Кристалл - затравка
Cтраница 2
 |
Технологическая схема производства глинозема. [16] |
Декомпозеры для операции выкручивания могут быть с механическим и пневматическим перемешиванием пульпы. Для циркуляции вводимых в пульпу кристаллов затравки в декомпозер встроен аэролифт ( воздушный подъемник), состоящий из двух концентрических труб, в который подается сжатый воздух, образующий воздушно-пуль-повую смесь, поднимающуюся по внешней трубе в верхнюю часть декомпозера. [17]
Керр [81] впервые показал, что затравки в виде кристаллов цеолита А выполняют роль растущих центров кристаллизации в условиях, когда эти кристаллы омываются щелочным алюмосиликатным раствором. В этих условиях скорость роста кристаллической массы пропорциональна массе кристаллов затравки и зависит от концентрации раствора. [19]
В других случаях затравки, в том числе и затравки в виде более щелочных гелей ( аморфные затравки) [82, 83], вводимые в гели с заторможенным процессом зародыше-образования ( малощелочные гели), могут стимулировать нуклеацию в таких гелях. Это может быть объяснено развитием массопереноса в геле вследствие начинающегося роста кристаллов затравки или зародышей кристаллов, внесенных вместе с аморфной затравкой. [20]
Карбонизационная колонна по своей конструкции несколько отличается от используемой в производстве кальцинированной соды. Она позволяет получать более крупные кристаллы NaHCO3 в результате равномерного распределения кристаллов затравки по объему и возможности вести процесс при более низких пересыщениях. Карбонизация в такой колонне идет при температуре 82 - 86 С, что тоже способствует получению бикарбоната натрия в виде кристаллов более крупного размера. [21]
Для понимания роли жидкой фазы гелей в процессе их кристаллизации важным является наблюдающийся рост кристаллов затравки, вводимых в гели. При этом, как показали наши опыты с цеолитом А, линейные скорости роста кристаллов затравки и вновь образующихся кристаллов оказываются близкими. Это указывает на то, что и те и другие кристаллы растут за счет компонентов общего для них раствора. [22]
 |
Несоответствие периодов в срастающихся плоскостях А1203 и Si. [23] |
Если отказаться от этого критерия, оставив лишь условия высокой ретикулярной плотности и подобия симметрии в плоскости раздела, то по существу они не отличаются от идеи о взаимной параллельности плотноупакованных ( атомами одного сорта) направлений в сопрягающихся плоскостях двух кристаллов. Этот критерий соответствует описанной ранее модели ориентации, определяемой лишь геометрическим рельефом потенциальных ям поверхности кристалла затравки без существенной деформации решетки растущего слоя. [24]
По мнению Гулфаца и Сэнда [66], при введении затравки на ее поверхности происходит нуклеация и наблюдающееся ускорение процесса кристаллизации обусловлено, главным образом, образованием новых зародышей. В отличие от этого, Качирек и Лехерт [69, 71] исходят из представлений, что в процессе кристаллизации гелей с затравками происходит рост только кристаллов затравки, а новые зародыши кристаллов не образуются. [25]
Так как скорость растворения частиц геля в щелочи растет с увеличением ее концентрации, то и скорость процесса кристаллизации должна при этом расти. Непосредственным подтверждением роста кристаллов за счет компонентов жидкой фазы является рост кристаллов затравки, вводимых в силико-алюмогели. Путем последовательных затравок могут быть выращены кристаллы цеолитов размером 150 - 170 мкм и более. [26]
С точки зрения практического использования вторичное заро-дышеобразование имеет большое значение для так называемых кристаллизующихся систем второго класса. Подобная картина, например, наблюдается в суспензионных кристаллизаторах. Одной из особенностей кристаллизации в такой системе является стремление к саморегулированию в отношении пересыщения. В принципе, в такой системе контактное вторичное зародышеобразование может привести к инициированию одним кристаллом затравки появления большого числа зародышей, до 3000 - 4000 и более, но возникновение массы зародышей влечет за собой снижение пересыщения в системе и уменьшение числа вторичных зародышей, образующихся за счет одного кристалла затравки. [27]
 |
Влияние сульфата железа на кристаллизацию сульфата кальция из его раствора. [28] |
Таким образом, присутствующие в воде ферромагнитные частицы в определенных условиях оказывают сильное влияние на результаты магнитной обработки. Однако в ряде случаев при должной оптимизации состава воды и определенных условиях обработки эффект ее заметен и в отсутствие железа. По-видимому, все зависит от конкретных условий опытов. Следует подчеркнуть, что и характер кристаллизации в присутствии затравки может определяться степенью гидратации ионов, присоединяющихся к кристаллам затравки. [29]
С точки зрения практического использования вторичное заро-дышеобразование имеет большое значение для так называемых кристаллизующихся систем второго класса. Подобная картина, например, наблюдается в суспензионных кристаллизаторах. Одной из особенностей кристаллизации в такой системе является стремление к саморегулированию в отношении пересыщения. В принципе, в такой системе контактное вторичное зародышеобразование может привести к инициированию одним кристаллом затравки появления большого числа зародышей, до 3000 - 4000 и более, но возникновение массы зародышей влечет за собой снижение пересыщения в системе и уменьшение числа вторичных зародышей, образующихся за счет одного кристалла затравки. [30]
Страницы: 1 2 3