Cтраница 2
Такое предположение соответствует случаю, когда напряжение на электронно-дырочном переходе обратное или очень небольшое прямое, так что токи невелики. Кроме того, чтобы это предположение было справедливо, концентрация примесей в полупроводнике, в котором образован электронно-дырочный переход, должна заметно превосходить собственную концентрацию носителей. Влияние подвижных носителей в данном случае сказывается лишь в тонких слоях на границе объемного заряда и иногда у самого контакта областей. Связанные с этим погрешности расчета чаще всего невелики. [16]
Вблизи контакта областей начинает сказываться влияние неосновных для данной области носителей заряда - так называемого инверсного слоя. Образование такого слоя в несимметричных переходах поясняет рис. В. Как видно из рисунка, в связи с тем, что падения напряжений на областях перехода обратно пропорциональны концентрации примесей в них, точка, где уровень Ферми в состоянии равновесия пересекает середину запрещенной зоны, не совпадает с границей контакта областей, легированных примесями разных типов. Следовательно, в слабо легированной части несимметричного резкого электронно-дырочного перехода существует слой, тип носителей в котором не соответствует типу примесей. Такой слой и называют инверсным. [17]
Транзистор представляет собой пластину полупроводника п - или р-типа, на гранях которой созданы области противоположного типа электропроводности 3, на границах между которыми образованы p - n - переходы. На торцевых сторонах пластины и на областях формируют омические контакты. Контакты областей 3 соединены между собой и образуют общий контакт. От всех трех контактов имеются выводы. Часть объема пластины полупроводника, расположенная между p - n - переходами, является активной частью транзистора - канал транзистора. Контакт, через который носители заряда входят в канал, называют истоком ( И); контакт, через который носители заряда вытекают, называют стоком ( С); общий электрод от контактов областей ( 3) - затвором. [18]
При обратных напряжениях на полупроводниковом диоде ( и обратном напряжении на его выпрямляющем контакте, например p - n - переходе) происходит экстракция неосновных носителей заряда из областей полупроводника, примыкающих к контакту ( см. § В. Это приводит к тому, что концентрация неосновных носителей непосредственно у границы области объемного заряда перехода падает. В примыкающей к контакту области создается градиент концентрации неосновных носителей и проходит диффузионный ток. При этом через электронно-дырочный переход проходят неосновные носители, генерируемые в объеме полупроводника и на невыпрямляющем контакте диода. [19]
Такое напряжение, у которого полярность совпадает с полярностью основных носителей, называется прямым. На этом и следующих рисунках потенциальная диаграмма показана упрощенно. Для рассмотрения п - р-перехода процессы в остальных частях цепи не представляют интереса. Не показано также изменение потенциала в контактах областей пирс электродами, к которым присоединены провода от источника напряжения. [20]
Контакты областей 3 соединены между собой и образуют общий контакт. От всех трех контактов имеются выводы. Часть объема пластины полупроводника, расположенная между р-п-перехо-дами, является активной частью транзистора - канал транзистора. Контакт, через который носители заряда входят в канал, называют истоком ( И); контакт, через который носители заряда вытекают, называют стоком ( С); общий электрод от контактов областей ( 3) - затвором. [21]
Транзистор представляет собой пластину полупроводника п - или р-типа, на гранях которой созданы области противоположного типа электропроводности 3, на границах между которыми образованы p - n - переходы. На торцевых сторонах пластины и на областях формируют омические контакты. Контакты областей 3 соединены между собой и образуют общий контакт. От всех трех контактов имеются выводы. Часть объема пластины полупроводника, расположенная между p - n - переходами, является активной частью транзистора - канал транзистора. Контакт, через который носители заряда входят в канал, называют истоком ( И); контакт, через который носители заряда вытекают, называют стоком ( С); общий электрод от контактов областей ( 3) - затвором. [22]