Cтраница 2
Активные элементы ( транзисторы и диоды) полупроводниковых интегральных микросхем имеют хорошие электрические характеристики, так как они изготовлены в монокристалле полупроводника. Пассивные элементы ( резисторы и конденсаторы) обладают рядом недостатков: диапазон их номиналов ограничен, мала точность изготовления необходимого номинала и получается большой разброс параметров. Кроме того, полупроводниковые резисторы обладают существенной температурной зависимостью, что осложняет конструирование микросхем. Еще одним недостатком полупроводниковых интегральных микросхем является наличие большого числа паразитных связей между элементами и наличие емкостей, отделяющих резистор от полупроводниковой подложки. [16]
Исходные данные для разработки микросхемы содержатся в техническом задании, которое формулирует требования к электрическим, конструктивным, эксплуатационным параметрам и надежности ИМС. Естественно, что основные требования технического задания определяет разработчик РЭА, в состав которой должна войти проектируемая микросхема. Поэтому инженер-схемотехник ( инженер-системотехник), разрабатывающий аппаратуру, помимо общих представлений о кон-структорско-технологических особенностях ИМС должен знать основные этапы и приемы конструирования микросхем. [17]