Валентные уровни

Cтраница 2

Схема энергетических зон полупроводника. J. i-наибольшее значение энергии в валентной зоне. ES - наименьшее значение анергии в зоне проводимости. Д. ES - Ei - ширина запрещенной зоны. Яд - энергетический уровень расположения доноров. [16]

Зона, которая образуется из внешних валентных уровней, называется валентной или заполненной зоной. Кроме валентной зоны, кристалл имеет зону проводимости, которая расположена выше валентной. [17]

Исследуя пространственное распределение электронной плотности разных валентных уровней ( орбит) и величину квантового резонанса ( см. § 90) в различных условиях, особенно в случае совпадания ( перекрывания) областей наиболее вероятного распределения электронов реагирующих атомов ( или, как говорят коротко, перекрывания орбит), теория привела к выводу: Та из двух орбит атома, которая может больше перекрываться с орбитой другого атома, будет образовывать более сильную связь. [18]

Эта закономерность полностью соответствует изменению картины валентных уровней, например, в изо-электронном ряду АР4Ж - с ростом ионности связи А-F ( см. гл. [19]

Фотоэлектронный спектр газообразного азота. [20]

В табл. 6.19 приведены энергии ионизации валентных уровней трех рассматриваемых соединений. [21]

Донорная примесь характерна тем, что ее валентные уровни располагаются в верхней половине запрещенной зоны ( рис. 1 - 12, б); все эти уровни заполнены при нулевой температуре. Акцепторная примесь характерна тем, что ее валентные уровни располагаются в нижней половине запрещенной зоны ( рис. 1 - 12, б); все эти уровни пусты при нулевой температуре. Поэтому при нагреве число фононов, способных ионизировать донор или акцептор и тем самым создать свободный электрон или свободную дырку, будет гораздо больше числа фононов, способных перевести электрон через всю запрещенную зону и образовать электронно-дырочную пару. Соответственно примесная проводимость оказывается гораздо больше собственной. Однако этот вывод относится только к сравнительно низким температурам. Дело в том, что по мере повышения температуры собственная проводимость растет непрерывно, а примесная имеет предел, соответствующий ионизации всех наличных примесных атомов. Таким образом, при достаточно высокой температуре проводимость полупроводника всегда бывает почти собственной. [22]

Зонные структуры полупроводников. [23]

Колебательная структура N2J и 02. [25]

При увеличении ковалентности связи растет энергия всех валентных уровней, увеличивается разность энергий о и л-уровней. [26]

В настоящем разделе рассмотрены пути определения взаимного энергетического положения внутренних и валентных уровней, значения коэффициентов перед АО в МО ЛКАО и характера симметрии уровня в свободных молекулах и изолированных группах на основе рентгеновских эмиссионных спектров. [27]

Схема образования дырки. [28]

При температуре абсолютного нуля, когда никакой энергии не сообщается, все валентные уровни заняты электронами. [29]

Основная идея этой удачной модели состоит в том, что электронные пары валентных уровней центрального атома так ориентируются вокруг ядра и внутренних оболочек, чтобы отталкивание между электронными парами было минимальным. [30]

Страницы: 1 2 3 4