Диффундирующий атом

Cтраница 2

Энергия активации диффузии зависит от энергии связи диффундирующего атома в решетке растворителя. Чем выше Q, тем сильнее удерживается атом в первоначальной позиции, тем ниже D и меньше скорость диффузии. [16]

Концентрационные напряжения, определяемые в основном концентрацией диффундирующих атомов, по своей природе являются статическими; они могут наблюдаться и после охлаждения, когда диффузионная подвижность практически отсутствует. [17]

Процесс диффузии в кристаллах осуществляется так, что диффундирующий атом движется в определенном направлении путем перескоков в вакантные места решетки; этот же процесс можно рассматривать как дрейф вакансий в противоположном направлении. Внедренные атомы и вакансии деформируют решетку, поэтому для образования вакансии рядом с внедренным атомом - собственным или примесным - требуется меньшая энергия, чем для образования ее в любом другом участке кристалла; именно поэтому вакансия взаимодействует с диффундирующим атомом. [18]

Зависимость коэффициента [ IMAGE ] Влияние легирования a - Fe. [19]

Поскольку процесс диффузии связан с энергетическими характеристиками взаимодействия диффундирующего атома с решеткой растворителя, большое влияние на процесс оказывают температура и состояние решетки растворителя - наличие в ней инородных атомов - атомов легирующих элементов. Таким образом, скорость диффузии какого-либо элемента в легированной стали зависит от характера и степени ее легирования. Несомненно, имеет значение и концентрация атомов диффундирующего элемента. [20]

Ав имеет значение, общее для обоих сортов диффундирующих атомов. При этом формула (6.228) показывает, что DAB в общем случае зависит от концентраций компонентов твердого раствора. Однако такая зависимость пропадает в случае разбавленных растворов. [21]

В данной главе преследуется цель выяснить особенности взаимодействия диффундирующих атомов и молекул с решеткой твердого тела на основе детального анализа взаимосвязи между изменениями спектров ЯМР и вызывающими эти изменения процессами, в том числе внутренней подвижности в кристаллах. [22]

Скорость диффузии ( коэффициент диффузии) при проникновении диффундирующих атомов в решетку растворителя будет выше, если при взаимодействии образуются твердые растворы внедрения, и значительно ниже, если образуются твердые растворы замещения. [23]

Перечисленные результаты необходимо учитывать при расчете примесного профиля диффундирующих атомов в эмиттерных областях эпитаксиально-планарных транзисторов полупроводниковых ИМС. Длительность разгонки эмиттерной примеси обычно составляет менее одного часа. [24]

Все изложенное относится только к простейшим случаям, когда диффундирующий атом сам является дефектом ( атом в междоузлии) или при диффузии вакансий. [25]

Для объяснения этого факта необходим учет влияния электронных состояний диффундирующих атомов, различных дефектов и их воздействия на механизм диффузии. Экспериментально проверено, что атомы междуузлий I группы и атомы, диффундирующие по вакансиям V группы, находятся в равновесии и могут быть электронейтральными или нести заряд одного или другого вида. [26]

Зависимость толщины диффузионного слоя от продолжительности насыщения ( а, концентрации на поверхности ( б и температуры ( в. [27]

Скорость диффузии ( коэффициент диф фузии) при проникновении диффундирующих атомов в решетку растворителя будет выше, если при взаимодействие образуются твердые растворы внедрения, и значительно ниже, если образуются твердые растворы замещения. [28]

Профили распределения примесей по толщине кремниевой пленки, осажденной на сапфира. [29]

В четвертом образце, например, расстояние, проходимое диффундирующими атомами за время отжига, превышает 15 мк. Коэффициент диффузии А1 в Si при 1375 С равен З - Ю 10 см / сек. Поэтому концентрация примеси по толщине пленки успевает полностью выравняться. Количественное определение коэффициентов, диффузии алюминия в кремнии, выполненное по этим данным, позволило установить, что в пленках значения D в 4 - 10 раз выше, чем измеренные в обычных опытах по диффузии алюминия в кремний. [30]

Страницы: 1 2 3 4