Cтраница 4
Замещая часть атомов мышьяка в арсениде галлия атомами селена или теллура, можно получить образцы с электронной проводимостью, а при замещении части атомов галлия цинком или кадмием получаются образцы с дырочной проводимостью р-типа. [46]
Бобб и др. [ 44 показали, что совершенство пленок GaAs на германии определяется ориентацией подложки и тем, по каким плоскостям - упакованным атомами галлия или мышьяка - происходит срастание. При наличии загрязнений на подложке возникают кристаллы, у которых наружу обращены плоскости, упакованные галлием. В первом случае пленки имеют гладкую поверхность, во втором грубую в областях роста плоскостей, упакованных галлием. [47]
Описаны и охарактеризованы карбонильные комплексы типа М ( Мп ( СО) 5 ] 3 и другие, у которых атом марганца связан с атомами галлия, индия и таллия [ 508, 508а, 5086 ]; таллиевое производное крайне чувствительно к действию окислителей. [48]
Различие в структурах второго снаружи энергетического уровня, в котором у атомов бора содержится только два электрона, у атомов алюминия - восемь, у атомов галлия, индия и таллия - восемнадцать, является причиной различия ряда химических свойств этих элементов. Бор проявляет главным образом свойства неметалла, а остальные элементы этой группы являются металлами. [49]
Для того чтобы превратить незаполненные гкбри-дизованные состояния на поверхности GaAs в пйбридизованные состояния с двумя электронами, необходимо, поместить по два электрона в каждое ги бридизованное состояние атома галлия, что энергетически невыгодно. Действительно, недавние эксперименты Чая, Бабалолы, Сукегавы и Опайсера [.248] указывают на то, что на поверхности GaP в вакууме пиннинг уровня Ферми отсутствует. Тем не менее на границе GaP - металл барьер Шоттжи может иметь место. Ответственными за этот эффект считаются иадущщрованные металлом поверхностные состояния ( обсуждаются в разд. Шоттки возникает просто из-за внедрения атомов металла в полупроводник или наоборот. [50]
Из сульфидов Ga2S3 встречается в нескольких модификациях, две из которых нестабильны и соответствуют типу вюртпита и типу сфалерита, и одна стабильная, представляющая сверхструктуру вюртцитного типа с упорядоченным распределением атомов галлия в тетраэдрических пустотах гексагональной шютнейшей упаковки серы. [51]