Рассмотрены основы схемотехники базовых цифровых устройств комбинационного ( шифраторы, дешифраторы, мультиплексоры, комбинационные сумматоры, цифровые компараторы) и последовательностного ( триггеры, регистры, счетчики) типов. Изложены принципы построения и особенности реализации запоминающих устройств современных ЦУ и ЭВМ. Рассмотрены основы схемотехники цифровых устройств, построенных на основе базовых матричных кристаллов и программируемых логических интегральных схем. [50]
Рассматриваются вопросы схемотехники быстродействующих операционных усилителей в интегральном исполнении. Исследуются основные параметры, приводятся способы улучшения характеристик. Описываются свойства, параметры и применение усилителей среднего и повышенного быстродействия, а также широкополосных операционных усилителей. Даются сведения по конкретным схемам включения. [51]
Диаграмма Боде для фильтра нижних частот.| Простой фильтр нижних частот. [52] |
ЯС-цепи в схемотехнике имеют боль - шое значение. Они применяются весьма часто, поэтому опишем подробно их функции. [53]
Поэтому в схемотехнике усилителей постоянного тока приходится рассматривать входные каскады и устройства, обладающие малым приведенным Дрейфом и большим усилением по напряжению, обеспечивающие малый и стабильный входной ток, промежуточные каскады усиления напряжения ( их может и не быть) и выходные каскады постоянного тока, обеспечивающие должную мощность выходного Сигнала. [54]
В книге рассмотрены схемотехника, физическая структура и основные принципы построения БИС и СБИС на биполярных и полевых приборах, приведена классификация полупроводниковых интегральных микросхем и их элементов по структурно-технологическим и схемотехническим признакам. [55]
Прогресс технологии и схемотехники, позволивший создать новую элементную базу, был в 60 - 70 - х годах столь быстрым, что он не только сместил акценты во многих устоявшихся терминах радиоэлектроники, но и значительно пополнил ее словарный запас. [56]
Как указывалось, современная схемотехника, включающая в себя различные виды сигналов и методов их модуляции, демодуляции, обработки и использования предъявляет высокие требования к конструкции НЭА. Эти требования касаются не только уменьшения ее массы и габаритов, но и обеспечения необходимой стабильности радиоэлементов, работающих в условиях климатических и механических воздействий и электрических помех. [57]