Хороший омический контакт

Cтраница 3

Для снижения времени жизни неравновесных носителей заряда в германий вводятся атомы золота. После получения диффузионной структуры кристаллы припаиваются к держателю 4 оловянным припоем с присадкой сурьмы. Со свободной стороны кристалла стравливается и-слой 3 и для получения хорошего омического контакта в обнаженную р-область вплавляются индиевые шарики 1 диаметром около 300 мк. Меза-структура получается глубоким химическим травлением кристалла с омическим контактом в смеси пергид-роли со щелочью. При этом стравливаются все диффузионные слои на незащищенной части поверхности кристалла. [31]

На рис. 3, а и б изображена система МДМ в случае одинаковых омических контактов и в отсутствие смещения. На рис. 3, а обогащенные области простираются вглубь диэлектрика. Ферми до наивысшей точки дна зоны проводимости меньше равновесного расстояния; - Х - Это обусловлено тем, что либо толщина диэлектрика слишком мала, либо граничные потенциальные барьеры слишком РЫСОКН, в результате чего заряд, содержащийся внутри диэлектрика, недостаточен для эффективного экранирования внутреннего объема пленки от границ. Рис 3, б иллюстрирует случай хороших омических контактов ( небольшой граничный потенциальный барьер) к диэлектрику. Области обогащения эффективно экранируют внутреннюю часть диэлектрика от влияния границ. Дно зоны проводимости является плоским внутри диэлектрика ( свободная от поля область) и высота его достигает равновесного положения if j - х над уровнем Ферми. [32]

После диффузии фосфора на пластинке образуется тонкий n - слой, который сошлифовывают с одной стороны заготовки. Затем заготовки нагревают в атмосфере азота, содержащего трех-хлористый бор. Бор вступает в реакцию с открытой поверхностью кремния, на которой происходит осаждение бора, диффундирующего в кремний. Эту вторую операцию диффузии можно проводить при более низкой температуре или за более короткое время, чем первый диффузионный цикл, так как для получения хорошего омического контакта достаточно иметь на поверхности кремния тонкий р-слой. [33]

На рис. 3, s и г изображен случай блокирующих контактов к диэлектрику. На рис. 3, в обедненные области простираются вглубь диэлектрика в результате того, что или диэлектрик слишком тонок, или концентрация легирующих примесей слишком мала. Как и на рис. 3, а, электрическое поле существует во всех точках диэлектрика, дно зоны проводимости искривляется, но в противоположную сторону сравнительно со случаем рис. 3 с. Из-за недостаточного экранирования внутренней части диэлектрика низшая точка дна зоны проводимости располагается над уровнем Ферми на расстоянии несколько большем, чем 4; - Х - В противоположность этому рис. 3, г иллюстрирует случай эффективного экранирования внутренней части диэлектрика от влияния границ благодаря либо высокой концентрации легирующих примесей, либо большой толщине диэлектрика. При этих условиях, как и в случае хороших омических контактов, внутренняя часть диэлектрика свободна от поля и дно зоны проводимости занимает равновесное положение if; - X наД уровнем Ферми. [34]

Из этих веществ изготавливаются тонкие слои, к которым присоединяются металлические электроды. При этом либо на одном из контактов, либо в самом полупроводнике создается запорный слой. Если теперь обеспечить генерацию носителей светом в области запорного слоя, то за счет разделения носителей контактным полем на внешних электронах фотоэлемента при его освещении возникает фото-э. В фотоэлементах с запорным слоем на границе металл - полупроводник это можно сделать, освещая запорный слой как через полупроводник, так и через полупрозрачный металлический электрод. В случае рис. И 8 а электрод в форме кольца обеспечивает прохождение света к запорному слою на границе между селеном и железным электродом. В случае рис. 118 5 запорный слой образуется на границе между прозрачной золотой пленкой и селеном. Железная пластинка при этом покрывается слоем висмута или никеля, чем гарантируется хороший омический контакт с селеном. [35]

Схемы для компенсации неэквипотенциальности электродов Холла. [36]

Эта область должна содержать примеси того же типа, что и в основной части полупроводника, но в значительно большей концентрации. Как уже указывалось, хорошие контакты на n - Ge можно получить, припаивая электроды очень чистым оловом с прибавкой 5 - 10 % Sb. Сварные контакты с Ge выпрямляют. Невыпрямляющие контакты с InSb дает пайка индием или сплавом In с 5 - 10 % Ag. Есть указание [ 2i ], что хорошие невыпрямляющие контакты с InSb получаются, если предварительно покрыть поверхность образца медью гальваническим способом, припаять электроды, а затем растворить медь азотной кислотой. Пленки и кристаллы HgSe и HgTe в контакте с Ag, Gu, Ni и Pt дают хорошие омические контакты. Наиболее стойкие контакты дает Ni. Выпрямление на контакте особенно неприятно в тех случаях, когда датчик работает на переменном токе и в переменном магнитном поле. [37]

Страницы: 1 2 3