Кристалл - карборунд
Cтраница 2
 |
Фазовый состав технического карборунда. [16] |
Наличие очень тонкой пленки SiO2 обусловливает радужную цветную игру некоторых кристаллов карборунда. [17]
Отмечается возможность получения выпрямительного действия, а также свечения с кристаллами карборунда, цинкита, касситерита в электролитах. [18]
Мы увидим, что особый активный слой, существующий на гранях кристаллов карборунда и некоторых других веществ ( § 7), можно рассматривать и как запирающий слой Шоттки-Ланге. Последний, как известно, получается искусственным путем, например, у закиси меди. [19]
Особые активные слои существуют, по-видимому, не только на гранях кристаллов карборунда, но и некоторых других веществ. Свинцовый блеск теряет выпрямительные свойства или даже изменяет направление выпрямления, если сошлифовать активную грань монокристалла на 0.05 мм. После такого сошлифовывания ( вероятно, полностью всего активного слоя) фотоэдс при освещении кристалла также весьма уменьшается. [20]
Вынутые из печи плитки после остывания маркируют, нанося на каждую из них кристаллом карборунда или обломком силитового стержня температуру, при которой она вынута из печи. [21]
 |
Дисперсионные кривые для арсенида галлия.| Полосы колебаний решетки в ИК-спектре кристалла германия. [22] |
Многофононное поглощение обнаруживают алмаз и другие полупроводниковые кристаллы типа алмаза ( кремний и германий), а также ге-терополярный кристалл карборунда, имеющий ковалентные связи. Алмаз исследован с помощью ИК-спектров и спектров комбинационного рассеяния; для кремния и германия имеются данные как ИК-спектров, так и рассеяния медленных нейтронов. [23]
В настоящем синтезе, так же как и при обычной работе, хорошие результаты могут быть получены, если в качестве насадки применить кристаллы карборунда размером с набухшее пшеничное зерно. [24]
Как видно из этой таблицы, при возрастании содержания бора в кристаллах борунда уменьшается их удельный вес, что указывав бора в решетку кристаллов карборунда. [25]
В светодиодных индикаторах используется явление излучения света p - n - переходом при прохождении через него прямого тока, впервые обнаруженное О. В. Лосевым в 1923 г. в кристаллах карборунда. [26]
Впрочем и в вопросе о значении Р - N - границы приоритет принадлежит тому же О. В. Лосеву, который в последние годы своей жизни ( 1938 - 1939) изучал видимые на глаз прослойки ъ кристаллах карборунда с противоположным механизмом проводимости. [27]
Предположение об образовании структур внедрения в результате размещения атомов бора в междуузлиях, выдвигаемое в качестве одного из объяснений постоянства периода решетки, явилось бы весьма простым и само собой разумеющимся, если бы не то обстоятельство, что в кристаллах карборунда должна превалировать ковалентная связь. Однако мы не располагаем еще физическим механизмом, который позволил бы объяснить увеличение шлифспособности механическим размещением бора между узлами. Другие экспериментальные данные также не подтверждают этого предположения. [28]
Корунд мягче карборунда, который по твердости уступает лишь алмазу. Кристаллы карборунда обладают хорошими режущими свойствами. [29]
Чаще всего в качестве такого сопротивления используется видит, основным компонентом которого является карборунд, обработанный электрической дугой. Поверхность кристаллов карборунда имеет запорный слой. Вилитовсе сопротивление выполняется в виде совокупности дисков толщиной 20 мм и диаметром 75 - 100 мм, которые образуются при запекании карборунда с жидким стеклом. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5