Электро-нограмма

Cтраница 2

Как электронно-микроскопическое изображение, так и диф-фракционные картины могут наблюдаться на экране, расположенном в верхней части злектронографа; это дает возможность рассматривать сначала увеличенное изображение исследуемого объекта и выбрать соответствующий участок для получения его электро-нограммы. [16]

Вид электронограмм при дифракции быстрых электронов зависит от характера исследуемых объектов. Электро-нограммы от пленок, состоящих из кристалликов, обладающих взаимной ориентацией, или тонких монокристаллич. [17]

Малость длины дебройлевской волны для электрона означает большой радиус сферы Эвальда ( см. стр. Это сильно упрощает истолкование электро-нограмм, так как они оказываются прямыми изображениями плоского сечения обратной решетки кристалла. Атомные факторы для рассеяния электронов также пропорциональны атомному номеру, но по своей абсолютной величине они во много раз больше, чем для рентгеновских лучей. Иными словами, электроны взаимодействуют с веществом значительно сильнее, чем рентгеновские кванты. Поэтому они сильно поглощаются веществом, и для исследования его структуры необходимо пользоваться очень тонкими пленками толщиной порядка 10 - 5 - 10 - 6 см, тогда как размеры кристаллов, изучаемых в рентгенографии, порядка 10 1 см. Исследование необходимо проводить в высоком вакууме. Это делает невозможным применение электронографии для изучения глобулярных белков в их нативном состоянии - вакуум высушит белок. Тем не менее электронография позволяет получить ценные результаты при исследовании фибриллярных белковых структур, синтетических полимеров и других аморфных тел. [18]

При съемках конденсированного железа получаются, даже при очень медленной конденсации, электронограммы со сравнительно широкими линиями. В некоторых случаях на электро-нограммах обнаруживаются, вместо линий железа, линии окиси магнетитового типа, с 10 - - 12 характерными линиями ( фото 20; ср. Поскольку вакуум в электронографе, судя по показаниям чувствительного манометра, вполне удовлетворителен ( примерно 2 - 10 - мм рт. ст.), а продолжительность жизни осадка железа до наблюдения измерялась в этих опытах долями минуты, причиной образования окиси приходится считать влияние газов, адсорбированных поверхностью подслоя. [19]

Основным методом изучения конфигурации и расположения молекул в кристаллических областях высокополимеров является тщательная расшифровка их рентгенограмм. Аналогичные данные можно получить также и из электро-нограмм, но этот метод до сих пор еще мало используется при исследовании волокнообразующих полимеров. Некоторое представление об ориентации молекул или отдельных групп атомов можно получить, изучая оптические свойства полимера в поляризованном свете или исследуя явление поляризации инфракрасного дихроизма, однако основным методом исследования структуры кристаллов все же является изучение рентгенограмм. [20]

S. Кривая радиального распределения в жидком кремнии [ 143. [21]

В последние годы исследователей интересовал вопрос: имеет ли аморфный Si структуру беспорядочной, сетки или микрокристаллическую структуру. Из наблюдений электронно-микроскопической картины высокого разрешения следует, что картина эта совместимая электро-нограммой от аморфного Si, если принять размер микрокристалликов около 14 А в диаметре, и показывает гексагональную структуру вюрцита. [22]

С его результатом можно было бы согласиться, имея в виду, что по обезвоживании этого оксигидрата получается окись f - FezOs, как утверждает Смите. Но он же вынужден добавить, что, кроме f - FeOOH, на электро-нограммах обнаруживается присутствие еще какой-то фазы и что, судя по виду диффракционных колец, найденной структуре свойственны какие-то особенности. [23]

Однако металлические пленки препаратов для полупрямого исследования, как правило, дают настолько интенсивную собственную диффракционвую картину, что на ее фоне могут совершенно потеряться отражения, соответствующие кристаллической решетке второй фазы, - особенно тогда, когда этой фазы в исследуемом сплаве немного. В этом случае незаменима лаковая пленка ( без оттенения), которую можно изготовить настолько тонкой, что диффузное рассеяние в ней электронов практически совершенно не будет сказываться на качестве электро-нограммы частиц, находящихся в пленке. [24]

