Бериллиевая керамика

Cтраница 1

Бериллиевая керамика наряду с хорошими электроизоляционными и прочностными свойствами, стабильными вплоть до температур 600 - 800 С, водо - и кислото-стойкостью характеризуется высокой теплопроводностью, достигающей 36 % от теплопроводности меди. [1]

Обработка бериллиевой керамики должна проводиться в соответствии с Санитарными правилами при работе с бериллием и его соединениями и пп. [2]

Другим отличительным свойством бериллиевой керамики является ее высокая теплопроводность, приближающаяся по своей величине к теплопроводности металлов. Это придает бериллиевой керамике повышенную по сравнению с другими видами керамики из чистых окислов термическую стойкость. [3]

Другим отличительнымfe свойством бериллиевой керамики является ее высокая теплопроводность, приближающаяся по своей величине к теплопроводности металлов. Это придает бериллиевой керамике повышенную по сравнению с другими видами керамики из чистых окислов термическую стойкость. [4]

Большая трудность в производстве бериллиевой керамики заключается в ее токсичности. Пыль низкообожженной окиси бериллия, попадая в дыхательные органы, вызывает крайне тяжелое и затяжное отравление. Поэтому работать с порошкообразной окисью бериллия необходимо в специально оборудованном помещении с полным улавливанием отходящей пыли. [5]

Большая трудность в производстве бериллиевой керамики заключается в ее токсичности. Пыль низкообожженной окиси бериллия, попадая в дыхательные органы, вызывает крайне тяжелое и затяжное отравление. Поэтому работать с порошкообразной окисью берил - - лия необходимо в специально оборудованном помещении с полным улавливанием отходящей пыли. [6]

При изготовлении мощных ИС часто используют в качестве подложки бериллиевую керамику, обладающую высокой теплопроводностью. Все пассивные элементы ( резисторы, обкладки конденсаторов, межсоединения и контактные площадки) выполняются в несколько приемов путем последовательной термической обработки различных паст, втираемых в подложку через сетчатые трафареты. [7]

Для металлизации используют тугоплавкие материалы - молибден или вольфрам, поскольку процесс спекания глиноземистой и бериллиевой керамики протекает при температуре свыше 1400 С. [8]

В этих транзисторах обеспечен хороший теплоотвод за счет крепления кристалла полупроводника на пластине из бериллиевой керамики, имеющей высокий коэффициент теплопроводности. При изготовлении транзистора применяют травление края коллекторного перехода и удаляют участки базы и коллектора, имеющие максимальное количество примесей и дефектов. Это приводит к повышению напряжения пробоя. Такие транзисторы, имеющие скос коллекторного перехода, называются мезапланарными. [9]

Для схем, работающих при повышенных мощностях, в некоторых случаях применяют подложки из бериллиевой керамики, имеющей на порядок лучшую теплопроводность, чем алюмооксидная керамика. Однако этот материал токсичный и дорогой. [10]

Зависимость вязкости стекол от.| Процессы изготовления керамичг ской подложки. [11]

Основными керамическими материалами для подложек тонко - и толстопленочных схем являются керамика на основе окиси алюминия, марки поли-кор и бериллиевая керамика. Последняя обладает хорошими тепловыми свойствами, что делает ее самым приемлемым материалом для мощных схем, однако по прочности она уступает керамике на основе окиси алюминия. [12]

Основание корпуса выполнено из меди примерно так же, как и в приборе 2N3375; на основание напаяна прокладка из бериллиевой керамики, имеющая в плане форму не сегмента, как в 2N3375, а полного круга. На этой прокладке сверху металлизированы центральная область и четыре площадки на концах двух взаимно перпендикулярных диаметров. К этим площадкам припаиваются ленточные выводы. На среднюю площадку напаивается кристалл. Выводы от кристалла привариваются к ленточным выводам корпуса. [13]

Для гибридных толстопленочных микросхем в качестве материала подложек обычно применяют высокоглиноземистую керамику ( 96 или 99 % окиси алюминия), бериллиевую керамику, для специальных целей - металлы, покрытые термостойкой диэлектрической пленкой. Для тонкопленочных микросхем используют ситаллы, по-ликор, анодированный алюминий и полиимидную пленку. [14]

Контактная сварка расщепленным электродом ( а и линии. [15]

Страницы: 1 2 3