Cтраница 3
К вычислению амплитуды рассеяния двумя центрами. [31] |
Другими словами, распределению рассеивающих центров с плотностью р ( г) отвечает пакет волн, обладающих набором векторов К. [32]
Здесь 0 - число рассеивающих центров ядер атомов, приходящееся на единицу площади фольги, Ze - заряд ядра, т - масса а-частицы, У - ее скорость. [33]
Зная расстояния между двумя рассеивающими центрами и длину волны, легко можно вычислить углы, при которых будет происходить усиление и интерференция. Схема, на основании которой построен расчет, показана на рис. 3.18. На этом рисунке г - расстояние от первого рассеивающего центра и г2 - расстояние от второго рассеивающего центра. Во всех точках медианной плоскости эти два расстояния равны. [34]
В случае рентгеновских лучей рассеивающими центрами при диффракции являются электронные оболочки атомов, а в случае электронных лучей - атомные ядра. Поэтому изучение диффракции электронных лучей ( электронография) дает возможность ответить а те же вопросы, на какие смог ответить рентгенографический метод. [35]
Взаимное погашение и усиление двух серий круговых волн, распространяющихся от двух отверстий в стене. [36] |
Зная расстояния между двумя рассеивающими центрами и длину волны, легко можно вычислить углы, при которых будет происходить усиление и интерференция. [37]
При наличии большого числа одинаковых рассеивающих центров ( скажем, атомов, молекул или более крупных одинаковых участков) результирующее рассеяние определяется, как мы сказали, рассеянием одного центра ( области) и характером взаимного расположения рассеивающих центров. Крайне различны картины рассеяния для случаев упорядоченного и беспорядочного расположения рассеивающих центров. [38]
Рассмотрим движение частицы в поле рассеивающего центра. Будем считать рассеивающее поле сферически-симметричным и предположим, что вдали от центра падающая частица описывается плоской волной elkz, а рассеянная - расходящейся шаровой волной. Пусть найдено общее решение уравнения Шредингера в поле с центральной симметрией. Амплитуда последней, как мы знаем, определяет интересующее нас эффективное сечение рассеяния. [39]
При наличии большого числа одинаковых рассеивающих центров ( скажем, атомов, молекул или более крупных одинаковых участков) результирующее рассеяние определяется, как мы сказали, рассеянием одного центра ( области) и характером взаимного расположения рассеивающих центров. Крайне различны картины рассеяния для случаев упорядоченного и беспорядочного расположения рассеивающих центров. [40]
В этом случае смещение идентичных рассеивающих центров в пределах разных элементарных участков прибора оказывается различным как по величине, так и по направлению. [41]
В случае оптически плотного расположения рассеивающих центров, когда происходит интерференция [3, 41, 59], необходимо учитывать распределение фазовых углов в рассеянном свете. [42]
Очевидно, что роль указанных рассеивающих центров различна. Для ее оценки необходимо найти вероятность рассеяния на каждом из перечисленных видов рассеивающих центров. Для этого достаточно оценить эффективное сечение величиной некоторой площадки, в пределах которой возможно взаимодействие между носителем заряда и рассеивающим центром. [43]
Интенсивность рассеянного излучения определяется концентрацией рассеивающих центров, их размером и формой. В деформированных и предварительно ориентированных полимерах обнаружено скопление очень мелких дефектов, возникающих под действием механической нагрузки. Эти дефекты имеют форму дисков, ориентированных в поле механических сил перпендикулярно разрушающим усилиям. При однородном растяжении эти микродефекты образуют в полимере систему параллельно расположенных микродисков, каждый из которых располагается перпендикулярно оси растяжения. Анализ зависимостей скорости зарождения микродефектов от уровня растягивающего напряжения, времени и температуры позволил сделать вывод о том [36], что эти дефекты являются зародышем тех дефектов, рост которых приводит к разрыву образца. [44]
Принимая, что основная часть рассеивающих центров заряжена одинаково, получим, что ezNts Qis. [45]