Угол поворота между кристаллографическими направлениями в микроскопическом изображении кристалла и соответствующими направлениями в дифракционной картине можно определить с помощью любого кристаллического объекта, имеющего известную кристаллографическую огранку ( габитус) или кристаллографически определенные детали видимой микроструктуры. Объекты первого типа - кристаллы МоО3 псевдоорторомбической структуры в виде плоских игл с длинным ребром вдоль [100] растут на крышке тигля при сгорании молибдена. При совмещении микрофотографии и электро-нограммы одного и того же кристалла ( совмещаются на негатоскопе3 негативы или их копии на кальке) измеряют угол между направлением ребра кристалла и соответствующим рядом рефлексов [100] на дифракционной картине. [25]

Как они отмечают, даже у пленок, полученных при оптимальном режиме ( tK 450 С, VK 25 А / сек), несмотря на хорошую воспроизводимость структуры, электрические свойства обнаруживают сильный разброс: удельное сопротивление меняется в интервале 108 - 5 - Ю6 ом-см, а подвижность электронов лежит в области 70 - 120 см2 / в-сек. Хотя значение подвижности носителей в эпитаксиальных пленках CdSe на порядок выше, чем у поликристаллических, оно все же остается низким по сравнению с монокристаллами CdSe. Этот факт, как и электро-нограммы конденсатов ( рис. 5.1), свидетельствует о значительной разориентировке отдельных кристаллов в пленке. [26]

Результаты Вола и Шишакова [21] не противоречат известным термодинамическим данным; легкость восстановления, на которую они указывали, подтверждена Кавтарадзе [31], который удалял хемосорбированный кислород с серебра медленным пропусканием над ним газообразного этилена. Эти авторы утверждают, что перекись серебра Ag2O3 устойчива в условиях каталитического окисления этилена в окись этилена на серебре. Они основывают свои заключения на сходстве рентгенограмм и электро-нограмм, полученных от частиц, удаленных с работавшего Ag / / а - А Од-катализатора, с дифракционными данными, полученными другими авторами для продукта анодного окисления растворов азотнокислого серебра. [27]

Для идентификации включений, присутствующих в материале, проводят дифракционный анализ. При этом микроэлектронограмма представляет собой плоское сечение обратной решетки, соответствующее кристаллической решетке данной фазы. Идентификация фазы сводится к нахождению такой обратной решетки, сечение которой может представлять данная точечная электро-нограмма. Поиск ведут среди обратных решеток тех фаз, присутствие которых вероятно в данном случае. Практически нужно сопоставить экспериментальную микроэлектронограмму с различными сечениями, ряда обратных решеток. Следовательно, надо иметь множество таких сечений практически для любой ориентировки кристалла. Для построения сечений обратных решеток существуют аналитические и графические методы построения. Принадлежность рефлексов той или иной фазе можно установить по темнопольному изображению, полученному в свете рефлексов данной фазы: для этого апертурную диафрагму устанавливают на рефлекс фазы, тем самым отсекая все остальные рефлексы. Все, что относится к данной фазе, - ярко светится, остальное выглядит темным. На рис. 6 приведен пример индицирования микродифракционной картины и использования темнопольного изображения для идентификации включений. [28]

Модель строения твердого раствора меди в алюминии с зоной ГП ( по Герольду. [29]

Возможно, что часть кластеров успевает образоваться уже в период закалочного охлаждения. Вначале размер кластеров очень мал и структурные методы их не выявляют. Через некоторое время кластеры могут вырасти настолько, что они вызывают дифракционные эффекты на рентгенограммах монокристаллов и электро-нограммах при просвечивании фольг. У них та же кристаллическая решетка, что и у матричного раствора, но из-за различия в атомных диаметрах металла - основы и легирующего элемента скопление легирующего элемента вызывает местное изменение межплоскостных расстояний. [30]

Страницы: 1 2 3