Габитус

Cтраница 3

Интерференционные полосы от вицинального холмика на грани призмы кристалла ADP ( рост из водного растлора. [31]

Формы роста кристаллов ( габитус) определяются анизотропией скорости К. Кристаллы с шероховатыми поверхностями имеют обычно округлую форму. Атомно-гладкие поверхности проявляются в виде граней. В результате кристалл оказывается образованным гранями с мин. Они параллельны плоскостям с наиб, плотной упаковкой и наиб, сильными связями в атомной структуре кристалла. Поэтому кристаллы с цепочечной и слоистой структурой имеют игольчатую или таблитчатую форму. [32]

Законы, управляющие модифицированием габитуса, вероятно, одинаковы как для органических, так и для неорганических веществ. Поэтому мы кратко остановимся на существующих в этой области идеях. [33]

Если проследить за изменением габитуса при использовании разных растворителей ( см. раздел 111 2), то нетрудно заметить, что одинаковые изменения часто вызывают растворители, которые близки химически; например, различные амины оказывают на йодоформ одинаковое действие. Это может свидетельствовать о хорошем пространственном соответствии при укладке молекул примеси на развивающейся грани. [34]

Еще сильнее сказывается различие габитусов у кристаллов, представляющих собой комбинации простых форм. Рассмотрим комбинацию двух простых форм - куба и октаэдра. В идеальной модели грани октаэдра притупляют все 8 вершин куба одинаковыми треугольниками. [35]

Механизм многостадийного превращения, вызванного напряжениями, в с л лаве Си - Al - Ni. при приложении напряжения ( / происходит превращение 7 1 - Р - а ЛРИ снятии напряжения ( 2 а - fl - у (. стрелками указано обусловленное частичными дислокациями скольжение, необходимое для превращения. [36]

Этот У-мартенсит имеет плоскость габитуса ( 1 0, 29) / Si и содержит двойниковые дефекты ( 101) У. При дальнейшей разгрузке возникает монокристалл с характеристической плоскостью габитуса y i -мартенсита и с такой же ориентировкой, как и первоначальная. Кристаллографическая ориентировка образовавшихся под действием напряжения мартенситных фаз У, 0, a i и & относительно друг друга почти не изменяется, что подтверждают результаты рентгеноструктурного анализа. Предполагают, что этот факт, а также то, что1 плоскость габитуса образующейся при преврещении 0 / - а ( - 0 фазы параллельна базисной плоскости, обусловлены тем, что мартенситно-мартенситные превращения происходят в результате движения частичных дислокаций, имеющих вектор Бюргер-са 1 / 3 [100] в плоскости базиса. На рис. 1.35 приведена схема, иллюстрирующая указанный механизм превращения. Таким образом, последовательные превращения между мартенситными фазами происходят путем зародышеобразования и роста частичных дислокаций в плоскости базиса. Действительно, экспериментальные результаты, полученные до настоящего времени при исследовании псевдоупругости превращения, объясняются с помощью указанной модели. [37]

Октаэдрические кристаллы алмаза. [38]

Среди плоскогранных преобладают кристаллы октаэдрического габитуса ( рис. 31), другие габитусные типы - тетраэдрический, ромбодо-декаэдрический, кубический ( рис. 32, 33, 34) - встречаются редко. [39]

Кристаллы обычно октаздрического, реже ромбоэдрического габитуса. Очень часты двойники по шпинелевому закону [ плоскость срастания ( 111), двойниковая ось J ( 111) 1, иногда полисинтетические. Известны закономерные сростки с магнетитом, гематитом, слюдой. Твердость 7 5 - 8 0, снижается до 7 5 - 7 0 при наличии примесей трехвалентных железа и хрома. Цвет зависит от состава: красный, синий, зеленый различных оттенков, черный. Черта белая, в герцините темно-серовато-зеленая. Будучи стойким минералом, может встречаться среди осадочных пород и накапливаться в россыпях. При наличии минерализаторов т-ра образования снижается. [40]

Внешний вид кристаллов операций 1 и 2 через каждые. [41]

Очевидно, что изменение габитуса получаемых кристаллов обусловлено отложением примесей на гранях, из-за чего рост кристаллов замедляется. При этом происходит искажение архитектоники кристалла без изменения состава самого кристалла. [42]

Стадийность вхождения капель железа в кристаллы слюды. [43]

Кристаллы железа различаются по габитусу и ориентационному расположению во вмещающем кристалле слюды. Источником материала для роста кристаллов железа служит мелкодисперсное железо, образующееся при распаде комплексов. [44]

Кривогранные кристаллы алмаза тетраэдрического габитуса. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5