Cтраница 1
Зародышевый кристалл одного вещества может вызвать кристаллизацию любого другого изоморфного-с ним вещества из растворов или распл а ов по с. Следовательно, изоморфные вещества могут играть роль затравок друг для друга. Это обусловливается однотипностью кристаллических решеток веществ, принадлежащих к одному и тому же изоморфному ряду. [1]
Зародышевый кристалл одного вещества может вызвать кристаллизацию любого другого изоморфного с ним вещества из растворов или расплавов последнего. Следовательно, изоморфные вещества могут играть роль затравок друг для друга. Это обусловливается однотипностью кристаллических решеток веществ, принадлежащих к одному и тому же изоморфному ряду. [2]
Зародышевый кристалл одного вещества может вызвать кристаллизацию любого другого изоморфного с ним вещества из растворов или расплавов последнего. Следовательно, изоморфные вещества могут играть роль затравок друг для друга. Это обусловливается однотипностью кристаллических решеток веществ, принадлежащих к одному и тому же изоморфному ряду. [3]
Зародышевые кристаллы алмаза возникают на поверхности раздела между графитом и расплавленным металлом-катализатором. Они остаются покрытыми пленкой жидкого углеродсодержащего металла, сквозь которую углерод затем и диффундирует от графита к алмазу по мере его роста. Современная техника позволяет получать в одной камере за несколько минут более 20 г алмазов. [4]
Образованию зародышевых кристаллов способствует мехаш ческое воздействие. Если на пересыщенный раствор не оказываю механического воздействия, то он может довольно долго нахс диться в гомогенном состоянии. Состояние равновесия пр осаждении чаще всего достигается довольно медленно. Легче переходят в раствор ионы, ра ( положенные несовершенно в кристаллической решетке. Такн ионы более активны. Большей активностью обладают ионы н поверхности малых кристаллов, поэтому последние быстре растворяются и за счет этого с течением времени растут боле крупные кристаллы. Несовершенные кристаллы постепенно ш реходят в совершенные, а аморфные кристаллы имеют склонност превращаться в кристаллические. При этом гран передвигаются, но углы между ними сохраняются. Однак кристаллы, достигнув определенных размеров, в дальнейшет практически не растут. В том же случае, когда зародыш кристаллов объединяются в крупные агрегаты, образуются амор ные осадки. Последние являются как бы скрыто кристал лическими. [5]
Образованию зародышевых кристаллов способствует механическое воздействие. Если на пересыщенный раствор не оказывают механического воздействия, то он может довольно долго находиться в гомогенном состоянии. Состояние равновесия при осаждений чаще всего достигается довольно медленно. На поверхности кристаллов идет процесс обмена ионов кристалла с ионами раствора. Легче переходят в раствор ионы, расположенные несовершенно в кристаллической решетке. Такие ионы более активны. Большей активностью обладают ионы на поверхности мелких кристаллов, поэтому последние быстрее растворяются и за счет этого с течением времени растут более крупные кристаллы. Несовершенные кристаллы постепенно переходят в совершенные, а аморфные кристаллы имеют склонность превращаться в кристаллические. Облик одного и того же кристалла в процессе роста может изменяться. При этом грани передвигаются, но углы между ними сохраняются. Однако кристаллы, достигнув определенных размеров, в дальнейшем практически не растут. В том же случае, когда зародыши кристаллов объединяются в крупные агрегаты, образуются аморфные осадки. Последние являются как бы скрыто кристаллическими. [6]
Плотность зародышевых кристаллов AgCl составляет 5 - Ю10 см-2, и их топография отражает распределение точечных дефектов. При увеличении толщины слоя AgCl ориентированная коалесценция зародышей AgCl начинается только на поверхности отрицательных доменов. [7]
В случае малого зародышевого кристалла в одни моменты число атомов, присоединяющихся к нему, перевешивает число атомов, отрывающихся от него, в другие моменты баланс отрицателен. [8]
Поскольку связь между отдельными зародышевыми кристаллами в получающихся агрегатах сравнительно непрочная, эти агрегаты могут снова распадаться с образованием коллоидного раствора. [9]
В первый момент образуются чрезвычайно мелкие зародышевые кристаллы, которые не могут еще выпасть в осадок. В дальнейшем идет процесс укрупнения зародышевых кристаллов. Он протекает двумя различными путями. При этом в одном случае образуются кристаллические осадки, в другом - аморфные. Если выделение вещества из раствора преимущественно идет на поверхности уже возникших зародышей кристаллов и последние постепенно растут, то в дальнейшем возникает кристаллический осадок. Если же зародышевые кристаллы соединяются в более крупные агрегаты и оседают на дно, то образуется аморфный осадок. Аморфные осадки фактически состоят из мельчайших кристаллов, что и было доказано на опыте при их исследовании рентгеновскими лучами. Особенно легко образуют аморфные осадки малорастворимые вещества. [10]
Таким образом, введение зародышевых кристаллов при повышенной температуре раствора способствует получению легкофиль-труюшпхся осадков МТК и ускорению гидролиза. [11]
На поверхностях нагрева сначала отлагаются первичные зародышевые кристаллы размером 0 2ч - 0 3 мм, которые затем укрупняются и разрастаются, изменяя свою первоначальную форму. Та или другая структура накипи возникает в зависимости от температуры перегретого граничного слоя, величины тепловой нагрузки поверхности нагрева и концентрации кипящего рассола. [12]
При этом ингибиторы подавляют дальнейший рост зародышевых кристаллов гипса, кальцита или другой малорастворимой соли. Образовавшиеся адсорбционные слои препятствуют не только соединению кристаллов, но и прилипанию к внутренней поверхности оборудования и труб. Это обеспечивает унос частиц потоком жидкости. [13]
С другой-стороны, поскольку связь между отдельными зародышевыми кристаллами в получающихся агрегатах сравнительно непрочная, эти агрегаты могут снова распадаться с образованием коллоидного раствора. [14]
Из газовой фазы монокристаллы вырастают, когда зародышевый кристалл витает в парах осаждаемого вещества. [15]