Cтраница 3
В кристалле кремния массой 120 г равномерно по объему распределены 25 7 миг фосфора и 38 2 мкг галлия. Считая, что атомы примеси полностью ионизированы, вычислить удельное сопротивление кристалла. [31]
В кристалле кремния даже при обычных условиях часть ковалентных связей разрушается. [32]
В кристаллах кремния может содержаться до 3 % железа, а в лебоите - алюминий. [33]
В кристалле кремния даже при обычных условиях часть кова-лентных связей разрушается. Поэтому в нем имеются свободные электроны, которые обусловливают небольшую электрическую проводимость. При освещении и нагревании увеличивается число разрушаемых связей, а значит, увеличивается число свободных электронов и возрастает электрическая проводимость. Так следует объяснять полупроводниковые свойства кремния. [34]
В кристалле кремния отдельные атомы располагаются в более или менее совершенной трехмерной периодической решетке со структурой алмаза ( фиг. В такой решетке каждый атом окружен четырьмя соседними атомами. [35]
В кристалле кремния даже при обычных условиях часть ко-валентпых связей разрушается. Поэтому в нем имеются свободные электроны, которые обусловливают небольшую электрическую проводимость. При освещении и нагревании увеличивается число разрушаемых связей, а значит, увеличивается число свободных электронов и возрастает электрическая проводимость. Так следует объяснять полупроводниковые свойства кремния. [36]
В кристалле кремния даже при обычных условиях часть ковалент-ных связей разрушается. Поэтому в нем имеются свободные электроны, которые обусловливают небольшую электрическую проводимость. [37]
В кристалле кремния даже при обычных условиях часть ковалент-ных связей разрушается. Поэтому в не М имеются свободные электроны, которые обусловливают небольшую электрическую проводимость. [38]
В кристалле кремния ширина запрещенной зоны равна 1 12 эВ и валентные электроны легко, при небольшом нагревании или возбуждении другим путем, переходят в зону проводимости. Вещества, у которых ширина запрещенной зоны составляет 0 1 - 4 0 эВ, относятся к полупроводникам. Принципиальное отличие полупроводников от проводников заключается в том, что у первых с увеличением температуры электрическая проводимость растет, у вторых - наоборот, уменьшается. [39]
В кристалле кремния р-типа на каждые 108 атомов кремния приходится один атом акцепторной примеси. [40]
В кристалле кремния дзже при обычных условиях часть ко-валентных связей разрушается. Поэтому в нем имеются свободные электроны, которые обусловливают небольшую электрическую проводимость. При освещении и нагревании увеличивается число разрушаемых связей, а значит, увеличивается число свободных электронов и возрастает электрическая проводимость. Так следует объяснять полупроводниковые свойства кремния. [41]
Перераспределение электронов Л2 28rtj. [42] |
Если сжать кристалл кремния вдоль оси [100], то расстояния между атомами в этом направлении уменьшатся, обменный интеграл для этого направления возрастет, а для направлений [010] и [001] уменьшится. [43]
Если сжать кристалл кремния вдоль оси [100], то расстояния между атомами в этом направлении уменьшатся, обменный интеграл для этого направления возрастет, а для направлений [010] и [001] уменьшится. [44]
Схема образования тока в диоде. [45] |