Кристалл - карборунд
Cтраница 3
Возможно, что в случае карборунда некоторую роль играют примеси углерода. Бесцветные или слабоокрашенные зеленовато-голубоватые кристаллы карборунда не обладают активными слоями. [31]
 |
Техническая характеристика игнитронных прерывателей.| Схема игнитрона со стеклянной колбой. [32] |
Пространство колбы наполнено ртутными парями. Управляющий электрод 3 содержит на конусе кристалл карборунда, слегка погруженный в ртуть. Протекание тока происходит от жидкого катода к металлическому аноду. Для пропускания тока необходимо, чтобы горела дуга между зажигателем и ртутью. Зажигание дуги производится от специального выпрямителя и регулируется электронным регулятором времени. [33]
Следует отметить, что вещество карборунда не дает термо люминесценции. Интересно отметить также, что при раскалывании кристаллов карборунда можно наблюдать и триболюминесценцию. [34]
 |
Техническая характеристика игнитронных прерывателей. [35] |
Пространство колбы наполнено парами ртути. Электрод, управляющий зажиганием, имеет на конусе кристалл карборунда, слегка погруженный в ртуть. Ток проходит от жидкого катода к металлическому аноду, для чего необходимо, чтобы горела дуга между зажига-телем и ртутью. Дуга зажигается от специального выпрямителя и регулируется электронным регулятором времени. [36]
Свойства приведены при комнатной температуре. Изменение тепло - и электропроводности связано с наличием примесей в кристалле карборунда. [37]
Таким образом, строгс говоря, имеется всего лишь две модификации карборунда: кубический f5 - SiC и гексагональный oc - SiC. Наличие многих форм a - SiC объясняется легким образованием дефектов в процессе роста кристаллов карборунда при небольшом энергетическом различии. Последнее обусловлено идентичностью расположения ближайших атомов. Различия появляются лишь в расположении атомов во вторичной и более далекой координации. Рамсделл и Кон [171] предполагали, что причиной возникновения многочисленных форм a - SiC является различная величина частиц карборунда в парообразном состоянии ( различный молекулярный вес. [38]
Кристаллическая решетка карбида кремния напоминает кристаллические решетки алмаза и элементарного кремния; структуру кристаллов карборунда можно представить, если в расширенной решетке алмаза каждый второй атом углерода заменить атомом кремния. Характерным свойством карборунда являются чрезвычайно большая твердость ( в этом отношении он лишь немногим уступает алмазу) и химическая инертность. Лишь при 2830 С он плавится с разложением. На карбид кремния не действуют даже сильнейшие окислители и кислоты, за исключением смеси азотной и плавиковой кислот. Он разлагается также при сплавлении со щелочами в присутствии кислорода. [39]
Карбид кремния, или так называемый карборунд, SiC образуется при восстановлении двуокиси кремния углем при температуре около 2000 С. Кристаллическая решетка карбида кремния напоминает кристаллические решетки алмаза и элементарного кремния; структуру кристаллов карборунда можно представить, если в расширенной решетке алмаза половину атомов углерода заменить на атомы кремния. Характерными свойствами его являются чрезвычайно большая твердость ( в этом отношении он лишь немногим уступает алмазу) и химическая инертность. На карбид кремния не действуют даже сильнейшие окислители и кислоты. Он разлагается лишь при нагревании выше 2200 С, а также при сплавлении со щелочами в присутствии кислорода. [40]
Баккли [182] нашел, что ширина и глубина некоторых спиралей роста и им подобных образований на гранях [0001] a - SiC имеют порядок до нескольких тысяч размеров элементарной ячейки. Такие образования, по Баккли, могут происходить также и вследствие скручивания элементарных слоев при росте кристаллов карборунда. [41]
 |
Трубчатый разрядник типа РТФ-110 / 0 4 - 2 2. [42] |
Такие разрядники представляют собой колонки искровых промежутков и нелинейных сопротивлений. В качестве последних наиболее распространен велит, основным компонентом которого является карборунд, обработанный дугой; при этом на поверхности кристаллов карборунда образуется запорный слой. Велитовое сопротивление представляет собой совокупность дисков толщиной 20 мм и диаметром 75 - 100 мм, образующихся при запекании карборунда с жидким стеклом. [43]
Условия возникновения разряда в разных кристаллах и разных точках могут быть различными. Например, у некоторых кристаллов для возникновения истечений достаточно уже слабого нагревания ( от выделения тепла Джоуля в R) или по некоторым причинам сопротивление в точке контакта сильнее нагревается. В полупрозрачных кристаллах карборунда можно даже наблюдать слабое ( в месте контакта) зеленоватое свечение при токе через контакт всего 0.4 ма, часто оно бывает ветвистым. У цинкита же во время генерирования даже сильных колебаний никакого свечения не наблюдается, а с увеличением тока до со 9 ма, когда колебания уже прекращаются, - при спекании ( см. рис. 15) - появляется слабое малиновое свечение. Это еще раз доказывает, что при работе цинкитного детектора-генератора в обычных условиях электроды не накалены. Выпрямляющее же действие детекторов легко объясняется соответственными свойствами электронных разрядов. [44]
Только некоторые сорта кристаллов карборунда резко выделялись среди прочих значительной яркостью этого свечения - светились и поверхность, и даже толща прозрачного кристалла, прилегавшие к острию. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5