Конструирование - микросхема
Cтраница 1
Конструирование СВЧ микросхем включает расчет и пректиро-вание изделия по заданным электрическим параметрам с учетом процессов сборки и регулировки. При этом определяют вариант схемы узла, материал и геометрические размеры подложки, исходные материалы и последовательность их нанесения для получения проводящих, резистивных и емкостных элементов, а также их геометрические размеры и взаимное расположение. [1]
При конструировании микросхемы стремятся применять диоды, эквивалентные переходам эмиттер-база или коллектор-база транзисторной структуры. В этом случае диоды изготовляют в едином технологическом цикле с остальными элементами. [2]
Расчет и конструирование микросхем должны производиться с учетом разброса электрических параметров бескорпусных полупроводниковых приборов и обеспечивать защиту приборов от воздействия светового потока, а также надежную герметизацию бескорпусного полупроводникового прибора. [3]
Главным при конструировании микросхем является выбор технологичных и стабильных по свойствам материалов, определение оптимальной структуры и топологии схемы и надежная ее защита от внешних воздействий. Технология и конструирование в микроэлектронике неотделимы. [4]
С этой точки зрения при конструировании СВЧ микросхем к подложкам предъявляются дополнительные требования, связанные со спецификой работы СВЧ устройств. [5]
Изготовление индуктивных компонентов является нерешенным вопросом при конструировании микросхем. Разрабатываются индуктивные элементы в виде плоских спиралей. В данном случае в пределах ограниченного объема индуктивность может быть увеличена или путем увеличения числа витков и поперечного сечения катушек или путем повышения магнитной проницаемости окружающей среды. Для более высоких значений индуктивности применяют подсоединение пьезоэлектрического резонатора или каскады, эквивалентные индуктивности. [6]
Из проведенных исследований может быть выведен ряд критериев для выбора подложек и конструирования микросхем. Они сводятся к следующему: поскольку главное значение имеет высокая теплопроводность желательными материалами для подложек являются очень плотные окиси алюминия и бериллия. Предпочтительными являются металлические пластины, изолированные окисными эмалевыми или форфоровыми слоями. Применимы также очень тонкие стеклянные пластины, смонтированные на эффективных теплоотводах. Элементы, рассеивающие мощность, должны быть размещены как можно ближе к теплоотводам и равномерно распределены по всей подложке. В случае тонкопленочных резисторов с отношением размеров 1 применяют металлические контакты большой площади, помогающие рассеивать мощность. В общем, проводники должны иметь высокую теплопроводность, а соединения - низкое тепловое сопротивление. Это означает, что для тонкопленочных внутрисхемных соединений они должны быть как можно шире и толще. Наконец, необходимо предупреждать образование промежуточных ( межслойных) окислов. Хотя эти выводы и были сделаны в основном для квазистационарного рассеяния мощности, однако они справедливы также для импульсного режима работы. Переходные напряжения, накладывающиеся на нормальное рабочее напряжение, являются дополнительным осложняющим фактором. Тонкопленочные приборы часто имеют малые времена нарастания сигнала и не могут достаточно быстро рассеять внезапный пик мощности. [7]
 |
Влияние геометрии проводника и диэлектрической постоянной подложки на. [8] |
Из рис. 15 видно, что паразитную емкость между токоведущими дорожками необходимо принимать во внимание при конструировании тонкопленочных линейных микросхем, особенно с высокочастотными характеристиками. [9]
 |
Эскиз топологического чертежа полупроводниковой ИС - логического элемента ТТЛ со сложным инвертором. [10] |
С разработки ЭЗ ( рис. 3.12), являющейся обязательным документам основного комплекта КД, начинается процесс конструирования микросхемы. [11]
Цифровой принцип построения радиоэлектронной аппаратуры позволяет обойти еще одну трудность, связанную с использованием микроэлектронных схем. При конструировании микросхем весьма трудно изготовить индуктивные и емкостные элементы. Использование же узлов и блоков, построенных на цифровом принципе и содержащих только резисторы, диоды и транзисторы, дает возможность избежать применения индуктивных и емкостных элементов. [12]
Резистивный материал выбирают с учетом удельного сопротивления единицы поверхности пленки ро, ее толщины t, допустимой удельной мощности рассеяния / V Необходимое удельное сопротивление должно обеспечиваться при толщине пленки не менее 0 05 мкм, в противном случае надежность резисторов при повышенных электрических и тепловых нагрузках не гарантируется. Следует учитывать также, что допустимая удельная мощность рассеяния для конкретного резистивного материала определенной толщины зависит от теплопроводности материала подложки и класса чистоты обработки ее поверхности. Поэтому при конструировании микросхем, работающих при повышенной мощности рассеяния, допустимую мощность целесообразно рассчитывать по температуре локального перегрева в зоне резистора, которая не должна превышать 100 С. [13]
Температурная нестабильность, величина которой повышается с увеличением задержки, обусловлена тем, что приращение температуры перехода на начальном участке временной зависимости нарастания тока, определяющем в основном время задержки, в большинстве случаев оказывается одного порядка и меньше фактического изменения температуры среды. Для уменьшения влияния температуры среды могут быть использованы известные методы: термостатирование и термокомпенсация. Термо-статирование приемлемо в случае маломощных транзисторов и при конструировании микросхем, термокомпенсация - для транзисторов любой мощности. В качестве термокомпенсирующих элементов могут быть использованы терморезисторы, полупроводниковые диоды и транзисторы. [14]
 |
Структура полупровод пиковой интегральной микросхемы ( а и ее эквивалентная схема ( б. [15] |
Страницы: 1 2