Выбитый атом - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Если человек знает, чего он хочет, значит, он или много знает, или мало хочет. Законы Мерфи (еще...)

Выбитый атом

Cтраница 1


1 Предполагаемая форма РВПЙРТКЯ КЛНГТПУКТШ. [1]

Выбитый атом, в свою очередь, выбивает еще несколько атомов из узлов решетки. При облучении одним нейтроном 3 2 - 10 - 13 Мдж ( 2 Мэв) алюминия и бериллия возникает соответственно 6030 и 454 пары Френкеля.  [2]

Первично выбитый атом ( ПВА) с энергией около 540 эВ может рассеять энергию отдачи путем образования теплового пика, или так называемой горячей зоны. Горячая зона характеризуется следующими параметрами: размерами; временем существования; температурой.  [3]

Если энергия выбитого атома заметно превосходит Ed, то он способен выбить из решетки другой атом.  [4]

ПВА - первично выбитые атомы.  [5]

6 Энергия выбитого атома. [6]

В конце пути первично выбитого атома создается лавина смещений и возникает некоторая область с высокой концентрацией дефектов. Эта область называется зоной или пиком смещения и имеет размеры порядка 20 - 100 А. В момент выделения энергии вещество в зоне расплавляется, часть атомов покидает зону. Через - 10 - 10 с энергия из зоны отводится в окружающее пространство и атомы зоны конденсируются, повторяя решетку окружающей матрицы. При этом большинство возникших пар Френкеля рекомбинирует, однако зона все же оказывается насыщенной точечными дефектами. В дальнейшем концентрация дефектов в зоне понижается в результате теплового отжига. Скорость отжига определяется температурой образца.  [7]

8 Дсзная зависимость концентрации пор в стали 304, облученной ионами N1 с энергией 5 МэВ при 625 С [ 17J.| Зависимость ( гг 3 от1 дозы при электронном ( / - 1 МэВ, е -. Тобл 500 С и ионном ( 2 - МэВ, Ni6. Гобл 525 С облучении стали 316. [8]

Кроме того, от спектра первично выбитых атомов зависит доза, при которой появляются фиксируемые поры.  [9]

Коэффициент распыления, определяемый как отношение числа выбитых атомов к числу ионов, падающих на мишень, является наиболее важным параметром, характеризующим процесс ионного распыления. Первостепенная задача каждой теории ионного распыления состоит в том, чтобы, не используя дополнительных подгоночных параметров, вычислять коэффициенты распыления на основании данных, характеризующих материал мишени и бомбардирующие ионы. Существует много способов экспериментального определения коэффициентов распыления. К ним относятся способ радиоактивных индикаторов, спектроскопические способы, способы, основанные на изменении резонансной частоты кварцевого кристалла, используемого либо в качестве мишени, либо в качестве подложки, и на изменении электрического сопротивления или работы выхода ( термоэлектронной эмиссии) материала мишени. Во всех способах калибровка осуществляется по непосредственному взвешиванию мишени.  [10]

Выражение (2.4) свидетельствует о том, что после замедления первично выбитого атома до пороговой энергии ионизации вся оставшаяся энергия тратится на упругие столкновения.  [11]

Обобщая данные выполненных работ, можно сделать следующие выводы: число первично выбитых атомов не определяет уровень радиационного щфщщенйя металлов; заметную роль в создании упрочняющих дефектовнбарьеров играют вы-оокоэнергетичные ПВА, которые создают субкаскадную структуру в облучаемом материале; в довольно широком интервале температур - от гелиевой до 0 2 Тпл.  [12]

Быстрые нейтроны претерпевают упругие соударения, подобные столкновениям биллиардных шаров, передавая выбитым атомам энергию, достаточную для того, чтобы они могли оторваться от молекулы или решетки. Обладая высокой энергией, они вызывают возбуждение как вторичный эффект.  [13]

Теория показывает, что один нейтрон может вывести из равновесного состояния при помощи выбитых атомов до 300 атомов в алюминии. Такие сильные нарушения в кристаллической решетке создают в ней дефектные места.  [14]

При облучении электронами энергия отдается атомам малыми порциями, недостаточными для того, чтобы первично выбитый атом мог вызвать дальнейшие смещения. Поэтому в результате рассеяния электронов в веществе образуются лишь одиночные дефекты. Действие у-квантов на вещество по результатам близко к облучению электронами, поскольку у-кванты взаимодействуют с атомами облучаемого вещества не непосредственно, а через образованные ими быстрые электроны. Благодаря малому поглощению у-кванты глубоко проникают в вещество, поэтому глубина повреждения вещества в этом случае значительно больше, чем при облучении электронами. Однако интенсивность воздействия у-квантон соответственно меньше.  [15]



Страницы:      1    2    3    4