Участка - слой
Cтраница 2
 |
Влияние диаметра входного отверстия на максимальную высоту слоя, способного фонтанировать. [16] |
При плоском основании вместо конического в нижнем участке слоя образуется застойная зона твердых частиц с ко-нусоподобной внутренней границей, но это не влияет на устойчивость фонтанирования. С другой стороны, если конус слишком крутой, фонтанирование становится неустойчивым, поскольку весь слой стремится быть поднятым газовой струей. [17]
Применение квазигомогенной модели обосновано при условии, что участки слоя катализатора, в пределах которых изменения температуры и концентрации малы по сравнению с их средним значением, одержат достаточно большое число зерен. При этом сами участки могут быть значительно меньше размеров всего слоя. [18]
При неравномерном расположении топлива на решетке в тон-кис участки слоя воздух поступает в избытке, а в утолщенные участки - недостаточно. Следовательно, получается одновременно двойная потеря тепла: с дымовыми газами через тонкий слой топлива и от неполноты сжигания топлива в толстом слое. [19]
Она протекает со значительным тепловым эффектом на большом участке слоя, верхняя граница которого имеет среднемассовую температуру порядка 500 - 600 С. Экзотермический характер реакции (10.58) дает возможность существенно расширить размеры зоны генерации тепла. В нижней части зоны окислителем служит кислород дутья, в верхней - технологические газы. [20]
В процессе фильтрования в первых по ходу воды участках слоя удаляются более крупные частицы, а более мелкие проходят дальше. Естественно, что при этом эффективность процесса улавливания по мере проникновения воды в пористую среду должна падать. [21]
Отсюда легке заключить, что силы, с которыми участки слоя dSf и dS2 действуют на т, уравновешивают друг друга. [22]
Как уже отмечалось, пузыри имеют тенденцию подниматься на определенных участках слоя; вероятно, существуют и предпочтительные участки нисходящего движения твердых частиц - в зонах, практически свободных от пузырей. [23]
 |
Схема электрографического аппарата. [24] |
В результате при сухом проявлении частицы осаждаются и на освещенных участках слоя, образуя фон изображения. [25]
 |
Схема электрофотографического процесса на диэлектриках. [26] |
В процессе экспонирования заряды с освещенных участков пленки уходят через освещенные участки слоя фотополупроводника. Скрытое электростатическое изображение на пленке может быть проявлено путем напыления мелко раздробленного красителя. [27]
Недостаточное перемешивание топлива, приводящее к образованию шлаков в нижнем участке слоя, в то же время предотвращает значительное повышение температуры с образованием шлаков в толще слоя. [28]
В некоторых случаях для получения равномерного потока в основном рабочем участке слоя просто увеличивают его толщину по сравнению с расчетной. Однако такой способ не всегда приемлем. Например, при неравномерном распределении скоростей в начале слоя катализаторного реактора, через который протекает горячий газ, может получиться локальное спекание зерен, что приведет к еще большей неоднородности или, что еще хуже, вообще к выходу аппарата из строя. [29]
При этом изменяется характер его распределения, так как на участке слоя, занятом адсорбированным веществом, температура переменна, а давление постоянно. Количество вещества, адсорбированного па задней грани, будет непрерывно уменьшаться, а сама грань останется неподвижной относительно слоя адсорбента. Вещество, дссорбпрованное с задней части фронта, адсорбируется в его передней части, причем количество адсорбированного вещества на единицу адсорбента на передней грани будет постоянно, так как температура в этом месте колонны еще равна начальной. Адсорбция вещества в передней части фронта приводит к движению передней грани относительно слоя адсорбента. Формирование фронта закапчивается тогда, когда в каждом сечении количество вещества и температура будут находиться в полном соответствии, определяемом изобарой а ( Т), н в дальнейшем стабильный фронт адсорбированного вещества будет двигаться по слою адсорбента со скоростью, равной скорости движения печи. [30]
Страницы: 1 2 3 4