Кривая - термическое высвечивание - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Если вы спокойны, а вокруг вас в панике с криками бегают люди - возможно, вы что-то не поняли... Законы Мерфи (еще...)

Кривая - термическое высвечивание

Cтраница 1


Кривые термического высвечивания фотохимически окрашенных щелочно-галоидных кристаллов имеют во втором интервале температур по два пика термовысвечивания, обусловленные центрами захвата с двумя различными значениями энергии тепловой ионизации. Сопоставление кривых термического высвечивания с кривыми спектрального распределения вспышечного действия видимого света и спектрами поглощения окрашенных кристаллов щелочно-галоидных соединений, а также данные о высвечивающем действии света на отдельные пики термовысвечивания и о фотохимическом превращении одних центров захвата в другие приводят к вполне достоверным выводам относительно природы центров захвата, проявляющихся во втором интервале температур.  [1]

Кривые термического высвечивания рентгенизованных кристаллов КС1, КВг и необработанных естественных кристаллов каменной соли, рентгенизованных при температуре жидкого кислорода, содержат, по данным автора, в интервале 100 - 260 К по три основных пика люминесценции в видимой части спектра и столько же пиков, свечения в ультрафиолетовой области. Исключение из-этого общего правила составляет только кривая термического высвечивания КС1 в видимой области, которая состоит из четырех пиков. Однако один из этих пиков, и как раз тот из них, который не наблюдается ни в ультрафиолетовом термическом высвечивании самого КС1, ни в видимом высвечивании других кристаллов, имеет совсем малую относительную интенсивность.  [2]

Метод кривых термического высвечивания позволяет при помощи сравнительно простых средств изучать самые разнообразные явления, связанные с локализацией электронов на уровнях захвата. Кривые термического высвечивания, измеренные в широком температурном интервале, сразу же дают наглядное представление о полном спектре уровней захвата кристаллофосфора, о распределении электронов по этим уровням и о влиянии различных факторов как на это распределение, так и на спектр локальных уровней в целом.  [3]

Метод кривых термического высвечивания имеет не только теоретическое значение как метод исследования локальных уровней захвата в кристаллофосфорах.  [4]

Первый пик кривой термического высвечивания во втором интервале обусловлен, как и длинноволновый максимум в кривой спектрального распределения вспышечного действия видимого света ( рис. 26), так называемыми М - центрами. Об этом свидетельствует далеко идущее сходство в свойствах М - центров поглощения и центров, обусловливающих первый пик.  [5]

Теория метода кривых термического высвечивания, предложенная Рэндаллом и Уилкинсом ( 159, 160), основана на предложении, что повторные захваты электронов на акцепторных уровнях совершенно отсутствуют. При этом они считают, что в щелоч-но-галоидных фосфорах возбужденные электроны находятся на метастабильных уровнях самих центров свечения и только в фосфорах типа цинксульфидных акцепторные уровни пространственно отделены от центров свечения.  [6]

7 Термическое высвечивание. [7]

Если снять кривую термического высвечивания, после чего опять рентгенизовать фосфор и снова термически высветить, то после этого интенсивность свечения в первом пике станет меньше по сравнению с первым наблюдением. Подобное падение интенсивности продолжается также после повторения опыта.  [8]

Вычисленные нами по кривым термического высвечивания энергии тепловой ионизации F-к / И-иентров имеют в случаех щелочно-галоидных фосфоров, активированных серебром, следующие численные значения в эв. Отметим, что полученные нами численные значения энергии активации находятся в хорошем согласии с аналогичными величинами, полученными также методом термического высвечивания И. А. Парфиановичем [212] и Ч. Б. Лущи-ком [158] для активированных щелочно-галоидных кристалло-фосфоров, но они ниже величин энергии тепловой диссоциации F-центров, которые получены Смакулой [213] из измерений под-вижностей электронов в неактивированных аддитивно окрашенных щелочно-галоидных кристаллах. Из сравнения полученных величин с данными таблиц 2 и 24 видно, что они более чем в два раза меньше соответствующих значений энергии оптической ионизации F - и М - центров. Де-Бур и Гиль [214] впервые указали на то, что энергия термической активации должна быть всегда меньше энергии оптической активации.  [9]

На рис. 31 представлена кривая термического высвечивания в видимой части спектра кристалла NaCl, рентгенизованного при температуре жидкого кислорода. В кривой высвечивания этого кристалла в интервале от - 180 С до комнатной температуры наблюдаются три пика, соотношение интенсивности между которыми не одинаково для различных образцов.  [10]

На рис. 36 изображены кривые термического высвечивания двух кристаллов NaCl, окрашенных спектрально неразложенным светом конденсированной А1 - искры. Из сравнения этих кривых с аналогичными кривыми для рентгенизованных кристаллов видно, что окрашивание ультрафиолетовыми лучами приводит в общем к аналогичным результатам.  [11]

На рис. 45 изображена кривая термического высвечивания ( а) в видимой области рентгенизованного при комнатной температуре кристалла КС1, сохранявшегося в течение всего опыта в темноте. Кривая состоит из двух пиков, максимумы которых расположены около 100 и 160 С. Если после рентгенизации осветить кристалл светом в / - полосе до его термического высвечивания, то форма кривой высвечивания резко изменяется ( кривая ( в) рис. 45); пик с максимумом при 160 С совсем исчезает, но при этом возрастает интенсивность свечения в пике при 100 С.  [12]

13 Термическое высвечивание в ультрафиолетовой области фосфора NaCl - Ь 5 мол. / в AgCl. [13]

На рис. 102 приведена кривая термического высвечивания в ультрафиолетовой области ( полоса при 248 тц.  [14]

На рис. 33 приведена кривая термического высвечивания кристалла КС1 в видимой области в температурном интервале от - 180 до 200 С.  [15]



Страницы:      1    2    3    4