Бездислокационный кристалл

Cтраница 1

Бездислокационные кристаллы выращивают и в условиях нелинейных температурных градиентов, если при этом используется бездислокационная затравка. По-видимому, дислокации образуются в условиях определенных термических напряжений, когда в кристалле уже имеется некоторое количество дислокаций. Это обусловлено тем, что процесс зарождения новых дислокаций затруднен и происходит при значительных напряжениях, например при быстром охлаждении. [1]

Получение бездислокационных кристаллов ( около 40 слитков) с воспроизводимыми электрическими свойствами говорит о перспективности разработанной технологии роста монокристаллов CdSnAs3 и ему подобных соединений. [2]

Недавно были получены бездислокационные кристаллы и таких соединений, как GaAs. [3]

Этим объясняется большее огранение бездислокационных кристаллов по сравнению с дислокационными. [4]

Характерные отличия внешнего вида бездислокационных кристаллов, выращиваемых по направлению [111], наблюдаются уже на участке выращивания шейки. В месте, где начинается рост бездислокационного монокристалла, отчетливо заметно увеличение диаметра, винтовая нарезка становится более глубокой. Полученные в тех же условиях монокристаллы с дислокациями бугра не имеют. [5]

Линейный дефект в кристаллической решетке.| Скопление дис -, ., - . [6]

Оказывается, что прочность таких бездислокационных кристаллов близка к теоретической. [7]

Изложенное подтверждает, что получение бездислокационных кристаллов зависит не только от технологических факторов, но и от кристаллографических. [8]

На практике наилучшим методом получения бездислокационных кристаллов, по-видимому, является разновидность метода вытягивания - так называемый метод перетяжек. Сущность его заключается в том, что в начале процесса диаметр кристалла уменьшают. [9]

Дислокационный отрезок закрепленный на концах А и В в поле постоянного напряжения т. Плоскость скольжения совпадает с плоскостью чертежа. [10]

Здесь речь не идет о бездислокационных кристаллах полупроводников. [11]

Интересно подчеркнуть, что если получены бездислокационные кристаллы материалов с ковалентными связями, то зарождение новых дислокаций в них сильно затруднено. Дэш показал, что тепловые напряжения, возникающие в бездислокационном кристалле Ge при кратковременном выведении его из расплава с последующим погружением, не создают каких-либо дислокаций. Вероятно, новые дислокации значительно легче образуются при наличии уже существующих. Например, в кристалле с плотностью дислокаций 103 см-2 после его выведения из расплава и последующего погружения плотность дислокаций возрастает более чем до 10е см-2. [12]

При некоторых специальных условиях удается получать практически бездислокационные кристаллы кремния и германия. [13]

Линейный дефект в кристаллической решетке.| Скопление дис -, ., - . [14]

Получили свое название из-за того, что бездислокационные кристаллы можно получить лишь очень малого диаметра, порядка одного микрона, длиной в несколько миллиметров, вероятно, правильнее / назвать их усиками, потому, что они похожи на усики насекомого. [15]

Страницы: 1 2 3 4