Хороший омический контакт
Cтраница 2
При эпитаксиальном методе в качестве исходного монокристалла используют пластинки из почти вырожденного полупроводника р - или n - типа с удельным сопротивлением порядке0 001 - - 0 01 Ом - см. Эти пластинки, являющиеся механическим держателем, должны создавать хороший омический контакт с эпитаксиальной пленкой. На предварительно отшлифованной и отполированной пластинке выращивают слой полупроводника толщиной до 50 мкм и в нем создают необходимую структуру. Эпитаксиальным методом можно получить как германиевые, так и кремниевые приборы. [16]
От материала, который используется для слоя со стороны окна в солнечных элементах на основе a - Si: Н, требуются такие свойства, как: 1) высокая оптическая прозрачность в видимой части солнечного спектра с целью обеспечения эффективного проникновения падающих фотонов в / - слой, где генерируется фототок; 2) высокая проводимость для создания хорошего омического контакта с прозрачным электродом. [18]
Главное требование, которому должны удовлетворять проводящие пленки, используемые для межэлементных соединений на кристалле - обеспечение омического контакта с диффузионными областями структур полупроводниковых микросхем и другими металлическими пленками. Хороший омический контакт имеет небольшое переходное сопротивление и линейную вольт-амперную характеристику. Для успешного выполнения внешних соединений материал пленки должен хорошо поддаваться термокомпрессионной сварке. [19]
В области 7000 - 8000А примерно каждому падающему фотону соответствует электрон. Электрические измерения показали, что Си2Те образует хорошие омические контакты с дырочным теллуридом кадмия. Все это согласуется с показанной на рис. 10.7 схемой, из которой видно, что потенциальный скачок в месте разрыва зон не будет сказываться на движении дырок. [20]
 |
Энергетическая зонная диаграмма омического перехода. [21] |
Наиболее часто в качестве металла для омических контактов на кремнии используют алюминий, силициды металлов ( платины, никеля), эвтек - Металл тику золото-кремний. В частности, алюминий, являясь акцепторной примесью, дает хорошие омические контакты на р-кремнии. Подавлению ин-жекции неосновных носителей заряда способствует нарушение поверхности полупроводника ( например, шлифовкой), за счет чего образуются дефекты кристаллической решетки, являющиеся эффективными центрами рекомбинации. Подобную роль в кремнии выполняют золото и плч-тина. [22]
Известно, что окислы на кремнии не восстанавливаются в процессе электроосаждения металла на полупроводник, в противоположность окислам на германии. Тем не менее, даже на германии довольно трудно иногда создать хороший омический контакт вследствие существования на поверхности n - Ge инверсионного слоя, особенно при высоких удельных сопротивлениях материала. [23]
Свойства этих металлов имеют значение в случае травления SiOj, при котором изолирующий слой окиси может быть очень тонким. При соприкосновении алюминия с этим слоем SiOz восстанавливается, высвобождая кремний, что способствует образованию хорошего омического контакта. Что же касается золота, то оно, как было указано выше, не восстанавливает SiO. При этом не удается достигнуть хорошего сцепления поверхности со слоем золота. [24]
 |
Образование контакта в ИС. вскрытие А1 ( а, б, удаление SiO2 ( в, соединение за счет выброса расплавленного Si и осаждения его на А1 ( г. [25] |
Поскольку слой SiO2 прозрачен в видимом диапазоне длин волн, то следующие импульсы поглощаются поверхностным слоем Si, в результате чего происходит его испарение с последующим повышением давления паров. Это приводит к микровзрыву с разрушением слоя SiO2 и выбросом расплавленного Si, который оседает на А1 с образованием хорошего омического контакта. Количество лазерных импульсов определяет качество соединения слоя алюминия микронной толщины и сильно легированного слоя - Si. Если количество импульсов меньше четырех, то нужного соединения не получится, а если оно больше этой величины, лазерное излучение проникает в p - Si слой, производя его разрушение. [26]
Хотя это в полной мере относится и к покрытияи приготовленным на отпескоетруенном титане, все же следует отметить что поведение таких анодов при сравнительно высоких 1 указывает ва благоприятное влияние пескоструйной обработки на создание хорошего ацентрического контакта у твердофазной границы ( и. Вероятно, это связано с амортизацией поверхности титана, способствующей лучшему сцеплению и спеканию Со о с подложкой, что в свою очередь способствует снижение контактного сопротивления у твердофазной граница и образованию хорошего омического контакта. [27]
Он достаточно хорошо обеспечивает выполнение большинства требований: его легко наносить и обрабатывать; удельное сопротивление имеет величину около 3 10 - 6 Ом см; он имеет хорошую адгезию к кремнию и SiO2, легко обеспечивает внешние соединения; образует хорошие омические контакты с кремнием; выдерживает плотности тока более 105 А / см2 при 150 С. Более того, алюминий относительно стоек против окисления и стабилен вплоть до температуры эвтектики с кремнием ( 577 С) в течение коротких промежутков времени. [28]
Структура GaAs - ЗШП-транзистора изображена на рис. 3.30. На монокристаллической пластине GaAs с высоким удельным сопротивлением ( обычно порядка 108 Ом-см, поэтому такую пластину называют полуизолирующей подложкой) сформирован тонкий электропроводный слой n - типа, который называется активным слоем. В активном слое расположены области истока, затвора и стока. Для получения хороших омических контактов на активном слое n - типа под электродами истока и стока расположены п - области. Электрод затвора образует с активным слоем контакт Шоттки. [29]
В качестве внешних выводов для пленок Мо - Аи используется золотая проволока. Описаны различные варианты этой системы металлизации. Например, перед ланесе-нием молибдена на кремний для обеспечения хорошего омического контакта часто применяют подслой из платины или алюминия. [30]
Страницы: 1 2 3