Атом - галлий
Cтраница 3
Например, если в кристалле кремния атом кремния, имеющий четыре электрона, заместить на атом галлия с тремя валентными электронами, то возникает примесный центр Gali с акцепторными свойствами. Но при легировании кристалла кремния мышьяком, у которого пять валентных электронов, появляется электронная проводимость. [31]
Шоттки, не отличались бы от большого числа свободных узлов, связанных с распределением 2N атомов галлия по 3N узлам. [32]
Когда образуется твердый раствор на базе химического соединения, например арсенида галлия, атомы магния или кадмия замещают атомы галлия, но не мышьяка; атомы фосфора, селена и теллура наоборот, замещают атомы мышьяка, но не галлия. Возможность такого замещения сильно зависит от типа связи, от размеров и ЭО атомов заместителей и замещаемых. В решетках соединений типа А ПБУ связи между атомами ковалентные полярные, и неметаллические атомы замещают атомы В, а металлические атомы замещают атомы А. В этих решетках атомы А не замещаются атомами В и наоборот; однако в решетках с металлическими связями между атомами подобные замещения возможны. [33]
Когда образуется твердый раствор на базе химического соединения, например арсенида галлия, атомы магния или кадмия замещают атомы галлия, но не мышьяка; атомы фосфора, селена и теллура, наоборот, замещают атомы мышьяка, но не галлия. Возможность такого замещения сильно зависит от типа связи, от размеров и ЭО атомов заместителей и замещаемых. В решетках соединений типа AHIBV связи между атомами ковалент-ные полярные, и неметаллические атомы замещают атомы В, а металлические атомы замещают атомы А. В этих решетках атомы А не замещаются атомами В и наоборот; однако в решетках с металлическими связями между атомами подобные замещения возможны. [34]
Для улучшения согласия между теоретическими и экспериментальными данными в рамках дисперсионной теории необходимо учесть асферичность распределения зарядов на атомах галлия и мышьяка в кристалле. [35]
Отличие подобных полупроводников от германия и кремния заключается в том, что каждый атом элемента III группы, например атом галлия, окружен четырьмя атомами элемента V группы, например атомами сурьмы. Каждый атом элемента V группы в свою очередь окружен четырьмя атомами элемента III группы. [36]
В случае же введения в кристалл германия примеси атомов галлия, имеющих во внешнем слое по 3 электрона, атомы галлия используют их все для образования трех ковалентных связей с 3 соседними атомами германия. [37]
Отличие подобных полупроводников от, германия и кремния заключается в том, что каждый атом элемента III группы, например атом галлия, окружен четырьмя атомами элемента V группы, например атомами сурьмы. Каждый атом элемента V группы в свою очередь окружен четырьмя атомами элемента III группы. [38]
Через г обозначена величина смещения заряда связи из положения, соответствующего середине связи галлий - мышьяк, в направлении к атому галлия. [39]
Элементы IV группы Периодической системы кремний и германий в малых концентрациях ( до 1017 см-3) действуют как доноры, замещая атомы галлия. [40]
При нейтральных или слабо восстановительных условиях и концентрациях галлия 2 4 - 1019 см-3 ( % 10 - 3) внедрение атомов галлия в CdS сопровождается образованием равного количества свободных электронов; при концентрации галлия 2 - Ю20 см 3 ( 10 - 2) концентрация свободных электронов только удваивалась. С нашей точки зрения, в этом случае при высоких концентрациях галлия должны образовываться ( GacdVcd) или ( 2GacdVcd) x, или оба ассоциата вместе. [41]
Донорами служат сера, селен, теллур, а также элементы IV группы системы Д. И. Менделеева при малой концентрации, когда они замещают атомы галлия. [42]
В сульфиде галлия Ga2S3 каждый атом галлия окружен 4 атомами серы, а каждый атом серы - в среднем 22 / 3 атомами галлия. Другие конфигурации ( 4 0 1 - 3) энергетически не выгодны и их можно не принимать во внимание. [43]
 |
Диаграммы состояний. [44] |
Замещая часть атомов мышьяка в арсениде галлия атомами селена или теллура, можно получить образцы с электронной проводимостью, а при замещении части атомов галлия цинком или кадмием получаются образцы с дырочной проводимостью р-типа ( см. гл. [45]
Страницы: 1 2 3 4