Кривая - кристаллизация
Cтраница 4
Если исходить из точки d, находящейся внутри треугольника А-C - A - 2S - - С-6 А, то кривая кристаллизации пойдет сначала по прямой до точки d, затем по прямой ED, где в точке D и закончится. [46]
В момент прохождения соединительной линии 1ПР через состав К все ранее выпавшие кристаллы Q оказываются растворенными по вышеприведенной реакционной схеме и поэтому кривая кристаллизации покидает пограничную поверхность и следует по прямой линии во внутренний объем Р, пока не достигнет другой пограничной поверхности. Как указано выше, направление изменения температуры вдоль пятерных линий определяется точкой пересечения этих линий с плоскостью, в вершинах которой располагаются составы фаз, находящихся в равновесии вдоль данной линии. [47]
Кривая EG Ei соответствует составам растворов, насыщенных кристаллогидратом, Е В - составам растворов, насыщенных безводной солью, и А Е - кривая кристаллизации льда. Область, расположенная выше кривой A EG E E, характеризует состав ненасыщенных растворов; области А К. [48]
Фазовая диаграмма простой эвтектической двухкомпонентной системы представлена на рис. 15.1. На этой диаграмме кривая XY представляет собой кривую кристаллизации вещества А в присутствии некоторого количества вещества В, а кривая ZY - кривую кристаллизации вещества В, к которому добавлено некоторое количество вещества А. В точке Y твердые А и В находятся в равновесии с массой расплава. В этой точке существуют одновременно три фазы, и система не имеет степеней свободы. Точка Y называется эвтектической точкой. [49]
Поскольку концентрация компонентов в жидкой фазе изменяется с расстоянием х вдоль загрузки, на основании анализа одного слитка можно определить значения обобщенного коэффициента распределения К0 для целого интервала концентраций компонентов в расплаве, как следует из кривых нормальной кристаллизации ( см. фиг. [50]
Снятие кристаллизационных кривых требует больших количеств вещества, а для соединений, склонных к переохлаждению ( например, нитраты могут переохлаждаться на 40 - 80 К), необходимо введение в образец охлажденных игл, искажающих кривую кристаллизации. [51]
 |
Разрезы через тройную систему салициловая кислота-вода-этиловый спирт. [52] |
В ней обнаружена под кривой кристаллизации салициловой кислоты кривая расслаивания с верхней критической точкой. Кривая кристаллизации над кривой расслаивания имеет почти горизонтальный участок. Система эта изображена на рис. 1 кривыми О к К. [53]
 |
Диаграмма состояния системы из веществ, образующих неустойчивое химическое соединение А В. [54] |
Плавление, при котором составы исходной твердой фазы и получающейся жидкости не совпадают, называется инконгруэнт-ным. Воображаемая кривая кристаллизации химического соединения dM перекрывается кривой кристаллизации компонента ad, вследствие чего максимум на диаграмме ( точка М) отсутствует. [55]
Плавление, при котором составы исходной твердой фазы и получающейся жидкой фазы не совпадают, называется инконгру-энтным. Воображаемая кривая кристаллизации химического соединения dM ( пунктир) превращается в кривую кристаллизации компонента ad, вследствие чего максимум на диаграмме ( точка М) отсутствует. [56]
Исходный расплав Р лежит в кристаллизационном объеме СаО, выделяющейся в качестве первичной фазы при охлаждении расплава. Далее кривая кристаллизации выходит на пограничную поверхность LKDX и продолжается по линии пересечения этой поверхности плоскостью СаО - СзЗ - Р - СаО при этом реагирует с расплавом, с образованием 3 СаО - 8Ю2 и оказывается полностью израсходованной в точке пересечения линии Сз8 - Р поверхностью LKDX. Совместное дальнейшее выделение двух фаз приводит к границе ETZ, имеющей инконгруэнтный характер. [57]
Исходный расплав Р лежит в кристаллизационном объеме СаО, выделяющейся в качестве первичной фазы при охлаждении расплава. Далее кривая кристаллизации выходит на пограничную поверхность LKDX и продолжается по линии пересечения этой поверхности плоскостью СаО - C3S - Р; СаО при этом реагирует с расплавом с образованием ЗСаО SiO - и оказывается полностью израсходованной в точке пересечения линии C3Si - Р поверхностью LK. Кривая кристаллизации следует далее внутри первичного объема ЗСаО SiiO, пока не достигнет в зависимости от состава исходного расплава либо поверхности C3S - C2S, либо C3S - С А. [58]
Страницы: 1 2 3 4