Бериллиевая керамика

Cтраница 2

Жало должно быть выполнено из материала, с которым не схватывается металл при сварке: из твердого сплава В К-15, молибдена, бериллиевой керамики. [16]

Пластмассой заливается вся верх - Р 7 IS Т анзи on няя часть корпуса, включая места присо - ТА700Ч в кпаксиаль - единения ленточных выводов и боковую lA / uiw в коаксиаль поверхность бериллиевой керамики. [17]

Другим отличительным свойством бериллиевой керамики является ее высокая теплопроводность, приближающаяся по своей величине к теплопроводности металлов. Это придает бериллиевой керамике повышенную по сравнению с другими видами керамики из чистых окислов термическую стойкость. [18]

Другим отличительнымfe свойством бериллиевой керамики является ее высокая теплопроводность, приближающаяся по своей величине к теплопроводности металлов. Это придает бериллиевой керамике повышенную по сравнению с другими видами керамики из чистых окислов термическую стойкость. [19]

Кристалл прибора одним из своих электродов ( базы, эмиттера или коллектора) может быть электрически связан с корпусом или полностью изолирован от него. Для улучшения теплоотвода с одновременной электрической изоляцией кристалла от корпуса часто используется держатель из бериллиевой керамики, напаиваемый на фланец корпуса. Окись бериллия является хорошим изолятором и в то же время обладает высокой теплопроводностью. [20]

Типы колебаний молекулы СОа. [21]

Тогда по обводному каналу атомы аргона диффундируют обратно к аноду. Столкновения ионов со стенками трубки могут вызвать ее разрушение, поэтому трубку изготавливают из графита или бериллиевой керамики. [22]

Керамика из окиси бериллия характеризуется слабоосновными свойствами и является устойчивым материалом по отношению к щелочным реагентам. Воздействие кислотных реагентов вызывает ее разрушение. Используется бериллиевая керамика для изготовления тиглей для плавки некоторых чистых металлов, вакуумной керамики, в качестве конструктивных материалов. [23]

Ситаллы имеют ряд преимуществ перед стеклами. Они хорошо обрабатываются, выдерживают резкие перепады температуры, обладают высоким электрическим сопротивлением, газонепроницаемы, а по механической прочности в 2 - 3 раза прочнее стекол. Для мощных ГИС применяют керамику поликор, а для особо мощных ГИС - бериллиевую керамику, имеющую очень высокую теплопроводность. [25]

Конструкция корпуса транзистора РТ3690, герметизированного с помощью пластмассы. [26]

Корпус транзистора 2N3375 ( корпус типа ТО-60) аналогичен рассмотренному в гл. ТО-63 ( см. рис. 4 - 12), но имеет меньшие габариты. Основание корпуса представляет собой медный болт. На верхнюю плоскость головки болта твердым припоем напаяна пластина из бериллиевой керамики. Как уже отмечалось в § 4 - 1, уникальные свойства керамики на основе окиси бериллия заключаются в сочетании хороших электроизолирующих свойств с теплопроводностью, почти равной теплопроводности алюминия. [27]

При использовании полупроводниковых БИС необходима многослойная коммутация с получением проводников методом трафаретной печати пастой состава Ag - Pd, слоя диэлектрика - пастой из смеси порошка А12О3 со стеклом. Межслойные переходы формируются одновременно с нанесением верхнего проводящего слоя. Недостатками такой схемы являются низкая плотность коммутационной системы и сложность механизации процесса установки бескорпусных ИМС с жесткими выводами. Определен-ные улучшения в смысле повышения плотности монтажа достигаются при использовании многослойной глиноземистой и бериллиевой керамики. Соединение коммутационных слоев выполняется с помощью металлизации отверстий в керамических платах. Так как процесс спекания керамики протекает при температурах свыше 1400 С, для проводящих дорожек применяют тугоплавкие материалы - молибден и вольфрам. [28]

Подложками пленочных ИМС служат пластины из диэлектрического материала-ситалла, стекла, керамики, применяются также полиимидные пленки. Большинство перечисленных материалов обладает относительно низкой теплопроводностью, что затрудняет отвод теплоты от элементов микросхемы. В то же время мощные функциональные узлы ( мощные усилители, вторичные источники питания, генераторы и другие) разрабатываются обычно в виде пленочных ИМС. В этом случае подложкой могут служить сорта керамики с высокой теплопроводностью ( например, бериллиевая керамика), сапфир, иногда можно использовать анодированный алюминий. Тонкая пленка окисла на поверхности металла служит изоляцией для элементов пленочной микросхемы. Вместе с тем, имея небольшую толщину и значительную площадь, эта пленка не обладает большим тепловым сопротивлением. Керамические подложки, имеющие шероховатую поверхность, для тонкопленочных микросхем малопригодны и используются преимущественно для толстопленочных микросхем. [29]

Полупроводниковые кристаллы, используемые в этих диодах, не претерпели каких-либо существенных конструктивных изменений, однако отсутствие герметичного корпуса требует особенно тщательной их защиты от воздействия окружающей среды. Для этого используют окисные или другие диэлектрические пленки, которые получают в процессе изготовления полупроводникового активного элемента в сочетании с последующим нанесением лаков или смол, служащих также и для защиты кристаллов от случайных механических воздействий, а также герметизацию всей схемы. Надо отметить также сложность монтажа диодов с круглым керамическим держателем в схему, так как трудно добиться полного совмещения полоски на держателе с полоской на подложке, в результате чего в передающем тракте возникают ступеньки, увеличивающие потери в схеме. В связи с тем, что теплопроводность материалов, применяемых для изготовления подложек микросхем, значительно ниже ( за исключением бериллиевой керамики), чем у металлов, мощность рассеяния у приборов с керамическим теплоотводом меньше, чем у диодов в корпусах с металлическими кристал-лодержателями. [30]

Страницы: 1 2 3