Зародышевый кристалл
Cтраница 3
Как известно, пересыщение растворов устраняется введением достаточного количества центров кристаллизации и турбулентным режимом движения раствора, способствующим интенсивному подведению ионов к поверхности зародышевого кристалла. Аналогичный эффект оказывает и развитая, особенно шероховатая поверхность, с которой контактирует пересыщенный раствор. Поэтому при протекании последнего по трубам на их стенках начинает отлагаться избыток растворенного вещества. [31]
 |
Схема иодидного метода эпитаксиального наращивания монокристаллических пленок германия с заданным типом проводимости и график температурного перепада. [32] |
Особое значение эпитаксиальное наращивание имеет в производстве интегральных микросхем, когда необходимо получать монокристаллические пленки из полупроводникового материала с заданным типом проводимости на зародышевом кристалле, оказывающем ориентирующее влияние на рост пленки. [33]
Находящиеся в сточных водах многих химических производств органические соединения, особенно высокомолекулярные водорастворимые вещества, усиливают устойчивость пересыщенных растворов сульфата кальция, так как, адсорбируясь на гранях зародышевых кристаллов CaS04 - 2H20, препятствуют их дальнейшему росту. [34]
С другой стороны, понижение температуры смеси вызывает значительное повышение вязкости среды, что сильно влияет на рост кристаллов парафина, затрудняя диффузию углеводородов из маточного раствора к зародышевым кристаллам парафинов, выделяющихся по мере охлаждения раствора. [35]
При проявлении, когда фотопленку погружают в раствор восстанавливающего вещества - проявителя, реакция восстановления AgBr до Ag быстрее всего протекает именно в тех кристаллах AgBr, которые содержат зародышевые кристаллы серебра. Это объясняется адсорбцией проявителя на поверхности таких кристалликов и тем, что образующееся металлическое серебро кристаллизуется в первую очередь там, где уже имеются его зародышевые кристаллики. Проявителями являются органические вещества ( двухатомные фенолы, стр. Проявление заканчивают, когда проступает достаточно четкое изображение снятых предметов. [36]
Адсорбированные посторонние вещества ( влага и др.) испаряют, вызывая кратковременный темный разряд в эвакуированном сосуде, и затем отсасывают, при этом на поверхностях металлизируемых изделий уже появляются зародышевые кристаллы. [37]
Качественный рентгенофазовый анализ пористого заполнителя показывает преимущественное содержание аморфного стекла и мелких кристаллических образований на основе кремния, муллита и Fe2O3, причем содержание муллита и Fe2O3 на поверхности значительно превосходит количество зародышевых кристаллов в сердцевине гранулы. [38]
Торможение образования карбонатных отложений при использовании фенольных сточных вод обусловливается, очевидно, во-первых, ограничением процесса кристаллизации углекислого кальция вследствие адсорбции поверхностно активных веществ, содержащихся в сточной воДе, на поверхности зародышевых кристаллов карбоната кальция ( СаСО3), что препятствует их росту; во-вторых, протеканием химических процессов, переводящих соли карбонатной жесткости в соли некарбонатной жесткости; в-третьих, не исключена возможность, что образующийся под влиянием фенольной воды слой продуктов коррозии на поверхности металла препятствует прилипанию кристаллов карбоната кальция. [39]
Следует отметать, что оценка стабильности воды может служить лишь для приближенной оценки ее способности образовывать карбонатную накипь, поскольку этим методом не учитывается влияние, в частности, органических соединений, в той или иной мере сорбирующихся на зародышевых кристаллах накипи и тем самым затрудняющих накипеобразование. Не учитываются также местные перегревы воды в испарителе. [40]
В условиях химического анализа осадок не вносится в раствор в готовом виде, а образуется в нем по мере прибавления осадителя. При этом возникают сначала мельчайшие зародышевые кристаллы, которые постепенно растут, причем поверхность их непрерывно обновляется за счет отложения все новых и новых слоев соответствующего вещества. В то же время эта постоянно обновляющаяся поверхность кристалла все время адсорбирует различные посторонние примеси из раствора. В процессе роста кристалла эти примеси постепенно вытесняются ионами, входящими в состав кристаллической решетки осадка. Однако такое вытеснение обычно происходит недостаточно полно. В зависимости от условий осаждения, большая или меньшая часть посторонних примесей, первоначально находившихся на поверхности частиц, оказывается отделенной от раствора вновь отложившимися слоями вещества. Такой захват первоначально адсорбированных веществ внутрь кристаллов в процессе их роста называется внутренней адсорбцией. [41]
В условиях химического анализа осадок не вносится в раствор в готовом виде, а образуется в нем по мере прибавления осади-теля. При этом возникают сначала мельчайшие зародышевые кристаллы, которые постепенно растут, причем поверхность их непрерывно обновляется за счет отложения все новых и новых слоев соответствующего вещества. В то же время эта постоянно обновляющаяся поверхность кристалла непрерывно адсорбирует различные примеси из раствора. В процессе роста кристалла эти примеси постепенно вытесняются ионами, входящими в состав кристаллической решетки осадка. Однако такое вытеснение обычно происходит недостаточно полно. В зависимости от условий осаждения большая или меньшая часть примесей, первоначально находившихся на поверхности частиц, в результате адсорбции оказывается отделенной от раствора вновь отложившимися слоями осаждаемого вещества. [42]
Фосфатирование охлаждающей воды производится с целью торможения процесса образования твердой фазы СаСОз из пересыщенных растворов. Адсорбируясь на поверхности зародышевых кристаллов СаСО3, фосфаты тормозят их дальнейший рост, увеличивают степень пересыщения раствора и тем самым стабилизируют воду. [43]
Фосфатирование охлаждающей воды производится с целью торможения процесса образования твердой фазы СаСО3 из пересыщенных растворов. Адсорбируясь на поверхности зародышевых кристаллов СаСО3, фосфаты тормозят их дальнейший рост, увеличивают степень пересыщения раствора и тем самым стабилизируют воду. [45]
Страницы: 1 2 3 4