Участка - слой
Cтраница 3
В таком случае процесс сосредотачивается в более или менее коротком участке слоя катализатора, перемещающемся со временем вдоль потока. [31]
Понижение температуры в среднем приводит к увеличению степени превращения на участках слоя, прилегающих к выходу реакционной смеси, если только окажется возможным предотвратить отрицательный эффект колебаний в этой области. [32]
Перемещающиеся скачки конденсации, естественно, дестабилизируют пограничный слой, причем дозвуковые участки слоя резко утолщаются и могут проводить возмущения, создаваемые за соплом, против течения. Вблизи критического сечения, где интенсивность скачков конденсации максимальна, возможен локальный во времени отрыв слоя. [33]
За), вероятно, может оказаться пригодным ж к верхнему участку слоя, поскольку, чкак будет показано в следующем разделе, высокий начальный ускоряющий момент количества движения, который частицы получают у входного отверстия т уменьшается к тому времени, когда они достигнут верхней зоны. В действительности эта аномалия исчезает, поскольку дополнительная кинетическая энергия расходуется на ускорение тех частиц, которые попадают в ядро фонтана не на нижнем участке слоя. [34]
Строго говоря, теперь рассматриваемый элемент жидкости, находясь в клиновидном участке слоя и, следовательно, в зоне сужения линий тока, должен двигаться с ускорением. [35]
 |
Распределение кальция по взвешенному слою. [36] |
На рис. 1 и 2 показана зависимость содержания кальция в конечном участке слоя от продолжительности работы слоев разной длины. Полное перемешивание, даже для весьма коротких слоев, достигается не мгновенно. С увеличением длины слоя оно возрастает и, например, для взвешенного слоя длиной 80 см достигает заметной величины за 8 час. [37]
Одновременное измерение интенсивности отражения и пропускания на одном и том же участке слоя при одной и той же длине волны позволяет выровнять нулевую линию и увеличить соотношение сигнал / шум, что снижает предел обнаружения. [38]
В предыдущем разделе была отмочена трудность описания гетерогенного процесса к начальном участке слоя при отсутствии его стабилизации. [39]
При действии света диазосоединения разлагаются, но реакция сочетания происходит на неэкспонированных участках слоя. В результате в диазопроцессах получают негатив с негатива или позитив с позитива. [40]
Концентрация адсорбтива на входе в слой равна уо; во всех более низких участках слоя в промежутках между зернами сорбента ПК еще отсутствует: с момента т О только начнется подача в систему газа, содержащего ПК. [41]
Образовавшиеся при фотолизе хштондиазидов замещенные инденкарбоновой кислоты способны при нагревании декарбоксилироваться, участки слоя с введенными в него производными индсна теряют способность растворяться в щелочах. Тем самым создается возможность обращения материала - превращения позитивного слоя в негативный. Модификация обработок слоя позитивного хинондиазидного резиста для создания негатива позволяет получить лучшее разрешение и меньшее число дефектов в негативе, чем в случае слоя на основе собственно негативных резистов. Кроме того, позитивные фоторезисты менее чувствительны к кислороду, чем негативные, что упрощает технологию. Наконец, использование обращаемой системы избавляет от необходимости иметь запас реактивов и материалов для различающихся по материалам и обработкам собственно негативных и позитивных композиций. [42]
Предположение Q2 / С g не позволяет, строго говоря, рассматривать участки слоя, значительно удаленное от оси вращения. [43]
Опыление пластинки должно продолжаться до тех пор, пока не будут нейтрализованы участки слоя с наименьшим остаточным зарядом; дальнейшее опыление будет только увеличивать вуаль на пластинке. Для определения продолжительности опыления необходимо экспериментально установить величину остаточного заряда после просвечивания. При отсутствии специальных измерительных приборов вопрос решается путем проведения нескольких пробных снимков. [44]
Образовавшиеся при фотолизе хинондиазидов замещенные инденкарбоновой кислоты способны при нагревании декарбоксилироваться, участки слоя с введенными в него производными индена теряют способность растворяться в щелочах. Тем самым создается возможность обращения материала - превращения позитивного слоя в негативный. Модификация обработок слоя позитивного хиноидиазидного резиста для создания негатива позволяет получить лучшее разрешение и меньшее число дефектов в негативе, чем в случае слоя на основе собственно негативных резистов. Кроме того, позитивные фоторезисты менее чувствительны к кислороду, чем негативные, что упрощает технологию. Наконец, использование обращаемой системы избавляет от необходимости иметь запас реактивов и материалов для различающихся по материалам и обработкам собственно негативных и позитивных композиций. [45]
Страницы: 1 2 3 4