Кристалл - кремний
Cтраница 2
Кристаллы кремния высокой чистоты, имеющие минимальное число дефектов структуры, характеризуются очень низкой электропроводностью. Примеси и нарушения правильности строения резко увеличивают его проводимость. [16]
Кристаллы кремния высокой чистоты, имеющие минимальное число дефектов структуры, характеризуются очень низкой электропроводностью. Примеси и нарушения правильности строения резко увеличивают его проводимость. [17]
Кристаллы кремния высокой чистоты, имеющие минимальное число дефектов структуры, характеризуются очень низкой электропроводностью. Примеси и нарушения правильности строения резко увеличивают их проводимость. [18]
Кристаллы кремния высокой чистоты, имеющие минимальное число дефектов структуры, характеризуются очень низкой электро-проводностью. Примеси и нарушения правильности строения резко увеличивают их проводимость. [19]
Кристаллы кремния высокой чистоты, имеющие минимальное число дефектов структуры, характеризуются очень низкой электро-v проводностью. Примеси и нарушения правильности строения резко увеличивают их проводимость. [20]
Кристаллы кремния высокой чистоты, имеющие минимальное число дефектов структуры, характеризуются очень низкой электропроводностью. Примеси и нарушения правильности строения резко увеличивают его проводимость. [21]
Кристаллы кремния высокой чистоты, имеющие минимальное число дефектов структуры, характеризуются очень низкой электропроводностью. Примеси и нарушения правильности строения резко увеличивают их проводимость. [22]
Кристаллы кремния высокой чистоты, имеющие минимальное число дефектов структуры, характеризуются очень низкой электрической проводимостью. Примеси и нарушения правильности строения резко увеличивают их проводимость. [23]
Кристаллы кремния высокой чистоты, имеющие минимально число дефектов структуры, характеризуются очень низкой эле к тропроводностью. Примеси и нарушения правильности строена резко увеличивают его проводимость. [24]
 |
Схема движения дырки в кристаллической решетке.| Схемы возникновения ной проводимости. [25] |
Если кристалл кремния поместить в электрическое поле, то свободные электроны начнут перемещаться в определенном направлении, создавая электрической ток. [26]
Когда кристаллы кремния, содержащие кислород, проверяли на изменение электропроводности при 400 - 500, то было обнаружено медленное образование доноров. Здесь мы кратко рассмотрим суть дела. [27]
В кристалле кремния ширина запрещенной зоны равна 1 12 эВ и валентные электроны легко, при небольшом нагревании или возбуждении другим путем, переходят в зону проводимости. Вещества, у которых ширина запрещенной зоны составляет 0 1 - 4 0 эВ, относятся к полупроводникам. Принципиальное отличие полупроводников от проводников заключается в том, что у первых с увеличением температуры электрическая проводимость растет, у вторых - наоборот, уменьшается. [28]
 |
Схематическое двумерное изображение донорного центра в кристалле кремния.| Уровни энергии доноров и акцепторов. [29] |
В кристаллах кремния и германия донорами могут служить не только атомы фосфора, но и атомы других элементов пятой группы таблицы Менделеева. В противоположность этому примеси элементов третьей группы в таких кристаллах являются акцепторами. [30]
Страницы: 1 2 3 4